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TPS1686x:高效集成熱插拔(eFuse)解決方案深度解析

lhl545545 ? 2026-02-27 16:25 ? 次閱讀
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TPS1686x:高效集成熱插拔(eFuse)解決方案深度解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,電源管理和電路保護(hù)至關(guān)重要。德州儀器TI)的TPS1686x系列集成熱插拔(eFuse)器件,憑借其先進(jìn)特性和廣泛應(yīng)用場(chǎng)景,成為眾多工程師的首選。今天,我們就來深入剖析這款器件。

文件下載:tps1686.pdf

一、TPS1686x的核心特性

1. 寬輸入電壓范圍與強(qiáng)大耐壓能力

TPS1686x的輸入工作電壓范圍為9V至80V,絕對(duì)最大值達(dá)92V,且輸出端能承受高達(dá) -5V的負(fù)電壓。這種寬電壓范圍和耐壓能力,使其適用于多種不同的電源系統(tǒng)。

2. 低導(dǎo)通電阻集成FET

集成的FET具有低導(dǎo)通電阻,典型值 (R_{ON}) = 16mΩ。低導(dǎo)通電阻可減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率,尤其在高電流應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)明顯。

3. 靈活的保護(hù)與控制功能

  • 欠壓鎖定(UVLO)與過壓保護(hù):使能輸入為高電平有效,且欠壓鎖定閾值可調(diào)。過壓保護(hù)閾值同樣可調(diào),能有效應(yīng)對(duì)電源電壓異常。
  • 輸出壓擺率控制(dVdt):可調(diào)節(jié)輸出壓擺率,保護(hù)電路免受浪涌電流沖擊。通過公式 (SR(V / ms)=frac{I{INRUSH}(A)}{C{LOAD}(mF)}) 可計(jì)算限制浪涌電流所需的壓擺率,再用 (C{DVDT}(nF)=frac{50}{SR(V / ms)}) 計(jì)算產(chǎn)生該壓擺率所需的 (C{DVDT}) 電容值。
  • 精確的負(fù)載電流監(jiān)測(cè):負(fù)載電流監(jiān)測(cè)誤差小于3%(電流大于50%時(shí)),帶寬達(dá)1MHz,能為系統(tǒng)提供準(zhǔn)確的電流信息。
  • 強(qiáng)大的過流保護(hù):過流保護(hù)閾值可調(diào),范圍為1A至10A,精度為 ±3%(典型值)。還具備瞬態(tài)過流定時(shí)器(ITIMER),可支持峰值電流,對(duì)短路事件響應(yīng)迅速。
  • 過溫保護(hù)(OTP):帶有模擬管芯溫度監(jiān)測(cè)輸出(TEMP),能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片溫度,確保在高溫環(huán)境下正常工作。

    4. 故障指示與健康監(jiān)測(cè)

  • 故障指示引腳(FLT):出現(xiàn)故障時(shí)發(fā)出信號(hào),方便工程師及時(shí)排查問題。
  • 電源良好指示引腳(PGOOD):指示電源是否正常工作。
  • FET健康監(jiān)測(cè)與報(bào)告:可檢測(cè)FET的狀態(tài),保障系統(tǒng)可靠性。

二、應(yīng)用場(chǎng)景廣泛

TPS1686x適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,如服務(wù)器中的風(fēng)扇負(fù)載、輸入熱插拔和熱插拔、服務(wù)器和高性能計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)接口卡、圖形和硬件加速卡、數(shù)據(jù)中心交換機(jī)和路由器以及火災(zāi)報(bào)警控制面板等。在這些場(chǎng)景中,它能有效保護(hù)電路,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

三、工作原理與功能實(shí)現(xiàn)

1. 啟動(dòng)與運(yùn)行流程

TPS1686x通過監(jiān)測(cè)VDD和IN總線啟動(dòng)操作。當(dāng)電壓超過欠壓保護(hù)(UVP)閾值后,等待插入延遲定時(shí)器穩(wěn)定,然后根據(jù)EN/UVLO引腳狀態(tài)控制內(nèi)部MOSFET導(dǎo)通或關(guān)閉。啟動(dòng)成功后,持續(xù)監(jiān)測(cè)負(fù)載電流和輸入電壓,確保系統(tǒng)安全。

2. 保護(hù)機(jī)制詳解

  • 欠壓保護(hù):在VDD和VIN上實(shí)現(xiàn)欠壓鎖定,EN/UVLO引腳的UVLO比較器可外部調(diào)整欠壓保護(hù)閾值。通過電阻分壓器可設(shè)置UVLO設(shè)定點(diǎn),公式為 (V{IN(UV)}=V{UVLO(R)} frac{R{1}+R{2}}{R_{2}})。
  • 過流保護(hù):采用四級(jí)保護(hù)機(jī)制,包括可調(diào)壓擺率控制浪涌電流、啟動(dòng)時(shí)的固定電流限制、啟動(dòng)時(shí)的電流折返以及穩(wěn)態(tài)時(shí)的斷路器保護(hù)。斷路器保護(hù)閾值可調(diào),通過IMON引腳和IREF引腳設(shè)置,公式為 (I{OCP}=frac{V{IREF}}{G{IMON} × R{IMON}})。
  • 短路保護(hù):檢測(cè)到輸出短路時(shí),內(nèi)部快速跳閘比較器觸發(fā)快速保護(hù)序列,采用可擴(kuò)展閾值((I{SFT}))和固定閾值((I{FFT})),能快速切斷FET,保護(hù)電路安全。

四、應(yīng)用設(shè)計(jì)實(shí)例

以數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中54V風(fēng)扇負(fù)載保護(hù)為例,詳細(xì)介紹TPS1686x的應(yīng)用設(shè)計(jì)。

1. 設(shè)計(jì)要求

輸入電壓范圍為48.5V - 59.5V,最大直流負(fù)載電流為9A,最大輸出電容為100μF,需承受“熱短路”和“上電短路”情況,故障響應(yīng)為鎖存關(guān)閉。

2. 元件選擇與參數(shù)計(jì)算

  • (C_{DVDT}) 電容:為控制輸出壓擺率和啟動(dòng)時(shí)間,根據(jù)公式計(jì)算并選擇47nF電容。
  • (R_{IREF}) 電阻:設(shè)置過流保護(hù)參考電壓,計(jì)算后選擇40.2kΩ電阻。
  • (R_{IMON}) 電阻:設(shè)置穩(wěn)態(tài)過流和快速跳閘閾值,計(jì)算后選擇5.6kΩ電阻。
  • (C_{ITIMER}) 電容:設(shè)置過流消隱定時(shí)器,選擇4.7nF電容。
  • 電阻設(shè)置欠壓和過壓鎖定閾值:通過電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)設(shè)置,選擇合適的電阻值并添加陶瓷電容降噪。
  • R - C濾波器:在VIN和VDD之間使用150Ω電阻和0.22μF電容的濾波器,過濾電源噪聲。
  • TVS二極管肖特基二極管:用于吸收電壓尖峰,保護(hù)器件免受電氣過應(yīng)力(EOS)影響。
  • (C{IN}) 和 (C{OUT}) 電容:推薦在輸入和輸出端添加陶瓷旁路電容,穩(wěn)定電壓。

五、布局與設(shè)計(jì)建議

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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