深入剖析 LTC7067:高性能 150V 雙高端 MOSFET 柵極驅(qū)動器
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的 MOSFET 柵極驅(qū)動器至關(guān)重要。今天,我們就來詳細(xì)探討 ADI 公司的 LTC7067 這款 150V 雙高端 MOSFET 柵極驅(qū)動器,看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢,以及在實(shí)際應(yīng)用中需要注意的要點(diǎn)。
文件下載:LTC7067.pdf
一、產(chǎn)品概述
LTC7067 能夠驅(qū)動兩個(gè)高端 N 溝道 MOSFET,其電源電壓最高可達(dá) 140V。兩個(gè)驅(qū)動器可以采用不同的接地參考,具備出色的抗噪聲和抗瞬態(tài)干擾能力。而且,這兩個(gè)驅(qū)動器相互對稱且獨(dú)立,支持互補(bǔ)或非互補(bǔ)開關(guān)操作。
二、產(chǎn)品特性亮點(diǎn)
獨(dú)特架構(gòu)與高抗噪性
LTC7067 采用獨(dú)特的對稱浮動?xùn)艠O驅(qū)動器架構(gòu),輸入信號為 CMOS/ TTL 邏輯,且具備高抗噪聲能力,能夠耐受 ±10V 的接地差異。這使得它在復(fù)雜的電磁環(huán)境中也能穩(wěn)定工作,有效降低了噪聲對驅(qū)動器性能的影響。你在實(shí)際項(xiàng)目中是否遇到過因噪聲干擾而導(dǎo)致驅(qū)動器工作不穩(wěn)定的情況呢?
寬電壓范圍
- 輸入電壓:最大輸入電壓可達(dá) 140V,且與 IC 電源電壓 (V_{CC}) 相互獨(dú)立,適應(yīng)多種電源供電場景。
- (V_{CC}) 電壓:工作電壓范圍為 5V 至 14V,靈活性高。
- 柵極驅(qū)動器電壓:范圍是 4V 至 14V,可驅(qū)動不同功率的 MOSFET。
快速開關(guān)與兼容輸入
它擁有 0.8Ω 的下拉電阻和 1.5Ω 的上拉電阻,能夠?qū)崿F(xiàn)快速的導(dǎo)通和關(guān)斷操作,驅(qū)動大柵極電容的高壓 MOSFET。同時(shí),輸入與 TTL/CMOS 兼容,方便與各種控制器連接。
完善保護(hù)功能
具備 (V{CC}) 的欠壓鎖定(UVLO)/過壓鎖定(OVLO)以及浮動電源的 UVLO 功能,還有開漏故障指示器,可指示 (V{CC}) 的 UVLO/OVLO、柵極驅(qū)動器 UVLO 和熱關(guān)斷等故障情況。并且該器件集成了過溫關(guān)斷特性,當(dāng)結(jié)溫達(dá)到約 180°C 時(shí),會進(jìn)入熱關(guān)斷模式,保障器件安全。在高溫環(huán)境下使用驅(qū)動器時(shí),你是否擔(dān)心過器件的過熱保護(hù)問題呢?
汽車級認(rèn)證
通過了 AEC - Q100 認(rèn)證,適用于汽車應(yīng)用,滿足汽車行業(yè)對可靠性和穩(wěn)定性的嚴(yán)格要求。
三、技術(shù)參數(shù)詳細(xì)解讀
絕對最大額定值
該器件對各種電壓和溫度都有明確的限制,如 (V_{CC}) 電源電壓范圍是 -0.3V 至 15V,G1 和 G2 柵極驅(qū)動器電壓最高可達(dá) 150V 等。在使用時(shí),務(wù)必嚴(yán)格遵守這些額定值,否則可能會對器件造成永久性損壞,影響其可靠性和使用壽命。
電氣特性
- 輸入電源和 (V_{CC}) 電源:輸入電源工作范圍可達(dá) 140V,(V{CC}) 工作范圍為 5V 至 14V,(V{CC}) 欠壓鎖定閾值為 4.3V 等。
- 柵極驅(qū)動器電源:G1 和 G2 驅(qū)動器電源電壓范圍為 4V 至 14V,不同狀態(tài)下的電流也有所不同。
- 輸入信號:G1IN 和 G2IN 的開啟和關(guān)斷輸入閾值明確,且內(nèi)部有 1000k 的下拉電阻。
- 故障指示:FLT 引腳的下拉電阻典型值為 60Ω,從低到高的延遲為 100μs。
- 開關(guān)時(shí)間:G1 和 G2 的傳播延遲、上升時(shí)間和下降時(shí)間等參數(shù)都較為優(yōu)秀,能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)動作。
這些電氣特性參數(shù)相互關(guān)聯(lián),共同影響著 LTC7067 在實(shí)際應(yīng)用中的性能表現(xiàn)。例如,輸入電源和 (V_{CC}) 電源的電壓范圍決定了驅(qū)動器能夠適應(yīng)的電源條件;柵極驅(qū)動器電源的參數(shù)則影響著對 MOSFET 的驅(qū)動能力;輸入信號的閾值和下拉電阻保證了輸入信號的穩(wěn)定性和可靠性;故障指示參數(shù)方便了系統(tǒng)對故障的檢測和處理;開關(guān)時(shí)間參數(shù)則直接關(guān)系到 MOSFET 的開關(guān)速度和效率。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,綜合考慮這些參數(shù),以確保驅(qū)動器能夠正常、高效地工作。
