91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

浮思特 | 車載 OBC 功率升級(jí)背后,至信微 SiC SBD 發(fā)揮什么作用

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2026-01-27 09:52 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

隨著新能源汽車快速普及,用戶對充電效率和補(bǔ)能體驗(yàn)的要求越來越高。作為車載充電系統(tǒng)的核心部件之一,OBC(On-Board Charger,車載充電機(jī))正朝著更高功率、更高效率和更高功率密度方向持續(xù)演進(jìn)。在這一過程中,碳化硅(SiC)功率器件的應(yīng)用逐漸成為行業(yè)共識(shí),其中 SiC SBD(肖特基勢壘二極管)在 OBC 中發(fā)揮著不可忽視的作用。

從當(dāng)前主流方案來看,車載 OBC 的輸出功率主要集中在 3.3 kW、6.6 kW、11 kW 以及 22 kW 等等級(jí)。以 11 kW OBC 為例,若車輛搭載約 88 kWh 的動(dòng)力電池,完整充電時(shí)間仍需要 8 小時(shí)左右。與傳統(tǒng)燃油車加油相比,這樣的補(bǔ)能時(shí)間依然偏長。

因此,提高充電功率、縮短充電時(shí)間,成為 OBC 技術(shù)升級(jí)的核心方向之一。與此同時(shí),更高功率意味著更高的工作電壓、更大的損耗壓力以及更嚴(yán)苛的熱管理挑戰(zhàn),這些都對功率半導(dǎo)體器件提出了更高要求。

三相輸入架構(gòu)下,SiC SBD 成為理想選擇

在高功率 OBC 方案中,越來越多系統(tǒng)開始采用 三相 380 V 輸入架構(gòu),使 OBC 功率可提升至 12 kW 甚至更高。在該架構(gòu)下,PFC(功率因數(shù)校正)級(jí)的輸出電壓通常會(huì)提升至 600 V 以上,對前端整流及續(xù)流器件的耐壓和效率提出了新的挑戰(zhàn)。

相比傳統(tǒng)硅二極管,SiC SBD 具備更高耐壓、更低反向恢復(fù)電荷以及更快開關(guān)速度等優(yōu)勢:

高耐壓能力:1200 V SiC SBD 可輕松應(yīng)對高壓 PFC 輸出環(huán)境

零反向恢復(fù)電流顯著降低開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)效率

高溫穩(wěn)定性好:適合車規(guī)級(jí)高溫工作場景

有利于系統(tǒng)小型化:減少散熱器體積,提高功率密度

正因如此,在 OBC 的 PFC 級(jí)、輔助電源及高頻整流環(huán)節(jié)中,SiC SBD 正逐步替代傳統(tǒng)硅基二極管方案。

SiC SBD 對 OBC 系統(tǒng)的實(shí)際價(jià)值

從整機(jī)角度來看,在 OBC 中合理引入 SiC SBD,能夠?yàn)橄到y(tǒng)帶來多方面收益:

提升整機(jī)效率

在高壓、高頻工作條件下,SiC SBD 能有效降低導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗,有助于 OBC 整體效率向 96% 甚至更高邁進(jìn)。

提高功率密度

損耗降低意味著散熱壓力減小,從而縮小磁性元件和散熱器體積,為高功率 OBC 的輕量化和緊湊化設(shè)計(jì)提供空間。

增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性

SiC 器件在高溫、高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性,使其更適合新能源汽車長期、復(fù)雜工況下的使用需求。

至信微 SiC SBD 在 OBC 應(yīng)用中的實(shí)踐

在 SiC 功率器件領(lǐng)域,至信微電子持續(xù)深耕車規(guī)級(jí)產(chǎn)品布局,其 SiC SBD 系列已在 OBC 等新能源應(yīng)用中得到廣泛關(guān)注。

針對三相高功率 OBC 場景,至信微推薦采用 1200 V / 20 A~30 A 等級(jí)的 SiC SBD 產(chǎn)品,例如:

