在追求高性能與實(shí)時(shí)響應(yīng)的嵌入式系統(tǒng)中，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）憑借其高速讀寫與低延遲特性，成為許多關(guān)鍵應(yīng)用的優(yōu)選。SRAM能夠有效支持實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理，保障系統(tǒng)流暢運(yùn)行。相較于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），SRAM無需頻繁刷新，訪問速度更快。

國內(nèi)芯片廠商偉凌創(chuàng)芯（EMI）聚焦于專用芯片與小型SOC芯片的研發(fā)，推出了一系列高性價(jià)比的存儲(chǔ)解決方案。其中，單片機(jī)外擴(kuò)SRAM芯片EMI501NL16LM-55I，憑借出色的性能與功耗控制，獲得了市場的廣泛認(rèn)可。單片機(jī)外擴(kuò)sram廣泛應(yīng)用于需要外擴(kuò)高速緩存的嵌入式系統(tǒng)，如網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、智能儀表、醫(yī)療儀器及高端消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

作為一款國產(chǎn)異步低功耗SRAM，單片機(jī)外擴(kuò)sram芯片EMI501NL16LM-55I采用先進(jìn)的全CMOS工藝制造，容量為1Mbit，組織結(jié)構(gòu)為64K×16位，并搭載48球BGA封裝，為用戶系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供了良好的硬件靈活性。其訪問時(shí)間低至55ns，在-40℃至85℃的工業(yè)級(jí)溫度范圍內(nèi)均可穩(wěn)定工作，適用于嚴(yán)苛的環(huán)境條件。

單片機(jī)外擴(kuò)sram芯片EMI501NL16LM-55I支持2.7V至3.6V的寬電壓供電，具備完全靜態(tài)操作能力，無需外部時(shí)鐘或刷新電路，簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在功耗方面表現(xiàn)尤為突出：當(dāng)單片機(jī)外擴(kuò)sram芯片使能無效時(shí)，器件自動(dòng)進(jìn)入待機(jī)模式，此時(shí)典型功耗僅10μW，極大延長了電池供電設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。同時(shí)，單片機(jī)外擴(kuò)sram還支持低數(shù)據(jù)保留電壓，可配合電池備份方案進(jìn)一步降低系統(tǒng)功耗。

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審核編輯 黃宇