電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）近日，一則關(guān)于蘋(píng)果芯片代工格局變動(dòng)的消息引發(fā)半導(dǎo)體行業(yè)廣泛關(guān)注：有證券機(jī)構(gòu)披露，蘋(píng)果計(jì)劃讓英特爾代工部分M系列處理器及非Pro版iPhone芯片，其中2027年發(fā)貨的低端M系列芯片、2028年推出的iPhone標(biāo)準(zhǔn)版芯片，有望率先采用英特爾18A-P先進(jìn)工藝。

然而，這一看似“臺(tái)積電+英特爾”雙保險(xiǎn)的戰(zhàn)略布局，卻遭到了行業(yè)專(zhuān)家的強(qiáng)烈質(zhì)疑。核心爭(zhēng)議點(diǎn)在于英特爾全面押注的“背面供電（BSPD）”技術(shù)，其在提升性能的同時(shí)帶來(lái)的散熱硬傷，可能成為英特爾拿下iPhone訂單的“阿喀琉斯之踵”。

傳聞引爆：蘋(píng)果的“第二供應(yīng)商”算盤(pán)

此次傳聞的核心，是英特爾先進(jìn)工藝與蘋(píng)果芯片需求的對(duì)接。據(jù)悉，蘋(píng)果計(jì)劃分階段推進(jìn)與英特爾的代工合作，優(yōu)先覆蓋低端M系列處理器和非Pro版iPhone芯片，這兩類(lèi)產(chǎn)品對(duì)性能的極致要求低于高端機(jī)型，被視為雙方合作的“試金石”。

根據(jù)相關(guān)計(jì)劃，蘋(píng)果預(yù)計(jì)在2027年發(fā)貨的“低端M系列處理器”中試水英特爾代工，隨后在2028年的“iPhone標(biāo)準(zhǔn)版（非Pro）芯片”中進(jìn)一步擴(kuò)大合作。英特爾18A-P工藝作為其IDM 2.0戰(zhàn)略的核心，采用了RibbonFET晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)，旨在提升芯片的每瓦性能與能效；在芯片互連方面，英特爾采用了EMIB-T 2.5D嵌入式橋接技術(shù)。通過(guò)在橋接器內(nèi)部添加硅通孔（TSV），電力和信號(hào)不僅可以橫向傳輸，還能實(shí)現(xiàn)垂直傳輸，從而最大化互連密度。理論上，這為蘋(píng)果在芯片設(shè)計(jì)上提供了更高的靈活性。

蘋(píng)果考慮引入英特爾作為第二芯片供應(yīng)商的核心目的，是分散供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。目前，英偉達(dá)因AI服務(wù)器芯片需求激增，已超越蘋(píng)果成為臺(tái)積電最大客戶(hù)，高端制程產(chǎn)能競(jìng)爭(zhēng)日益加劇。隨著產(chǎn)能向AI芯片傾斜，市場(chǎng)傳言臺(tái)積電可能正對(duì)蘋(píng)果提價(jià)。據(jù)媒體報(bào)道，由于AI需求擠壓了其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)空間，蘋(píng)果不僅面臨成本上升的壓力，其在臺(tái)積電的生產(chǎn)優(yōu)先級(jí)也可能受到挑戰(zhàn)——這表明供應(yīng)鏈的話(huà)語(yǔ)權(quán)正隨著終端需求的變化而轉(zhuǎn)移。此外，有知情人士透露，蘋(píng)果的這一地位早在2024年底就已受到挑戰(zhàn)：2024年四季度，臺(tái)積電為優(yōu)先保障英偉達(dá)H100 AI芯片的生產(chǎn)，曾削減蘋(píng)果M3 Max的代工產(chǎn)能，導(dǎo)致相關(guān)MacBook Pro機(jī)型上市延遲，進(jìn)而影響了蘋(píng)果假日銷(xiāo)售季的表現(xiàn)。

