SED簡介
FPGA器件在使用中可能會受到質子、中子、α粒子等高能粒子的影響。SRAM 存儲單元作為FPGA邏輯配置數(shù)據(jù)的核心載體,一旦遭遇高能粒子的干擾,有一定的概率發(fā)生軟錯誤——這不會永久性損壞器件,但會改變存儲單元編程邏輯,隨著使用的時間越長,已經發(fā)生的錯誤會不斷累積,可能導致設備運行異常甚至任務失敗。為解決這一痛點,智多晶在 SA5T-100、SA5T-200 和 SA5T-366 器件中集成了硬核級解決方案——SED(Soft Error Detect)IP核,通過ECC+CRC雙校驗技術,實現(xiàn)軟錯誤的精準檢測、自動糾正與場景化測試,為 FPGA 在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運行保駕護航。
SED IP特性
支持校驗模式選擇
支持1bit或多比特錯誤檢測
支持測試1bit或2bit錯誤注入
支持自動糾正錯誤功能
SED IP設計
內部設計核心融合ECC與CRC雙校驗技術:ECC校驗易于硬件實現(xiàn),可逐幀檢錯并精準定位1bit軟錯誤位置,實現(xiàn)自動糾正;CRC校驗具備更強的錯誤檢測魯棒性,能有效識別多bit軟錯誤,兩者結合為FPGA內部SRAM數(shù)據(jù)提供可靠監(jiān)測。
SED IP使用
在HqFpga軟件打開IP管理界面并搜索SED,即可配置IP相關參數(shù),如圖 1所示。用戶可在IP配置界面選擇一次校驗模式或持續(xù)校驗模式,在持續(xù)校驗模式下,選擇是否打開自動糾正錯誤功能和注入錯誤功能,使用起來十分便捷。在使用過程中,只需抓取sed_err輸出信號狀態(tài),即可檢測是否發(fā)生錯誤。

圖 1 SED IP配置界面
主要應用場景
醫(yī)療設備領域,器件運行在放射性環(huán)境
通信設施領域,復雜電磁環(huán)境或輻射干擾環(huán)境
獲取技術文檔與DEMO
技術文檔獲?。篠ED IP已發(fā)布,用戶可以在HqFpga軟件“IP管理”中打開SED IP界面查看用戶指南,或訪問智多晶官網(www.isilicontech.com)下載SED IP用戶指南。
設計參考案例獲?。涸L問智多晶官網(www.isilicontech.com)下載SED DEMO用戶指南,或在公眾號中與我們聯(lián)系。
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原文標題:“芯”技術分享 | 智多晶 SED IP 介紹
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