Wolfspeed 實(shí)現(xiàn) 300 mm 碳化硅技術(shù)突破

300 mm 碳化硅技術(shù)為 AI 基礎(chǔ)設(shè)施、AR/VR 和先進(jìn)功率器件提供可擴(kuò)展的平臺(tái)

新聞要點(diǎn)：

戰(zhàn)略性技術(shù)里程碑– Wolfspeed 已成功制造出單晶 300 mm（12 英寸）碳化硅晶圓，標(biāo)志著碳化硅技術(shù)演進(jìn)的一次重大進(jìn)步，也是新興應(yīng)用的關(guān)鍵推動(dòng)因素。

面向下一代應(yīng)用的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力– 憑借著業(yè)內(nèi)最為龐大、最具基礎(chǔ)性的碳化硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合（全球范圍內(nèi)已授權(quán)專利和在審專利合計(jì)超過(guò) 2,300 項(xiàng)），Wolfspeed 正在加速 300 mm 碳化硅技術(shù)的商業(yè)化，以賦能包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)/虛擬現(xiàn)實(shí) (AR/VR) 和先進(jìn)功率器件在內(nèi)的下一代平臺(tái)。

美國(guó)東部時(shí)間 2026 年 1 月13日，美國(guó)北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆市 – 全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (美國(guó)紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 今日宣布了一項(xiàng)重大行業(yè)里程碑：成功制造出單晶 300 mm（12英寸）碳化硅晶圓。憑借著業(yè)內(nèi)最為龐大、最具基礎(chǔ)性的碳化硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合（全球范圍內(nèi)已授權(quán)專利和在審專利合計(jì)超過(guò) 2,300 項(xiàng)），Wolfspeed 正在引領(lǐng)朝向 300 mm 碳化硅技術(shù)的轉(zhuǎn)型，為未來(lái)的規(guī)模化商業(yè)化確立了清晰路徑。

這一技術(shù)進(jìn)步為下一代算力平臺(tái)、沉浸式 AR/VR 系統(tǒng)以及高效率、先進(jìn)功率器件邁出了重要一步。通過(guò)將碳化硅擴(kuò)展到 300 mm，Wolfspeed 正在為全球一些要求最為苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)立新的性能標(biāo)桿和制造可擴(kuò)展性。

Wolfspeed 首席技術(shù)官 Elif Balkas 表示："制造 300 mm 單晶碳化硅晶圓是一項(xiàng)重要的技術(shù)成就，是多年專注于晶體生長(zhǎng)、晶錠和晶圓工藝創(chuàng)新的成果。這使得 Wolfspeed 能夠支持行業(yè)最具變革性的技術(shù)，特別是 AI 生態(tài)系統(tǒng)的關(guān)鍵要素、沉浸式增強(qiáng)和虛擬現(xiàn)實(shí)系統(tǒng)以及其他先進(jìn)功率器件應(yīng)用。"

Wolfspeed 的 300 mm 平臺(tái)將統(tǒng)一用于功率電子器件的高批量碳化硅制造與用于光學(xué)和射頻系統(tǒng)的高純度半絕緣襯底的先進(jìn)能力。這種融合將支持跨光學(xué)、光子學(xué)、熱學(xué)和功率領(lǐng)域的新型晶圓級(jí)集成。

Wolfspeed 賦能 AI – 解鎖超越摩爾

隨著 AI 工作負(fù)載將數(shù)據(jù)中心推向其功率極限，對(duì)提升功率密度、熱性能和能源效率的需求將持續(xù)加速。Wolfspeed 的 300 mm 碳化硅技術(shù)將能夠在晶圓級(jí)別集成高電壓功率傳輸系統(tǒng)、先進(jìn)熱解決方案和有源互連，從而將系統(tǒng)性能擴(kuò)展到傳統(tǒng)的晶體管縮放極限之上。

AR/VR – 賦能光學(xué)與熱集成

下一代 AR/VR 系統(tǒng)需要緊湊型、輕量化的配置，將高亮度顯示與廣闊的視場(chǎng)和有效的熱管理相結(jié)合。碳化硅獨(dú)特的材料特性，包括機(jī)械強(qiáng)度、導(dǎo)熱性和光學(xué)折射控制能力，使其成為多功能光學(xué)架構(gòu)的理想選擇。

除了 AI 基礎(chǔ)設(shè)施和 AR/VR，將碳化硅轉(zhuǎn)型至 300 mm 平臺(tái)是規(guī)?；a(chǎn)先進(jìn)功率器件的重要一步。更大的晶圓直徑增強(qiáng)了成本效益，同時(shí)滿足包括高電壓電網(wǎng)輸電和下一代工業(yè)系統(tǒng)在內(nèi)的應(yīng)用日益增長(zhǎng)的需求。

Yole Group 化合物半導(dǎo)體首席分析師 Poshun Chiu表示："300 mm 突破不僅僅是一個(gè)技術(shù)里程碑——它為碳化硅作為一種戰(zhàn)略性材料開(kāi)啟了新的機(jī)遇。它清楚地表明，碳化硅正在邁向未來(lái)十年電氣化、數(shù)字化和 AI 所需的更高級(jí)別制造成熟度。它為市場(chǎng)提供了邁向更高產(chǎn)量制造、改善經(jīng)濟(jì)性和長(zhǎng)期供應(yīng)保障的可靠路線圖[1]。"

[1] 信息來(lái)源：Power SiC 2025 – Front-End Manufacturing Equipment report and Power SiC 2025 – Markets and Applications report, Yole Group