基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor)碳化硅(SiC)MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)(包含 650V 的 AB3M025065CQ 和 1200V 的 AB3M040120CQ),這兩款器件均采用了先進(jìn)的 QDPAK 封裝。
QDPAK 是一種專為**頂部散熱(Top-Side Cooling, TSC)**設(shè)計(jì)的表面貼裝(SMD)封裝。它打破了傳統(tǒng) SMD 器件依賴 PCB 底部散熱的局限,將電氣連接與熱傳導(dǎo)路徑完全解耦。
傾佳電子力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET功率模塊,SiC模塊驅(qū)動(dòng)板,PEBB電力電子積木,Power Stack功率套件等全棧電力電子解決方案。?
傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)!
為了充分發(fā)揮該器件高頻、低阻、大電流的性能,并確保長(zhǎng)期的機(jī)械與電氣可靠性,以下為 QDPAK 封裝使用與機(jī)械安裝工程指南:
一、 引腳定義與 PCB 布局 (Layout) 指南
在進(jìn)行原理圖設(shè)計(jì)和 PCB 走線時(shí),正確處理各個(gè)引腳的功能至關(guān)重要:
Topside & Pin 12-22:漏極 (Drain)
特性:封裝頂部的超大裸露金屬墊不僅是唯一的熱量傳導(dǎo)平面,在電氣上也是漏極。底部引腳 12-22 同樣為漏極。
布局:雖然熱量從頂部散走,但底部引腳依然承載主功率電流,需敷設(shè)大面積銅箔。由于帶有 650V/1200V 高壓,必須保證漏極網(wǎng)絡(luò)與周邊低壓網(wǎng)絡(luò)之間有足夠的安全爬電距離(Creepage)。
Pin 1:柵極 (Gate)
驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端。
Pin 2:開爾文源極 (Kelvin Source)【極其關(guān)鍵】
作用:專為門極驅(qū)動(dòng)回路提供的獨(dú)立參考地。
走線強(qiáng)制要求:驅(qū)動(dòng)芯片的地線(Return)必須且只能直接連接到此引腳,絕不能與主功率源極(Pin 3-11)混連。
優(yōu)勢(shì):這能徹底消除幾十安培主電流流經(jīng)功率源極寄生電感時(shí)產(chǎn)生的電壓降(L cdot di/dt),防止高速開關(guān)時(shí)的誤導(dǎo)通和震蕩,顯著降低開關(guān)損耗。Pin 1 和 Pin 2 應(yīng)采用盡量短的平行差分走線。
Pin 3-11:功率源極 (Power Source)
連接到主電路,專門用于承載開關(guān)大電流。需鋪設(shè)大面積銅箔并通過(guò)多層過(guò)孔(Vias)連接,以降低線路阻抗和溫升。
二、 頂部散熱器機(jī)械安裝規(guī)范(核心重點(diǎn))

QDPAK 的熱量近乎 100% 從封裝頂部的金屬墊散發(fā)給上方的散熱器(如水冷板或擠鋁翅片)。安裝不當(dāng)極易導(dǎo)致器件燒毀,請(qǐng)嚴(yán)格遵循以下原則:
絕對(duì)的電氣絕緣防護(hù)(高壓危險(xiǎn))
警告:芯片頂部的金屬面是漏極,工作時(shí)帶有極具危險(xiǎn)的高壓和極高頻的跳變電壓(高 dv/dt)。而外部散熱器通常是接地的系統(tǒng)外殼。
必須使用界面材料(TIM):絕不能讓散熱器直接接觸芯片頂部。必須在兩者之間墊入高導(dǎo)熱且高絕緣耐壓的導(dǎo)熱界面材料。
推薦材料:氮化鋁 (AlN) / 氧化鋁陶瓷絕緣片(雙面涂抹極薄的導(dǎo)熱硅脂),或高性能的絕緣導(dǎo)熱相變材料 (PCM)、絕緣導(dǎo)熱硅膠墊。
高度公差吸收與間隙填充
數(shù)據(jù)手冊(cè)顯示器件厚度(尺寸 A)約為 2.30mm。當(dāng)一個(gè)大型平面的冷板同時(shí)壓住多個(gè) QDPAK 器件時(shí),由于器件制造公差、PCB 翹曲以及底部焊錫厚度的差異,各芯片頂部會(huì)有微小的高度落差。
所選用的導(dǎo)熱絕緣材料(TIM)必須具備一定的壓縮彈性和柔順性,以填補(bǔ)這些高度公差,確保每一個(gè)器件都能與散熱器緊密無(wú)縫貼合,避免個(gè)別芯片懸空導(dǎo)致熱失控。
均勻的機(jī)械壓接控制 (Clamping Force)
嚴(yán)禁剛性鎖死:絕對(duì)不能用螺絲將硬質(zhì)散熱器直接剛性鎖死在芯片背面。受力不均或壓力過(guò)大會(huì)直接壓裂芯片的塑封體,或者在熱脹冷縮的疲勞循環(huán)中扯斷底部的 SMT 焊點(diǎn)。
施壓方式:必須使用帶有彈簧墊圈的扣件、壓板或壓接彈片(Spring Clip),從正上方提供垂直、恒定、均勻的下壓力。業(yè)界一般推薦單顆器件的下壓力在 20N ~ 50N 之間(具體依據(jù)絕緣墊片廠商的壓縮曲線而定)。
PCB 支撐:在芯片周圍的 PCB 上必須設(shè)計(jì)剛性的金屬或絕緣支撐柱(Standoffs)。冷板鎖緊在支撐柱上,防止下壓時(shí)導(dǎo)致 PCB 板發(fā)生彎曲形變。
三、 SMT 貼片與焊接工藝建議
兼容標(biāo)準(zhǔn)工藝:器件引腳均為海鷗翼(Gull-wing)形狀,符合 RoHS 無(wú)鹵素環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),完全兼容標(biāo)準(zhǔn)的全自動(dòng) SMT 貼片和無(wú)鉛回流焊工藝(J-STD-020 標(biāo)準(zhǔn))。
釋放底層空間:與傳統(tǒng) D2PAK 封裝不同,QDPAK 底部沒(méi)有大面積的散熱裸露焊盤。這意味著:
極大地降低了底部焊接空洞(Voiding)的控制難度。
芯片正下方的 PCB 區(qū)域無(wú)需打密集的散熱過(guò)孔,該區(qū)域的 PCB 表層和內(nèi)層完全釋放,可用于布置其他信號(hào)走線或放置去耦電容,進(jìn)一步提升系統(tǒng)功率密度。
鋼網(wǎng)設(shè)計(jì):引腳共面度公差很?。ㄗ畲?0.15mm)。建議鋼網(wǎng)(Stencil)厚度控制在 0.12mm - 0.15mm,保證引腳擁有飽滿的爬錫量,以提供足夠的機(jī)械抗剪切力來(lái)抵抗頂部的下壓應(yīng)力。
審核編輯 黃宇
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