SDC20120T2AA、SDC30120T2AS

該系列產(chǎn)品在耐壓能力、正向壓降一致性以及高溫可靠性方面表現(xiàn)穩(wěn)定,適合用于高壓 PFC 級(jí)及高頻整流應(yīng)用,為 OBC 系統(tǒng)效率提升和功率升級(jí)提供可靠支撐。

wKgZO2l4GVeAJTA7AAAodi8P2eI158.png

作為至信微電子的合作代理商,浮思特科技長期關(guān)注新能源汽車電源系統(tǒng)的發(fā)展趨勢,并持續(xù)為客戶提供 SiC 功率器件選型支持、應(yīng)用建議與技術(shù)交流。在 OBC 設(shè)計(jì)過程中,合理選擇 SiC SBD,不僅是器件替換,更是系統(tǒng)級(jí)效率與可靠性的綜合優(yōu)化。

未來,隨著 11 kW 及以上高功率 OBC 的進(jìn)一步普及,SiC SBD 在車載電源中的應(yīng)用空間仍將持續(xù)擴(kuò)大。浮思特科技也將攜手至信微,為新能源客戶提供更成熟、更可靠的功率半導(dǎo)體解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 車載
    +關(guān)注

    關(guān)注

    18

    文章

    691

    瀏覽量

    84766
  • OBC
    OBC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    206

    瀏覽量

    18819
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    使用SiC-SBD的優(yōu)勢

    應(yīng)用,實(shí)際上已經(jīng)在HV/EV/PHV的板上充電電路中采用并發(fā)揮SiC-SBD的優(yōu)勢。關(guān)鍵要點(diǎn):?ROHMSiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。?第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到改善,并進(jìn)一步降低了第2代達(dá)成的低VF。< 相
    發(fā)表于 11-29 14:33

    功率二極管中損耗最小的SiC-SBD

    包括車載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當(dāng)前的SiC-SBD?反向恢復(fù)時(shí)間trr快(可高速開關(guān))?trr特性沒有溫度依賴性?低VF(第二代SBD)下面介紹這些特征在
    發(fā)表于 12-04 10:26

    搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD功率模塊

    1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD
    發(fā)表于 03-12 03:43

    SiC SBD的器件結(jié)構(gòu)和特征

    的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路(PFC電路)和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同,小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定,通常如果將勢壘高度
    發(fā)表于 03-14 06:20

    SiC-SBD大幅降低開關(guān)損耗

    電源系統(tǒng)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)小型與更低損耗的關(guān)鍵 | SiC肖特基勢壘二極管在功率二極管中損耗最小的SiC-SBDROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC(碳化硅)材料的
    發(fā)表于 03-27 06:20

    SiC SBD的正向特性

    的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路(PFC電路)和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同,小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定,通常如果將勢壘高度
    發(fā)表于 04-22 06:20

    淺析SiC功率器件SiC SBD

    的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路(PFC電路)和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同,小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定,通常如果將勢壘高度
    發(fā)表于 05-07 06:21

    【轉(zhuǎn)帖】華潤碳化硅/SiC SBD的優(yōu)勢及其在Boost PFC中的應(yīng)用

    我國“新基建”的各主要領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。 一、 SiC的材料優(yōu)勢 碳化硅(SiC)作為寬禁帶材料相較于硅(Si)具有很多優(yōu)勢,如表1所示:3倍的禁帶寬度,有利于碳化硅器件工作在更高的
    發(fā)表于 10-07 10:12

    | 為什么新能源離不開碳化硅?聊聊SiC MOSFET 模塊

    SMC190SE7N120MBH1SiCMOSFET模塊,來聊聊這個(gè)話題。作為的合作代理商,
    的頭像 發(fā)表于 08-29 09:49 ?732次閱讀
    <b class='flag-5'>浮</b><b class='flag-5'>思</b><b class='flag-5'>特</b> | 為什么新能源離不開碳化硅?聊聊<b class='flag-5'>至</b><b class='flag-5'>信</b><b class='flag-5'>微</b>的 <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET 模塊