四、工作原理剖析
整體架構(gòu)
LTC7067 有兩個(gè)接地參考的低電壓數(shù)字信號輸入,分別控制兩個(gè) N 溝道高端功率 MOSFET 的開關(guān)狀態(tài)。輸出 G1 和 G2 分別在 (G1V{CC}) - G1RTN 和 (G2V{CC}) - G2RTN 之間擺動,每個(gè)通道可獨(dú)立控制,實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)或非互補(bǔ)開關(guān)。
(V_{CC}) 電源
(V{CC}) 為內(nèi)部電路供電,會產(chǎn)生一個(gè) 4.5V 的內(nèi)部電源來偏置所有內(nèi)部電路。若 SGND 和 G2RTN 電位相同,(V{CC}) 可與 (G2V{CC}) 相連,且 (V{CC}) 與輸入電壓 (V_{IN}) 相互獨(dú)立。
輸入級
采用固定過渡閾值的邏輯輸入。當(dāng) G1IN 電壓大于 (V{IH(G1IN)}) 時(shí),G1 被拉高,外部 MOSFET 導(dǎo)通;當(dāng) G1IN 電壓低于 (V{IL(G1IN)}) 時(shí),MOSFET 關(guān)斷。G2IN 同理。輸入的滯后特性可消除開關(guān)過渡中的噪聲誤觸發(fā),但在高頻、高壓應(yīng)用中仍需注意輸入引腳的抗干擾措施。當(dāng)輸入引腳浮空時(shí),內(nèi)部下拉電阻會使輸出默認(rèn)保持低電平。此外,G1IN 和 G2IN 還可用于開關(guān)調(diào)節(jié)器應(yīng)用中的不連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)控制。
輸出級
輸出級對稱且具有浮動?xùn)艠O驅(qū)動器輸出。上拉器件為 P 溝道 MOSFET,典型 (R{DS(ON)}) 為 1.5Ω;下拉器件為 N 溝道 MOSFET,典型 (R{DS(ON)}) 為 0.8Ω。寬驅(qū)動電源電壓范圍(4V - 14V)可驅(qū)動不同類型的功率 MOSFET,不過該驅(qū)動器針對高閾值 MOSFET 進(jìn)行了優(yōu)化。較低的驅(qū)動電源電壓可能會導(dǎo)致上拉和下拉電阻增大。其典型的電阻值在 10V 驅(qū)動電源下可等效為 3A 峰值上拉電流和 6A 峰值下拉電流,能夠快速驅(qū)動 3nF 負(fù)載,實(shí)現(xiàn) 18ns 的上升時(shí)間,有效降低 MOSFET 的開關(guān)損耗。
保護(hù)電路
- 過溫保護(hù):當(dāng)結(jié)溫達(dá)到約 180°C 時(shí),進(jìn)入熱關(guān)斷模式,G1 和 G2 分別拉至 G1RTN 和 G2RTN;結(jié)溫降至 165°C 以下時(shí),恢復(fù)正常工作。雖然過溫水平未進(jìn)行生產(chǎn)測試,但器件保證在 150°C 以下正常工作。
- 欠壓/過壓鎖定:監(jiān)測 (V{CC}) 電源,當(dāng) (V{CC}) 低于 4.3V 或高于 14.6V 時(shí),G1 和 G2 拉低,關(guān)閉外部 MOSFET;當(dāng) (V{CC}) 恢復(fù)正常時(shí),恢復(fù)工作。同時(shí),每個(gè)浮動驅(qū)動器電源也有欠壓鎖定電路,當(dāng) (G1V{CC}) - G1RTN 或 (G2V_{CC}) - G2RTN 低于 3.3V 時(shí),相應(yīng)輸出拉低。
故障標(biāo)志
FLT 引腳連接內(nèi)部 N 溝道 MOSFET 的漏極,需外接上拉電阻。當(dāng)出現(xiàn) (V_{CC}) 欠壓/過壓、浮動電源欠壓或結(jié)溫過高時(shí),F(xiàn)LT 引腳立即拉低至 SGND;所有故障清除后,經(jīng)過 100μs 延遲,由外部電阻上拉。
保護(hù)電路和故障標(biāo)志對于 LTC7067 的正常運(yùn)行和系統(tǒng)的可靠性至關(guān)重要。保護(hù)電路能夠在出現(xiàn)過溫、欠壓、過壓等異常情況時(shí),及時(shí)采取措施保護(hù)器件和外部 MOSFET,避免因異常情況導(dǎo)致的器件損壞和系統(tǒng)故障。例如,過溫保護(hù)可以防止器件在高溫環(huán)境下長時(shí)間工作,延長器件的使用壽命;欠壓/過壓鎖定可以確保 (V_{CC}) 電源在正常范圍內(nèi),保證驅(qū)動器的穩(wěn)定工作。
故障標(biāo)志 FLT 引腳則為系統(tǒng)提供了一種簡單有效的故障檢測方式。通過監(jiān)測 FLT 引腳的狀態(tài),系統(tǒng)可以及時(shí)發(fā)現(xiàn)故障并采取相應(yīng)的處理措施,如報(bào)警、切斷電源等。這有助于提高系統(tǒng)的可靠性和安全性,減少故障對系統(tǒng)造成的損失。在實(shí)際應(yīng)用中,你是否充分利用了 LTC7067 的保護(hù)電路和故障標(biāo)志來保障系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行呢?
