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詳解MAX17613C:多功能電源保護(hù)芯片

h1654155282.3538 ? 2026-02-08 09:40 ? 次閱讀
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詳解MAX17613A/MAX17613B/MAX17613C:多功能電源保護(hù)芯片

電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作里,電源保護(hù)一直是至關(guān)重要的一環(huán)。一款性能出色的保護(hù)芯片能夠顯著提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性,降低故障發(fā)生的概率。今天我們就來深入探討一款優(yōu)秀的電源保護(hù)芯片——MAX17613A/MAX17613B/MAX17613C。

文件下載:MAX17613C.pdf

產(chǎn)品概述

MAX17613A/MAX17613B/MAX17613C屬于Olympus系列集成電路,是業(yè)界體積最小且最為堅(jiān)固的集成系統(tǒng)保護(hù)解決方案。它們是可調(diào)式過壓和過流保護(hù)器件,能夠?yàn)橄到y(tǒng)提供高達(dá) +60V 和 -65V 的正、負(fù)輸入電壓故障保護(hù),并且采用了導(dǎo)通電阻(RON)低至 130mΩ(典型值)的 FET,有效降低了功耗和電壓降。

產(chǎn)品特性分析

  • 寬輸入電壓范圍:支持 4.5V 至 60V 的寬輸入電壓范圍,使得該芯片能夠適應(yīng)多種不同的電源環(huán)境,無論是低壓還是高壓系統(tǒng)都能穩(wěn)定工作。而且具備高達(dá) -65V 的負(fù)輸入電壓耐受性,增強(qiáng)了系統(tǒng)在異常電壓情況下的安全性。
  • 過壓和欠壓保護(hù):可調(diào)輸入過壓保護(hù)范圍為 5.5V 至 60V,可調(diào)輸入欠壓保護(hù)范圍為 4.5V 至 59V。工程師可以通過外部電阻輕松設(shè)置過壓鎖定(OVLO)和欠壓鎖定(UVLO)閾值,實(shí)現(xiàn)個(gè)性化的保護(hù)需求。內(nèi)部還設(shè)有 4.2V(典型值)的輸入欠壓閾值,提供雙重保障。
  • 編程電流限制:最大可編程電流限制高達(dá) 3A,通過在 SETI 引腳與地之間連接一個(gè)電阻,就能方便地設(shè)置電流限制閾值。當(dāng)設(shè)備電流達(dá)到設(shè)定閾值時(shí),芯片會(huì)通過調(diào)節(jié) FET 電阻來限制電流的進(jìn)一步增加,有效控制啟動(dòng)時(shí)對大電容充電的浪涌電流。同時(shí),芯片還支持三種不同的限流模式:自動(dòng)重試、連續(xù)和鎖存關(guān)斷模式,以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
  • 反向電流保護(hù):MAX17613A 和 MAX17613C 能夠阻止電流反向流動(dòng)(即從輸出端到輸入端),而 MAX17613B 則允許反向電流流動(dòng),工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求選擇合適的型號(hào)。
  • 熱關(guān)斷保護(hù):具備熱關(guān)斷保護(hù)功能,當(dāng)芯片功耗過大導(dǎo)致溫度過高時(shí),會(huì)自動(dòng)關(guān)斷以防止過熱損壞,提高了芯片的可靠性和穩(wěn)定性。

應(yīng)用場景廣泛

該系列芯片的應(yīng)用場景非常豐富,包括傳感器系統(tǒng)、狀態(tài)監(jiān)測、工廠傳感器、過程儀表、稱重和配料系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用,以及 PLC、控制網(wǎng)絡(luò)模塊、電池供電模塊等設(shè)備。

關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)

絕對最大額定值

項(xiàng)目 數(shù)值
IN 到 GND(MAX17613A 和 MAX17613C) -65V 至 +65V
IN 到 GND(MAX17613B) -0.3V 至 +65V
IN 到 OUT(MAX17613A 和 MAX17613C) -65V 至 +65V
IN 到 OUT(MAX17613B) -0.3V 至 +65V
OUT 到 GND -0.3V 至 +65V
其他引腳電壓限制 詳見文檔
IN 電流(DC 3.3A
SETI 到 GND -0.3V 至 +1.6V

電氣特性

各項(xiàng)電氣特性參數(shù)在不同條件下都有明確的規(guī)定,例如在 -40°C 至 +125°C 的溫度范圍內(nèi),輸入電壓范圍為 4.5V 至 60V 時(shí),各參數(shù)表現(xiàn)穩(wěn)定。典型值測試條件為 (V{IN}=+24V),(T{A}=+25°C),(R_{SETI}=1.5kΩ)。