    |SiC MOSFET與普通MOSFET的區(qū)別及應(yīng)用分析

    場效應(yīng)晶體管)作為一種新型高性能材料,逐漸受到業(yè)界的關(guān)注。那么,SiCMOSFET與普通MOSFET有什么區(qū)別?在此,科技結(jié)合
    的頭像 發(fā)表于 09-04 14:46 ?826次閱讀
    <b class='flag-5'>浮</b><b class='flag-5'>思</b><b class='flag-5'>特</b>|<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET與普通MOSFET的區(qū)別及應(yīng)用分析

    | SiC功率器件在新能源汽車OBC與DC-DC中的應(yīng)用

    在新能源汽車迅猛發(fā)展的今天,提升充電效率、縮短充電時(shí)間已成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。車載充電機(jī)(OBC)和DC-DC轉(zhuǎn)換器作為電動(dòng)汽車的核心部件,其性能直接影響整車的能效和充電體驗(yàn)。目前,主流OBC
    的頭像 發(fā)表于 09-11 09:52 ?741次閱讀
    <b class='flag-5'>浮</b><b class='flag-5'>思</b><b class='flag-5'>特</b> | <b class='flag-5'>至</b><b class='flag-5'>信</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b>器件在新能源汽車<b class='flag-5'>OBC</b>與DC-DC中的應(yīng)用

    | 高壓高效,SiC新力量——SMD600HB200EDA1功率模塊

    我們分享的主角,是推出的SMD600HB200EDA1SiCMOSFET功率模塊。作為
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:51 ?664次閱讀
    <b class='flag-5'>浮</b><b class='flag-5'>思</b><b class='flag-5'>特</b> | 高壓高效,<b class='flag-5'>SiC</b>新力量——<b class='flag-5'>至</b><b class='flag-5'>信</b><b class='flag-5'>微</b>SMD600HB200EDA1<b class='flag-5'>功率</b>模塊

    | 高效能與低損耗,SMD1000HB120DPA1 SiC模塊的應(yīng)用與優(yōu)勢

    在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域,功率模塊正向著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向發(fā)展。碳化硅(SiC)技術(shù)作為第三代半導(dǎo)體的代表,逐漸成為了高效電力轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵募夹g(shù)。
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:45 ?363次閱讀
    <b class='flag-5'>浮</b><b class='flag-5'>思</b><b class='flag-5'>特</b> | 高效能與低損耗,<b class='flag-5'>至</b><b class='flag-5'>信</b><b class='flag-5'>微</b>SMD1000HB120DPA1 <b class='flag-5'>SiC</b>模塊的應(yīng)用與優(yōu)勢

    | SMC40N065T4BS碳化硅MOSFET,高效能電源設(shè)計(jì)新選擇

    碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的核心材料,憑借高耐壓、低損耗、耐高溫的先天優(yōu)勢,成為高壓DC/DC、車載充電、可再生能源等領(lǐng)域的"性能突破口"。作為微電子的合作代理商,
    的頭像 發(fā)表于 12-11 09:48 ?643次閱讀
    <b class='flag-5'>浮</b><b class='flag-5'>思</b><b class='flag-5'>特</b> | <b class='flag-5'>至</b><b class='flag-5'>信</b><b class='flag-5'>微</b>SMC40N065T4BS碳化硅MOSFET,高效能電源設(shè)計(jì)新選擇

    | 1200V SiC 功率模塊如何兼顧效率與可靠性?高性能方案解析

    (SiC)功率器件正成為越來越多系統(tǒng)設(shè)計(jì)的首選。作為微電子的合作代理商,
    的頭像 發(fā)表于 02-05 10:07 ?250次閱讀
    <b class='flag-5'>浮</b><b class='flag-5'>思</b><b class='flag-5'>特</b> | 1200V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>功率</b>模塊如何兼顧效率與可靠性?<b class='flag-5'>至</b><b class='flag-5'>信</b><b class='flag-5'>微</b>高性能方案解析