1 、引言

晶圓作為半導體器件制造的核心基材，其表面質(zhì)量直接決定芯片制備良率與器件性能。在晶圓切割、拋光、清洗等制程中，易產(chǎn)生劃痕、凹陷、凸起、殘留顆粒等納米級缺陷，這些缺陷會導致后續(xù)光刻圖案轉(zhuǎn)移失真、薄膜沉積不均，進而引發(fā)器件漏電、功能失效。傳統(tǒng)二維測量方法難以精準捕捉納米級缺陷的三維輪廓特征，無法滿足先進制程晶圓的嚴苛質(zhì)量管控需求。3D白光干涉儀憑借非接觸測量特性、亞納米級分辨率及全域三維形貌重建能力，可快速精準獲取晶圓表面納米級缺陷的完整光學3D輪廓，為晶圓制程優(yōu)化與質(zhì)量篩選提供可靠數(shù)據(jù)支撐。本文重點探討3D白光干涉儀在晶圓表面納米級缺陷光學3D輪廓測量中的應用。

2、 3D白光干涉儀測量原理

3D白光干涉儀以寬光譜白光為光源，經(jīng)分束器分為參考光與物光兩路。參考光射向固定參考鏡反射，物光經(jīng)高數(shù)值孔徑物鏡聚焦后照射至晶圓表面，反射光沿原路徑返回并與參考光匯交產(chǎn)生干涉條紋。因白光相干長度極短（僅數(shù)微米），僅在光程差接近零時形成清晰干涉條紋。通過壓電陶瓷驅(qū)動裝置帶動參考鏡進行精密掃描，高靈敏度探測器同步采集干涉條紋強度變化，形成干涉信號包絡曲線，曲線峰值位置精準對應晶圓表面及缺陷各點的三維坐標。結(jié)合全域掃描拼接與缺陷輪廓擬合技術(shù)，可完整重建晶圓表面納米級缺陷的全域光學3D輪廓，精準提取缺陷深度、寬度、高度、體積等核心參數(shù)，其垂直分辨率可達0.1 nm，適配納米級缺陷的高精度測量需求。

3、 3D白光干涉儀在晶圓納米級缺陷測量中的應用

3.1 納米級缺陷光學3D輪廓精準重建與參數(shù)提取

針對晶圓表面納米級缺陷（尺寸范圍5 nm-500 nm）的光學3D輪廓測量需求，3D白光干涉儀可通過優(yōu)化測量策略實現(xiàn)精準表征。測量時，根據(jù)晶圓尺寸（8英寸/12英寸）與缺陷預估尺寸，選取適配物鏡倍率與掃描范圍，對晶圓表面進行全域或局部高精度掃描，通過三維點云拼接技術(shù)重建缺陷完整的光學3D輪廓。采用缺陷特征提取算法，自動區(qū)分劃痕、凹陷、凸起等缺陷類型，精準計算劃痕的深度、長度、寬度，凹陷/凸起的高度/深度、體積等核心參數(shù)。實驗數(shù)據(jù)表明，其缺陷深度測量誤差≤0.5 nm，寬度測量誤差≤2 nm，可有效捕捉拋光壓力、清洗工藝參數(shù)波動導致的缺陷形態(tài)變化，為制程優(yōu)化提供精準量化依據(jù)，同時支持整片晶圓的缺陷分布與密度統(tǒng)計。

3.2 微小缺陷的高效識別與篩選

晶圓表面的微小缺陷（如10 nm級殘留顆粒、淺劃痕）易被傳統(tǒng)測量方法遺漏，卻可能對先進制程芯片造成致命影響。3D白光干涉儀憑借高靈敏度干涉信號檢測能力，可實現(xiàn)微小缺陷的高效識別。通過設定缺陷閾值（如深度≥5 nm、寬度≥10 nm），系統(tǒng)可自動篩選出不合格缺陷，并標記其位置坐標。結(jié)合缺陷形態(tài)分析，可追溯缺陷來源：如淺劃痕多與拋光墊磨損相關，殘留顆粒則與清洗工藝潔凈度不足有關。例如，當檢測到晶圓表面密集的10-20 nm級殘留顆粒時，可反饋調(diào)整清洗工藝的超聲功率與清洗劑配比，提升晶圓表面潔凈度。

相較于掃描電子顯微鏡的破壞性測量與真空環(huán)境限制，3D白光干涉儀的非接觸測量模式可避免損傷晶圓表面，且適配大氣環(huán)境下的快速檢測；相較于原子力顯微鏡的點掃描低效率缺陷，其具備更快的全域掃描速度（12英寸晶圓局部重點區(qū)域測量時間≤10 s），可滿足半導體產(chǎn)業(yè)化批量檢測需求。通過為晶圓表面納米級缺陷提供全面、精準的光學3D輪廓測量數(shù)據(jù)及高效篩選功能，3D白光干涉儀可助力構(gòu)建先進制程晶圓的嚴格質(zhì)量管控體系，提升芯片制備良率，為半導體產(chǎn)業(yè)向更高精度制程發(fā)展提供關鍵技術(shù)支撐。

大視野 3D 白光干涉儀：納米級測量全域解決方案?

突破傳統(tǒng)局限，定義測量新范式！大視野 3D 白光干涉儀憑借創(chuàng)新技術(shù)，一機解鎖納米級全場景測量，重新詮釋精密測量的高效精密。

三大核心技術(shù)革新?

1）智能操作革命：告別傳統(tǒng)白光干涉儀復雜操作流程，一鍵智能聚焦掃描功能，輕松實現(xiàn)亞納米精度測量，且重復性表現(xiàn)卓越，讓精密測量觸手可及。?

2）超大視野 + 超高精度：搭載 0.6 倍鏡頭，擁有 15mm 單幅超大視野，結(jié)合 0.1nm 級測量精度，既能滿足納米級微觀結(jié)構(gòu)的精細檢測，又能無縫完成 8 寸晶圓 FULL MAPPING 掃描，實現(xiàn)大視野與高精度的完美融合。?

3）動態(tài)測量新維度：可集成多普勒激光測振系統(tǒng)，打破靜態(tài)測量邊界，實現(xiàn) “動態(tài)” 3D 輪廓測量，為復雜工況下的測量需求提供全新解決方案。?

實測驗證硬核實力?

1）硅片表面粗糙度檢測：憑借優(yōu)于 1nm 的超高分辨率，精準捕捉硅片表面微觀起伏，實測粗糙度 Ra 值低至 0.7nm，為半導體制造品質(zhì)把控提供可靠數(shù)據(jù)支撐。?

（以上數(shù)據(jù)為新啟航實測結(jié)果）

有機油膜厚度掃描：毫米級超大視野，輕松覆蓋 5nm 級有機油膜，實現(xiàn)全區(qū)域高精度厚度檢測，助力潤滑材料研發(fā)與質(zhì)量檢測。?

高深寬比結(jié)構(gòu)測量：面對深蝕刻工藝形成的深槽結(jié)構(gòu)，展現(xiàn)強大測量能力，精準獲取槽深、槽寬數(shù)據(jù)，解決行業(yè)測量難題。?

分層膜厚無損檢測：采用非接觸、非破壞測量方式，對多層薄膜進行 3D 形貌重構(gòu)，精準分析各層膜厚分布，為薄膜材料研究提供無損檢測新方案。?

新啟航半導體，專業(yè)提供綜合光學3D測量解決方案！

審核編輯 黃宇