在儲能變流器向更高功率密度、更高效率演進的技術(shù)趨勢下，功率半導體模塊的封裝性能已成為系統(tǒng)級優(yōu)化的關(guān)鍵制約因素。為此，我們正式推出專為儲能PCS平臺開發(fā)的LE2系列功率模塊,以先進的封裝架構(gòu)與材料工藝，為下一代儲能系統(tǒng)提供核心功率轉(zhuǎn)換解決方案。

基于LE2封裝 200A 750V INPC 模塊

隨著1000V系統(tǒng)架構(gòu)在儲能領(lǐng)域的普及，PCS功率等級持續(xù)提升，對功率模塊提出更嚴峻要求：

◆熱管理瓶頸：提升開關(guān)頻率與功率密度導致模塊熱通量顯著增加

◆ 電氣應力：更高的直流母線電壓對模塊絕緣與動態(tài)均壓提出挑戰(zhàn)

◆ 可靠性需求：儲能系統(tǒng)長期連續(xù)運行工況對功率循環(huán)與溫度循環(huán)壽命要求嚴苛

◆ 系統(tǒng)集成：需要模塊在有限體積內(nèi)實現(xiàn)更優(yōu)的電氣隔離與散熱路徑

產(chǎn)品介紹

金蘭功率半導體（無錫）有限公司于上述技術(shù)痛點進行正向開發(fā),推出適用于125KW儲能PCS的產(chǎn)品：JL3I200V75SE2E7SN， 適用于135KW 儲能PCS的產(chǎn)品：JL3I200V75SE2E7SS 均采用金蘭LE2 封裝（兼容Easy 2B封裝），目前已通過客戶測試，進行批量供應階段。JL3I300V75SE2E8SS為高性能衍生型號，預期能達到145KW,目前也已產(chǎn)出樣品。

POD(對標Infineon同型號產(chǎn)品)

核心技術(shù)

◆ 優(yōu)異的動靜態(tài)參數(shù)，低壓降、低動態(tài)損耗，適配高頻高功率應用場景

◆ 通過全套芯片級&封裝級可靠性驗證

◆ 低翹曲及優(yōu)異底面導熱硅脂涂覆效果

◆ 選用高散熱封裝材料，改善散熱，保證輸出功率

混封模塊125KW工況仿真對比

（基于結(jié)到散熱器熱阻）

◆ 效率提升：更低的Vce(sat)與開關(guān)損耗可提升全負載區(qū)間效率

◆ 功率密度優(yōu)化：優(yōu)異的散熱表現(xiàn)允許更高電流輸出或更緊湊散熱設計

◆ 系統(tǒng)成本降低：高集成度減少外圍元件數(shù)量，簡化熱管理設計復雜度

應用領(lǐng)域

◆ 光伏、儲能

◆ 其他三電平應用

如需進一步了解更多產(chǎn)品，可關(guān)注金蘭半導體官網(wǎng)http://www.jinlanpower.com/以獲得更新的產(chǎn)品信息，金蘭功率半導體亦可為您提供更貼合貴公司的產(chǎn)品和定制化服務，歡迎垂詢。

關(guān)于我們

金蘭功率半導體（無錫）有限公司成立于2021年，系無錫新潔能股份有限公司（股票代碼：605111）子公司，致力于功率半導體模塊的研發(fā)與制造，應用市場覆蓋汽車、光伏及工業(yè)等領(lǐng)域。

公司秉承“質(zhì)量第一，客戶至上”的經(jīng)營理念，以科技創(chuàng)新為動力，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的技術(shù)服務和高性價比的產(chǎn)品，與廣大客戶和行業(yè)同仁一起合作共贏共享發(fā)展。