五、應(yīng)用信息與注意事項(xiàng)
自舉電源
(G2V{CC}) - G2RTN 和 (G1V{CC}) - G1RTN 可以采用自舉電源。外部升壓電容 (C{B}) 連接在相應(yīng)的引腳之間,為 MOSFET 驅(qū)動器提供柵極驅(qū)動電壓。為了確保外部 MOSFET 能夠完全導(dǎo)通,(C{B}) 的電容值至少應(yīng)為柵極電荷 (Q{G}) 的 10 倍。一般情況下,(C{B}) 取 0.1μF 即可滿足大多數(shù)應(yīng)用需求;若并聯(lián)多個(gè) MOSFET,則需相應(yīng)增大 (C{B}) 的電容值,滿足 (C{B}>frac{10 cdot 外部 MOSFET Q{G}}{1 V})。同時(shí),需要一個(gè)外部電源(通常是 (V{CC}) 通過肖特基二極管連接)來為 (C{B}) 充電,因?yàn)?LTC7067 本身不會為 (C{B}) 充電,且在工作時(shí)會使 (C_{B}) 放電。
功率耗散
為保證器件正常工作和長期可靠性,需確保 LTC7067 的工作溫度不超過最大額定值。可以通過公式 (T{J}=T{A}+(P{D})(theta{JA})) 計(jì)算封裝結(jié)溫,其中 (T{J}) 為結(jié)溫,(T{A}) 為環(huán)境溫度,(P{D}) 為功率耗散,(theta{JA}) 為結(jié)到環(huán)境的熱阻。功率耗散 (P{D}) 由靜態(tài)、開關(guān)和電容負(fù)載功率損耗組成,即 (P{D}=P{DC}+P{AC}+P{QG})。在 (V{CC}=10V) 時(shí),靜態(tài)功率損耗僅為 3mW;在特定開關(guān)頻率下,內(nèi)部功率損耗會因內(nèi)部節(jié)點(diǎn)電容的充放電和內(nèi)部邏輯門的交叉導(dǎo)通電流而增加;柵極電荷損耗主要是由于開關(guān)過程中外部 MOSFET 電容的充放電產(chǎn)生的大交流電流引起的。在典型的同步降壓配置中,負(fù)載損耗可以近似為 (P{CLOAD } approx 2(C{LOAD })(f{IN })(V{CC})^{2})。
旁路和接地
由于 LTC7067 具有高速開關(guān)(納秒級)和大交流電流(安培級)的特點(diǎn),需要在 (V{CC})、(VG1V{CC}-G1RTN) 和 (VG2V_{CC}-G2RTN) 電源上進(jìn)行適當(dāng)?shù)呐月诽幚?。在?shí)際設(shè)計(jì)中,應(yīng)注意以下幾點(diǎn):
- 電容放置:將旁路電容盡可能靠近 (V{CC}) 和 SGND、(G2V{CC}) 和 G2RTN、(G1V_{CC}) 和 G1RTN 引腳放置,并盡量縮短引腳長度,以減少引腳電感。
- 接地設(shè)計(jì):使用低電感、低阻抗的接地平面,減少接地壓降和雜散電容。因?yàn)?LTC7067 會產(chǎn)生大于 5A 的峰值電流,顯著的接地壓降會降低信號完整性。
- 布線規(guī)劃:仔細(xì)規(guī)劃電源/接地布線,明確大負(fù)載開關(guān)電流的流向,為輸入引腳和輸出功率級保持獨(dú)立的接地返回路徑。
- Kelvin 連接:將 G1 引腳與 G1 MOSFET 柵極、G1RTN 引腳與 G1 MOSFET 源極進(jìn)行 Kelvin 連接;同理,對 G2 引腳和 G2 MOSFET 進(jìn)行連接。保持驅(qū)動器輸出引腳與負(fù)載之間的銅跡線短而寬。
- 散熱處理:務(wù)必將 LTC7067 封裝背面的裸露焊盤焊接到電路板上,以確保良好的熱接觸,否則熱阻會遠(yuǎn)大于規(guī)格值。
六、典型應(yīng)用與相關(guān)產(chǎn)品
典型應(yīng)用:雙輸出升壓轉(zhuǎn)換器