值得注意的是，此次合作并非蘋(píng)果與英特爾的首次牽手。雙方在芯片領(lǐng)域有著深厚的合作淵源：2016年至2020年，英特爾為iPhone 7至iPhone 11系列提供蜂窩基帶芯片；2006年至2023年，英特爾更是為Mac系列產(chǎn)品供應(yīng)x86架構(gòu)處理器，直至蘋(píng)果Mac轉(zhuǎn)向自研Apple Silicon后，雙方在電腦芯片領(lǐng)域的合作才逐漸淡化。與過(guò)往不同的是，此次合作中，英特爾僅承擔(dān)芯片制造環(huán)節(jié)，蘋(píng)果將繼續(xù)主導(dǎo)芯片設(shè)計(jì)工作，且初期僅承接小部分代工份額，臺(tái)積電仍將是蘋(píng)果芯片的主力代工廠。這種“主次分明”的模式，也充分體現(xiàn)了蘋(píng)果的謹(jǐn)慎態(tài)度。

潑來(lái)的冷水：BSPD技術(shù)的雙刃劍

然而，就在市場(chǎng)為這一潛在的“聯(lián)姻”大肆炒作之際，資深行業(yè)人士卻潑了一盆冷水。他們的觀點(diǎn)非常明確：英特爾絕無(wú)可能在短期內(nèi)代工iPhone芯片。

在先進(jìn)芯片制程競(jìng)爭(zhēng)中，供電技術(shù)的選擇直接決定芯片的性能、功耗與散熱表現(xiàn)，而臺(tái)積電與英特爾的技術(shù)策略差異，也造就了雙方在移動(dòng)芯片代工領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力分野。因此，資深人士的這一論斷，并非基于對(duì)英特爾制造能力或良率的質(zhì)疑，而是源于兩者在技術(shù)路線(xiàn)上的根本性分歧——背面供電（BSPD，Backside Power Delivery）技術(shù)的應(yīng)用。

據(jù)悉，BSPD技術(shù)的核心優(yōu)勢(shì)在于提升芯片性能。傳統(tǒng)芯片的供電線(xiàn)路與信號(hào)線(xiàn)路均布局在芯片正面，線(xiàn)路擁擠易導(dǎo)致電阻增加、信號(hào)干擾；而B(niǎo)SPD技術(shù)將電源網(wǎng)絡(luò)移至芯片背面，通過(guò)背面更短、更粗的金屬路徑供電，既能降低電壓降，又能釋放正面金屬層用于信號(hào)互連，從而支持芯片實(shí)現(xiàn)更高、更穩(wěn)定的工作頻率。英特爾在其最先進(jìn)的18A和14A工藝上全面押注BSPD技術(shù)，試圖通過(guò)這一差異化布局，追趕臺(tái)積電、三星在先進(jìn)制程領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。

但這一技術(shù)優(yōu)勢(shì)，在移動(dòng)芯片領(lǐng)域卻難以轉(zhuǎn)化為實(shí)際競(jìng)爭(zhēng)力，反而成為制約其代工iPhone芯片的“致命短板”。行業(yè)人士指出，對(duì)于iPhone所采用的移動(dòng)芯片而言，BSPD技術(shù)帶來(lái)的性能增益微乎其微——移動(dòng)芯片的性能表現(xiàn)更多受限于功耗控制，而非單純的頻率提升，而B(niǎo)SPD技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)，在低功耗場(chǎng)景下幾乎無(wú)法體現(xiàn)。

更關(guān)鍵的是，BSPD技術(shù)會(huì)引發(fā)嚴(yán)重的自發(fā)熱效應(yīng)，且散熱難度極大。由于電源線(xiàn)路布局在芯片背面，垂直散熱效果較差，橫向散熱效率也大幅下降，這就要求終端設(shè)備配備額外的散熱措施。但iPhone作為輕薄化移動(dòng)設(shè)備，內(nèi)部空間極度緊張，無(wú)法為芯片配備復(fù)雜的散熱模塊；且蘋(píng)果對(duì)iPhone的溫度控制有著嚴(yán)苛要求，BSPD技術(shù)帶來(lái)的散熱難題，在現(xiàn)有iPhone產(chǎn)品形態(tài)下幾乎無(wú)法解決。因此，行業(yè)專(zhuān)家明確表示，采用背面供電技術(shù)后，芯片的散熱需求將大幅增加，而手機(jī)有限的內(nèi)部空間根本無(wú)法滿(mǎn)足這些需求。

