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【技術(shù)帖】艾為首推25球1.2A帶載AMOLED屏幕電源驅(qū)動芯片,助力手機實現(xiàn)亮度、續(xù)航、信號三重突破

艾為電子 ? 2026-01-14 19:04 ? 次閱讀
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2025年國產(chǎn)柔性屏出貨率已經(jīng)占6成以上,柔性屏已經(jīng)成為智能手機主流屏幕顯示技術(shù)。AMOLED屏幕憑借其自發(fā)光,高對比度,響應速度快,高屏占比,低功耗等優(yōu)勢成為中高端手機的首選。


日常生活中,隨著指紋和面容識別,二維碼支付的普及,加上戶外強光觸發(fā)的高亮度,均需要全屏提亮,對屏驅(qū)IC可以支持的負載電流提出了更高的要求。數(shù)模龍頭艾為電子首推25球1.2A帶載 AMOLED屏幕電源驅(qū)動芯片:AWP37579CSR,封裝面積是第一代25球屏驅(qū)IC AW37577ECSR的96%,通過整體電路以及工藝優(yōu)化,帶載能力從800mA提升到1.2A,助力手機戶外亮度提升,改善戶外用戶體驗。


01

持續(xù)提升用戶視覺體驗



“1.2A驅(qū)動能力”助力戶外顯示效果提升


手機亮度近些年一直是各大終端的宣傳亮點之一,2025年發(fā)布的國產(chǎn)旗艦機可以支持的HBM亮度達到1800nits,2026年會向2000nits甚至2200nits轉(zhuǎn)變。AWP37579CSR通過整體電路以及工藝優(yōu)化,在電池電壓2.9V下可以滿足1.2A的帶載能力要求。

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圖1 手機屏幕亮度與負載電流的對應關(guān)系


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圖2 AWP37579CSR帶載能力曲線


從“源”端優(yōu)化閃屏


目前使用的直板屏幕ELVDD電壓一般是固定的4.6V,屏驅(qū)IC輸入電壓供電范圍2.5V~4.8V,因此ELVDD通路需要通過Boost架構(gòu)去升壓,實際手機在滿充時電壓會達到4.7V左右,對同步Boost來講無法實現(xiàn)100%的占空比,因此在Boost的輸入和輸出接近的時候要引入Downmode模式,通過體二極管進行續(xù)流,由同步Boost變換成異步Boost來實現(xiàn)。手機系統(tǒng)在滿充時后級可能會存在瞬態(tài)抽載導致供電端電壓出現(xiàn)較大的波動,PMIC在Boost和Downmode之間反復切換,最終導致閃屏。


AWP37579CSR一方面將進入Downmode對應的VIN電壓點提高到4.56V,進入Downmode的概率更??;另一方面將VOUT和負載電流的變化引入環(huán)路,調(diào)節(jié)進出Downmode所需的占空比變化,在輸入電壓頻繁快速跳變的情況下,環(huán)路響應速度更快,常用負載10~200mA下ELVDD紋波在20mV水平,有效優(yōu)化閃屏問題。


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圖3 模式切換示意圖


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圖4 ELVDD模式切換波形


02

提升電池續(xù)航能力



支持更低的IC正常工作電壓


國產(chǎn)旗艦機電池已經(jīng)進入7000mAh時代,隨著硅基負極電池的應用與普及,電池的厚度可以做到8mm左右,在實現(xiàn)超長續(xù)航的同時又輕薄。

硅基負極電池最低電壓可以到2.75V,為了適應硅基負極電池下沉趨勢,AWP37579CSR UVLO 閾值做到2.05V,同時在輸入電壓2.5V條件下,可保證1A的輸出電流能力。


支持息屏顯示(AOD)低功耗模式


AMOLED屏幕每一個像素點獨立控制且自發(fā)光,使AOD模式成為可能。AOD模式下通過點亮部分像素點顯示日期和時間等信息,僅顯示區(qū)域耗電,可大幅減小電池功耗。目前發(fā)布的國產(chǎn)旗艦機可以支持最小1~2nits的亮度。AWP37579CSR可以通過AS脈沖指令進入降頻模式,大幅度優(yōu)化1~50mA負載區(qū)間內(nèi)效率,降低功耗。如圖5所示,VIN=3.7V,ELVSS=-1V,10mA負載下AOD模式屏驅(qū)IC的效率可提高近10%。


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圖5 AOD低功耗模式效率對比曲線


支持更寬的ELVSS電壓域


手機屏幕日常使用亮度下ELVSS電壓一般為-1V~-2V,可以保證整個屏幕面板所以像素點都可以正常發(fā)光,第一代25球AMOLED驅(qū)動可支持ELVSS的最高電壓為-1V。隨著屏幕發(fā)光材料的優(yōu)化,發(fā)光點像素的正向?qū)▔航迪陆?,ELVSS電壓有了進一步升高的趨勢。AWP37579CSR支持ELVSS輸出電壓范圍達到-0.5V,在保證正常發(fā)光的同時,可以進一步降低功耗。日常使用亮度下,假設(shè)流過整個面板平均電流為200mA,-0.5V相比于-1V的ELVSS電壓,屏幕功耗直接降低100mW,面板功耗下降約10%,平均每天續(xù)航可提高2%~3%。

