文章來源：Semika

原文作者：Semika

本文主要講述半導(dǎo)體芯片鍵合技術(shù)。

鍵合是芯片貼裝后，將半導(dǎo)體芯片與其封裝外殼、基板或中介層進(jìn)行電氣連接的工藝。它實(shí)現(xiàn)了芯片與外部世界之間的信號(hào)、電源和接地連接。鍵合是后端制造中最關(guān)鍵的步驟之一，因?yàn)榛ミB質(zhì)量直接影響器件的可靠性、性能和可擴(kuò)展性。

工藝概述

目的：建立從芯片焊盤到封裝或板級(jí)互連的穩(wěn)健電氣通路。

方法：引線鍵合、倒裝芯片鍵合，以及先進(jìn)互連技術(shù)(硅通孔TSV、微凸點(diǎn)、混合鍵合)。

流程：在芯片貼裝后執(zhí)行;鍵合之后是封裝和最終測(cè)試。

選擇范圍：技術(shù)選擇取決于器件復(fù)雜度、I/O密度、性能要求和成本目標(biāo)。

鍵合方法

潔凈室與環(huán)境要求

在1000級(jí)或更低潔凈度的潔凈室中進(jìn)行。

引線鍵合需要機(jī)械穩(wěn)定性和振動(dòng)控制。

倒裝芯片和先進(jìn)鍵合通常需要氮?dú)饣蛘婵窄h(huán)境，以防止回流過程中的氧化。

優(yōu)勢(shì)與局限性

優(yōu)勢(shì)：支持各類器件的電氣和熱集成;從低成本引線鍵合到尖端3D互連，方法具備可擴(kuò)展性。

局限性：成本、性能和I/O密度之間存在權(quán)衡;先進(jìn)鍵合需要生態(tài)系統(tǒng)級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)化和投資。