與英特爾不同，臺(tái)積電采取了更為靈活的技術(shù)策略：在部分工藝節(jié)點(diǎn)采用BSPD技術(shù)，面向?qū)π阅芤髽O高的桌面芯片、服務(wù)器芯片；在另一部分工藝節(jié)點(diǎn)則放棄BSPD技術(shù)，優(yōu)先保障功耗與散熱控制，以適配移動(dòng)芯片的需求。通過(guò)這種差異化布局完善產(chǎn)品組合，臺(tái)積電才能長(zhǎng)期穩(wěn)固占據(jù)蘋(píng)果iPhone芯片的獨(dú)家代工地位。

盡管英特爾代工iPhone芯片的前景黯淡，但行業(yè)人士并未完全否定蘋(píng)果與英特爾在M系列處理器上的合作可能性——這與產(chǎn)品的物理形態(tài)密切相關(guān)。MacBook等電腦設(shè)備內(nèi)部空間相對(duì)充裕，且往往配備主動(dòng)散熱系統(tǒng)（如風(fēng)扇）或大面積均熱板（如iPad Pro、MacBook Air），這意味著M系列芯片擁有更好的散熱環(huán)境，能夠容忍BSPD技術(shù)帶來(lái)的散熱挑戰(zhàn)。因此，2027年推出的低端M系列芯片，或許真的會(huì)成為英特爾代工業(yè)務(wù)突破的重要契機(jī)。

對(duì)英特爾而言，與蘋(píng)果的代工合作，是其拓展半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)、擺脫經(jīng)營(yíng)困境的重要突破口。近年來(lái)，英特爾在消費(fèi)級(jí)芯片市場(chǎng)面臨AMD的激烈競(jìng)爭(zhēng)，市場(chǎng)份額持續(xù)萎縮，而代工業(yè)務(wù)（Intel Foundry）已成為其戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型的核心方向。此時(shí)，若能成功獲得蘋(píng)果的代工訂單，不僅能帶來(lái)穩(wěn)定的營(yíng)收支撐，更能顯著提升其先進(jìn)工藝的行業(yè)認(rèn)可度，吸引更多客戶(hù)合作，進(jìn)而加速良率與產(chǎn)能的優(yōu)化，推動(dòng)代工業(yè)務(wù)走出虧損困境。

不過(guò)，除了BSPD技術(shù)帶來(lái)的散熱問(wèn)題，英特爾18A工藝的產(chǎn)能與良率問(wèn)題也值得重點(diǎn)關(guān)注。英特爾管理層在財(cái)報(bào)說(shuō)明會(huì)上表示，18A工藝雖持續(xù)改善良率，但目前仍未達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平；同時(shí)，該工藝的緩沖庫(kù)存已消耗殆盡，當(dāng)前庫(kù)存水平已降至峰值的約40%，導(dǎo)致公司處于“現(xiàn)做現(xiàn)賣(mài)”的供應(yīng)緊張狀態(tài)。因此，2026年將成為英特爾先進(jìn)制程產(chǎn)能爬坡的關(guān)鍵一年。

結(jié)語(yǔ)

蘋(píng)果與英特爾的芯片代工傳聞，是半導(dǎo)體行業(yè)高端化、多元化競(jìng)爭(zhēng)的一個(gè)縮影。英特爾18A-P工藝的技術(shù)亮點(diǎn)，為雙方的合作提供了基礎(chǔ)；而B(niǎo)SPD技術(shù)的散熱難題、英特爾自身的產(chǎn)能與良率短板，則為這場(chǎng)潛在合作蒙上了一層陰影。2027年低端M系列芯片的代工落地情況，將成為雙方合作的首個(gè)“試金石”，而iPhone芯片的代工之路，仍充滿(mǎn)不確定性。這場(chǎng)半導(dǎo)體行業(yè)的“雙向試探”最終能否實(shí)現(xiàn)雙贏、重塑全球高端芯片代工格局，仍需時(shí)間與市場(chǎng)的進(jìn)一步檢驗(yàn)。