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圖6 屏幕面板簡化模型


03

小型化:為手機主板黃金面積節(jié)省空間



國產(chǎn)旗艦機的電池容量越來越高,但同時手機厚度只能維持在7~8mm,只能通過減小手機主板面積來為大容量電池騰出空間,主板面積減小意味著IC更加集成,PCB密度更高,外圍器件尺寸更小。第一代25球屏驅(qū)IC典型應用是L1=4.7μH(ELVDD),L2=2.2μH(ELVSS)和L3=10μH(AVDD)。
AWP37579CSR在支持第一代外圍器件的基礎(chǔ)上,增加對更小感值支持(L1=2.2μH(ELVDD), L2=1.0μH (ELVSS) 和L3=4.7μH(AVDD))。對同類型電感而言,感值越小,電感飽和電流越大,換而言之,支持更小感值的電感可以降低目前電感尺寸,給手機主板讓出更多空間,同時針對同類型電感,小感值會帶來DCR降低,重載損耗降低,提升效率、減小熱量、提升手機亮度。
圖7是AMOLED驅(qū)動IC及外圍參考布局,三通道電感尺寸均由2520減小到2016,再加上IC減小的封裝面積,IC及外圍器件的有效面積由29.44mm2降低到23.91 mm2,降低18.8%左右。c3abe962-f138-11f0-8ce9-92fbcf53809c.jpg

圖7 芯片及外圍布局示意圖


04

信號滿格,帶來無限暢玩體驗



不只更快更強,更是更穩(wěn)更聰明:讓高亮顯示與信號從此和諧共存,在日常使用手機或平板時,您是否遇到過這些惱人的瞬間?


場景一:通勤路上的關(guān)鍵時刻


您正坐在高速行駛的地鐵或高鐵上,重要客戶發(fā)來視頻會議邀請。您接起電話,屏幕亮起,準備溝通細節(jié)。然而,畫質(zhì)精美的OLED屏幕似乎成了信號的“殺手”——對方的聲音開始斷斷續(xù)續(xù),畫面卡頓,甚至通話意外中斷。這很可能就是因為屏幕電源的電磁噪聲干擾了設(shè)備在高速移動中已脆弱的基站信號接收。


場景二:家中的娛樂死角


周末晚上,您蜷在客廳角落的沙發(fā)里,準備享受一部高清流媒體電影。手機屏幕點亮,色彩絢爛。但當您連接蜂窩網(wǎng)絡(luò)后,視頻卻頻繁緩沖,甚至自動降為模糊畫質(zhì)。您可能歸咎于樓宇間信號差,附近基站遠,但真相或許是:屏幕全亮時產(chǎn)生的干擾,恰好影響了設(shè)備對蜂窩的信號接收,讓您錯失了最佳的觀影體驗。


這些問題背后的共同元兇,很有可能是OLED屏幕電源芯片工作時產(chǎn)生的電磁噪聲(Desense)。它像一道無形的“雜波屏障”,削弱了設(shè)備接收微弱射頻信號的能力,直接導致信號格虛高、通話掉線、網(wǎng)速下降。


數(shù)模龍頭艾為電子帶來根本性的解決方案——AWP37579CSR超低Desense的AMOLED Power IC。不僅追求電源的高效與穩(wěn)定,更致力于從源頭凈化電磁環(huán)境,讓顯示與通信這對“室友”從此和諧共存,互不干擾。搭載艾為芯片的設(shè)備,在電梯、車庫、高速移動中,通話更清晰,視頻會議更流暢,在線游戲延遲更低,減少“關(guān)鍵時刻掉鏈子”的尷尬。


更優(yōu)的EMC性能也為工程師提供了更高的射頻性能冗余, 射頻工程師無需為規(guī)避干擾而采用復雜昂貴的多層板設(shè)計或額外屏蔽罩以及其他規(guī)避措施,顯著降低BOM成本和結(jié)構(gòu)設(shè)計難度。助力設(shè)備“全場景穩(wěn)定連接”。


艾為提供的不僅是一顆芯片,更是一種讓高端設(shè)備告別信號焦慮的確定性。 讓我們攜手,共同定義下一代智能終端的基礎(chǔ)體驗。


05

AWP37579CSR產(chǎn)品介紹



Input voltage: 2.5V ~ 4.8V

Excellent line and load transient response

Programmable output voltage by ESWIRE from 4.6V to 5V in 100mV steps (Default: 4.6V)

Programmable output voltage by ESWIRE from -6.6V to -0.5V in 12.5mV steps (Default: -4V)

Programmable output voltage by ASWIRE from 6.5 V to 8.0V in 50mV or in 100mV steps (Default: 7.6V)

Max Output current for ELVDD and ELVSS

1000mA @ VIN=2.5V, ELVDD=4.6V, ELVSS= -4V

1000mA @ VIN=2.7V, ELVDD=4.6V, ELVSS= -5.5V

1200mA@ VIN=2.9V, ELVDD=4.6V, ELVSS= -4V

150mA Max Output current for AVDD

Short Circuit Protection (SCP)

WLCSP 2.017×2.017 - 25B


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圖8 AWP37579CSR pin map


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圖9 AWP37579CSR典型應用圖


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