LTC7067 可用于雙輸出升壓轉(zhuǎn)換器電路中。在這個(gè)典型應(yīng)用中,輸入電壓 (V{IN1}) 為 10V,輸出電壓 (V{OUT1}) 可達(dá)到 60V;輸入電壓 (V{IN2}) 為 20V,輸出電壓 (V{OUT2}) 可達(dá)到 80V。(V_{CC}) 電源為 10V,為驅(qū)動器提供偏置。通過控制 G1IN 和 G2IN 引腳的輸入信號(例如來自微控制器 (mu C) 的信號),可以獨(dú)立控制兩個(gè) N 溝道 MOSFET 的導(dǎo)通和關(guān)斷,從而實(shí)現(xiàn)雙輸出的升壓功能。這種應(yīng)用場景展示了 LTC7067 在高壓、雙輸出電源系統(tǒng)中的強(qiáng)大驅(qū)動能力和靈活性。
相關(guān)產(chǎn)品
| ADI 公司還提供了一系列與 LTC7067 相關(guān)的產(chǎn)品,這些產(chǎn)品在不同的應(yīng)用場景中各有優(yōu)勢,以下為你列舉部分產(chǎn)品及其特點(diǎn): | 產(chǎn)品型號 | 描述 | 特點(diǎn) |
|---|---|---|---|
| LTC7060 | 100V 半橋驅(qū)動器,帶浮動接地和可編程死區(qū)時(shí)間 | 最高 100V 電源電壓,6V ≤ (V_{CC}) ≤ 14V,0.8Ω 下拉、1.5Ω 上拉,對稱浮動?xùn)艠O驅(qū)動器架構(gòu),死區(qū)時(shí)間可在 31ns 至 76ns 之間調(diào)節(jié) | |
| LTC7061 | 100V 半橋柵極驅(qū)動器,帶浮動接地和可調(diào)死區(qū)時(shí)間 | 最高 100V 電源電壓,5V ≤ (V_{CC}) ≤ 14V,0.8Ω 下拉、1.5Ω 上拉,兩個(gè)輸入,對稱浮動?xùn)艠O驅(qū)動器架構(gòu),死區(qū)時(shí)間可在 31ns 至 76ns 之間調(diào)節(jié) | |
| LTC7063 | 150V 半橋驅(qū)動器,帶浮動接地和可編程死區(qū)時(shí)間 | 最高 150V 電源電壓,6V ≤ (V_{CC}) ≤ 14V,0.8Ω 下拉、1.5Ω 上拉,對稱浮動?xùn)艠O驅(qū)動器架構(gòu),死區(qū)時(shí)間可在 31ns 至 76ns 之間調(diào)節(jié) | |
| LTC4449 | 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 | 最高 38V 電源電壓,4V ≤ (V_{CC}) ≤ 6.5V,自適應(yīng)直通保護(hù),2mm × 3mm DFN - 8 封裝 | |
| LTC4442/LTC4442 - 1 | 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 | 最高 38V 電源電壓,6V ≤ (V_{CC}) ≤ 9.5V,2.4A 峰值上拉/5A 峰值下拉電流 |
在實(shí)際設(shè)計(jì)中,你可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求,如電源電壓范圍、是否需要死區(qū)時(shí)間控制、驅(qū)動電流大小等,從這些相關(guān)產(chǎn)品中選擇最合適的驅(qū)動器。例如,如果需要更高的電源電壓和可編程死區(qū)時(shí)間,LTC7063 可能是一個(gè)不錯(cuò)的選擇;如果對尺寸有嚴(yán)格要求,LTC4449 的小封裝則更具優(yōu)勢。
綜上所述,LTC7067 是一款性能出色、功能豐富的雙高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動器,適用于多種高壓、高速開關(guān)電源應(yīng)用。在設(shè)計(jì)過程中,電子工程師需要充分了解其特性和應(yīng)用注意事項(xiàng),結(jié)合具體的應(yīng)用場景進(jìn)行合理設(shè)計(jì),以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行和高性能表現(xiàn)。你在使用 LTC7067 或類似驅(qū)動器的過程中,是否遇到過一些獨(dú)特的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。
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