設(shè)計(jì)要點(diǎn)及注意事項(xiàng)

引腳功能與連接

芯片的每個(gè)引腳都有其特定的功能,例如:

  • IN 引腳:輸入引腳,需使用低 ESR 陶瓷電容增強(qiáng) ESD 保護(hù)。
  • UVLO 和 OVLO 引腳:用于調(diào)節(jié)欠壓和過壓鎖定閾值,通過連接外部電阻分壓器來實(shí)現(xiàn)。
  • SETI 引腳:用于設(shè)置過流限制閾值和監(jiān)測電流,連接一個(gè)電阻到地即可設(shè)置過流限制。但要注意不要連接超過 10pF 的電容到該引腳,以免影響測量精度。
  • EN 引腳:高電平有效使能輸入,內(nèi)部上拉至 1.8V,若不連接則設(shè)備始終處于開啟狀態(tài)。

功能實(shí)現(xiàn)與設(shè)置

  • 欠壓鎖定(UVLO):通過連接外部電阻分壓器到 UVLO 引腳,可根據(jù)公式 (V{UVLO }=V{UVLOR } timesleft[1+frac{R 1}{R 2}right]) 來調(diào)節(jié)欠壓鎖定閾值。要注意外部電阻分壓器設(shè)置的閾值不能低于內(nèi)部 UVLO 閾值。
  • 過壓鎖定(OVLO):同理,連接外部電阻分壓器到 OVLO 引腳,使用公式 (V{OVLO }=V{OVLOR } timesleft[1+frac{R 3}{R 4}right]) 調(diào)節(jié)過壓鎖定閾值。MAX17613C 不具備過壓保護(hù)功能。
  • 電流限制設(shè)置:可通過公式 (R{SETI }=frac{4500}{I{LIM}}) 計(jì)算設(shè)置電流限制的電阻值,其中 (I{LIM}) 為所需的電流限制(mA),(R{SETI}) 單位為 kΩ,且 (R_{SETI}) 不能低于 1.5kΩ。
  • 啟動(dòng)消隱時(shí)間編程:通過在 TSTART 引腳與地之間連接一個(gè)電容來編程啟動(dòng)消隱時(shí)間 (t{TSTART}),公式為 (t{TSTART }=frac{C_{TSTART }}{5 mu} × 1.5)。若 TSTART 引腳未連接或在啟動(dòng)時(shí) 100μs 內(nèi)電壓達(dá)到 1.5V,則啟動(dòng)消隱時(shí)間默認(rèn)為 100ms。
  • 電流限制模式選擇:CLMODE 引腳用于選擇過流響應(yīng)模式,可通過連接不同電阻或不連接來選擇連續(xù)、自動(dòng)重試或鎖存關(guān)斷模式。

實(shí)際應(yīng)用中的注意事項(xiàng)

  • 電容選擇與布局:IN 引腳建議連接 0.47μF 電容到地,以保持輸入電壓穩(wěn)定;OUT 引腳連接的電容值需根據(jù)電流限制設(shè)置、啟動(dòng)時(shí)間和輸入電壓計(jì)算得出,過大的電容值可能會(huì)觸發(fā)誤過流保護(hù)。同時(shí),要將輸入和輸出電容盡量靠近芯片放置,減少寄生電感的影響。
  • 熱設(shè)計(jì):在設(shè)計(jì) PCB 時(shí),要注意芯片的散熱問題。將芯片的裸露焊盤通過多個(gè)熱過孔連接到大面積的接地平面,可有效提高散熱效率,降低芯片溫度。
  • ESD 保護(hù):盡管芯片具備一定的 ESD 保護(hù)能力,但在實(shí)際應(yīng)用中,還是建議在 IN 引腳使用 0.47μF 低 ESR 陶瓷電容旁路到地,以增強(qiáng) ESD 抵抗能力。

總結(jié)

MAX17613A/MAX17613B/MAX17613C 系列芯片以其豐富的保護(hù)功能、靈活的設(shè)計(jì)選項(xiàng)和廣泛的應(yīng)用場景,為電子工程師在電源保護(hù)設(shè)計(jì)方面提供了一個(gè)優(yōu)秀的解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求,合理設(shè)置各項(xiàng)參數(shù),注意 PCB 布局和散熱設(shè)計(jì)等問題,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。希望通過本文的介紹,能夠幫助大家更好地了解和使用這款芯片。你在使用類似芯片時(shí)遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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