基本半導(dǎo)體推出1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列，采用新一代碳化硅芯片技術(shù)，結(jié)合高性能Si3N4AMB基板與銅基板封裝，在提升功率密度的同時(shí)顯著增強(qiáng)產(chǎn)品可靠性。

針對(duì)光伏、儲(chǔ)能及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用，該模塊具備低導(dǎo)通電阻與低開關(guān)損耗特性，支持更高開關(guān)頻率。通過與同電壓等級(jí)IGBT模塊的仿真對(duì)比可見，ED3系列模塊在效率與散熱表現(xiàn)上優(yōu)勢(shì)明顯，有助于系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高功率密度與更低散熱成本。此外，基本半導(dǎo)體可提供與該模塊配套的即插即用驅(qū)動(dòng)板整體解決方案，助力客戶實(shí)現(xiàn)快速集成與高效開發(fā)。

產(chǎn)品拓?fù)?/p>

產(chǎn)品特點(diǎn)

基本半導(dǎo)體第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，性能更優(yōu)

低導(dǎo)通電阻，高溫下RDS(on)表現(xiàn)優(yōu)異

低開關(guān)損耗，提高開關(guān)頻率，功率密度提升

高性能Si3N4AMB和高溫焊料引入，提高產(chǎn)品可靠性

高可靠性和高功率密度

銅基板散熱

應(yīng)用領(lǐng)域

儲(chǔ)能系統(tǒng)

固態(tài)變壓器SST

光伏逆變器

牽引輔助變流器

電機(jī)驅(qū)動(dòng)

產(chǎn)品列表

一、產(chǎn)品性能實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)（BMF540R12MZA3）

1. 靜態(tài)參數(shù)測(cè)試

2. 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

2.1 參數(shù)平臺(tái)

2.2 動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)對(duì)比

開關(guān)波形 (ID=270A)

開關(guān)波形 (ID=540A)

二、SiC MOSFET模塊與IGBT模塊對(duì)比

兩類模塊在兩電平逆變應(yīng)用中的對(duì)比

使用PLECS軟件建模。

紅框?yàn)闇囟群蛽p耗監(jiān)控MOSFET和IGBT的位置，其余開關(guān)位置結(jié)果完全相同，不作展示。

仿真的工況及條件

仿真80℃散熱器溫度下，三款模塊在此應(yīng)用工況中的損耗、結(jié)溫和整機(jī)效率。

應(yīng)用為電機(jī)驅(qū)動(dòng)或并網(wǎng)逆變器。

仿真任務(wù)—固定出力仿結(jié)溫

仿真80℃散熱器溫度下，母線電壓800V、輸出相電流400Arms應(yīng)用工況下的損耗、結(jié)溫和整機(jī)效率。

輸出有功功率=400A*350V*3*cosφ=378kW

效率（%）=輸出有功功率/（輸出有功功率+器件總損耗功率）=378kW/(378+0.38641*6)kW=99.38%

SiC MOSFET與IGBT兩者效率差意味著什么？

100%-99.38%=0.62%

100%-98.79%=1.21%

兩者發(fā)出的熱量相差一倍，散熱系統(tǒng)能節(jié)省很多成本和體積，使用SiC MOSFET更節(jié)能。

8kHz 400Arms T1工況仿真結(jié)果——波形

BMF540R12MZA3(1200V 540A)

F*** (1200V 800A)

I*** (1200V 900A)

三、SiC MOSFET與IGBT在buck拓?fù)鋺?yīng)用中的仿真數(shù)據(jù)

SiC MOSFET模塊與IGBT模塊在buck拓?fù)渲械膽?yīng)用對(duì)比

使用PLECS軟件建模。

紅框?yàn)闇囟群蛽p耗監(jiān)控MOSFET和IGBT的位置，其余開關(guān)位置結(jié)果完全相同，不作展示。

仿真的工況及條件

仿真80℃散熱器溫度下，三款模塊分別在此應(yīng)用工況中的損耗、結(jié)溫和整機(jī)效率。

應(yīng)用為Buck拓?fù)洌妷簭?00V降到300V。

仿真任務(wù)1--固定出力仿結(jié)溫

仿真80℃散熱器溫度下，輸入電壓800V、輸出電流350A應(yīng)用工況下的損耗、結(jié)溫和整機(jī)效率。

輸出功率=350A*300V=105kW

效率（%）=輸出功率/（輸出功率+器件總損耗功率）=105kW/(105+0.43145)kW=99.58%

2.5kHz T1仿真結(jié)果--波形

BMF540R12MZA3 (1200V 540A)

F*** (1200V 800A)

I*** (1200V 900A)

仿真任務(wù)2--固定出力仿結(jié)溫

80℃散熱器溫度與約束結(jié)溫Tj≤175℃情況下，仿真計(jì)算模塊的輸出電流。

仿真任務(wù)3--開關(guān)頻率和輸出電流的關(guān)系

仿真Buck拓?fù)洌斎腚妷?00V，輸出電壓300V，80℃散熱器溫度，在限制結(jié)溫Tj≤175℃情況下（上管或下管；MOSFET，IGBT或二極管）三款模塊開關(guān)頻率和輸出電流的關(guān)系。

四、ED3模塊與驅(qū)動(dòng)板整體解決方案

ED3 SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)板即插即用解決方案1

ED3 SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)板即插即用解決方案2

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關(guān)于基本半導(dǎo)體

深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司是中國(guó)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司總部位于深圳，在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國(guó)際化的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，核心團(tuán)隊(duì)由來自清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院、英國(guó)劍橋大學(xué)等國(guó)內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的博士組成。

基本半導(dǎo)體掌握碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級(jí)及工業(yè)級(jí)碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動(dòng)芯片等，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，服務(wù)于電動(dòng)汽車、風(fēng)光儲(chǔ)能、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶。

基本半導(dǎo)體是國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)，承擔(dān)了國(guó)家工信部、科技部及廣東省、深圳市的眾多研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心，是國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心股東單位之一，獲批中國(guó)科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心、廣東省第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心。