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LM25069:正低壓功率限制熱插拔控制器詳解

lhl545545 ? 2026-02-28 14:35 ? 次閱讀
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LM25069:正低壓功率限制熱插拔控制器詳解

在電子設(shè)計領(lǐng)域,熱插拔控制器是保障系統(tǒng)穩(wěn)定運行和安全的關(guān)鍵組件。今天,我們就來深入探討德州儀器TI)推出的 LM25069 正低壓功率限制熱插拔控制器,看看它有哪些獨特的特性和應(yīng)用優(yōu)勢。

文件下載:lm25069.pdf

一、LM25069 概述

LM25069 是一款專為控制電路卡插入帶電背板或其他“熱”電源時的浪涌電流而設(shè)計的控制器。它能有效限制背板電源電壓的下降和施加到負載的電壓的 dV/dt,減少對系統(tǒng)中其他電路的影響,防止可能的意外復(fù)位。同時,在電路卡移除時,也能實現(xiàn)受控關(guān)機。

1.1 主要特性

  • 寬工作范圍:工作電壓范圍為 +2.9V 至 +17V,具有 20V 的瞬態(tài)能力。
  • 浪涌電流限制:確保安全地將電路板插入帶電電源,限制系統(tǒng)電壓下降和瞬態(tài)。
  • 編程功率耗散:可對外部串聯(lián) N 溝道 MOSFET 的最大功率耗散進行編程,使其在安全工作區(qū)(SOA)內(nèi)運行。
  • 可調(diào)電流限制:通過檢測電流檢測電阻上的電壓,實現(xiàn)對負載電流的精確控制。
  • 斷路器功能:在嚴重過流事件發(fā)生時,迅速切斷串聯(lián)通過器件,保護系統(tǒng)安全。
  • 內(nèi)部電荷泵柵極驅(qū)動:為外部 N 溝道 MOSFET 提供驅(qū)動電壓,增強其性能。
  • 可調(diào)欠壓和過壓鎖定:可設(shè)置欠壓鎖定(UVLO)和過壓鎖定(OVLO)閾值及滯回,確保系統(tǒng)在合適的電壓范圍內(nèi)工作。
  • 插入定時器和故障定時器:插入定時器允許系統(tǒng)連接后振鈴和瞬態(tài)平息;可編程故障定時器避免誤觸發(fā)。
  • POWER GOOD 輸出:指示輸出電壓是否在輸入電壓的 1.3V 范圍內(nèi),方便用戶監(jiān)控系統(tǒng)狀態(tài)。
  • 多種版本可選:有鎖存故障和自動重啟兩種版本可供選擇,滿足不同應(yīng)用需求。

1.2 應(yīng)用領(lǐng)域

  • 服務(wù)器背板系統(tǒng):保障服務(wù)器在熱插拔過程中的穩(wěn)定運行,減少對其他組件的影響。
  • 基站配電系統(tǒng):確?;倦娫吹目煽糠峙洌岣呦到y(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
  • 固態(tài)斷路器:實現(xiàn)對電路的快速保護,防止過流損壞設(shè)備。

二、引腳描述

LM25069 采用 10 引腳 VSSOP 封裝,各引腳功能如下: Pin # Name Description Applications Information
1 SENSE 電流檢測輸入 測量電流檢測電阻(RS)兩端的電壓,當電壓達到 50mV 時,限制負載電流并激活故障定時器。
2 VIN 正電源輸入 建議在該引腳附近放置一個小陶瓷旁路電容,以抑制負載電流關(guān)斷時產(chǎn)生的瞬態(tài)。
3 UVLO/EN 欠壓鎖定 通過外部電阻分壓器設(shè)置欠壓開啟閾值,內(nèi)部 20μA 電流源提供滯回。該引腳也可用于遠程關(guān)機控制。
4 OVLO 過壓鎖定 通過外部電阻分壓器設(shè)置過壓關(guān)閉閾值,內(nèi)部 20μA 電流源提供滯回。
5 GND 電路接地
6 TIMER 定時電容 連接外部電容,設(shè)置插入時間延遲、故障超時周期和 LM25069 - 2 的重啟定時。
7 PWR 功率限制設(shè)置 通過連接外部電阻,結(jié)合電流檢測電阻(RS),設(shè)置外部串聯(lián) MOSFET 允許的最大功率耗散。
8 PGD 電源良好指示 開漏輸出,當外部 MOSFET 的 VDS 低于 1.3V 時,PGD 指示有效(高電平);當 VDS 高于 1.9V 時,PGD 指示變?yōu)榈碗娖健?/td>
9 OUT 輸出反饋 連接到輸出軌(外部 MOSFET 源極),內(nèi)部用于確定 MOSFET 的 VDS 電壓以進行功率限制,并控制 PGD 指示。
10 GATE 柵極驅(qū)動輸出 連接到外部 MOSFET 的柵極,該引腳電壓限制在高于地 19.5V。

三、工作原理

3.1 上電序列

當 VIN 電壓最初升高時,GATE 引腳的內(nèi)部 260mA 下拉電流將外部 N 溝道 MOSFET(Q1)保持關(guān)斷狀態(tài),同時 TIMER 引腳初始保持接地。當 VIN 電壓達到 POR 閾值時,插入時間開始,TIMER 引腳的電容(CT)由 5.5μA 電流源充電,Q1 由 GATE 引腳的 2mA 下拉電流保持關(guān)斷。插入時間結(jié)束后,CT 被 2mA 下拉電流快速放電,當 VSYS 超過 UVLO 閾值時,GATE 引腳開啟 Q1。在浪涌限制期間,內(nèi)部 80μA 故障定時器電流源對 CT 充電,若 Q1 的功率耗散和輸入電流在 TIMER 引腳達到 1.72V 之前降至各自的限制閾值以下,80μA 電流源關(guān)閉,CT 由 2.5μA 電流吸收器放電。當 OUT 引腳電壓升高到輸入電壓的 1.3V 范圍內(nèi)時,浪涌限制結(jié)束,PGD 引腳變?yōu)楦唠娖健?/p>

3.2 柵極控制

電荷泵為 GATE 引腳提供電壓,增強 N 溝道 MOSFET 的柵極。在正常工作條件下,Q1 的柵極由內(nèi)部 20μA 電流源保持充電,GATE 引腳電壓(相對于地)由內(nèi)部 19.5V 齊納二極管限制。系統(tǒng)電壓最初施加時,GATE 引腳由 260mA 下拉電流保持低電平,防止 MOSFET 通過其漏 - 柵電容意外導(dǎo)通。插入時間內(nèi),GATE 引腳由 2mA 下拉電流保持低電平,確保 Q1 處于關(guān)斷狀態(tài)。浪涌限制期間,Q1 的柵極電壓被調(diào)制以保持電流或功率耗散不超過編程水平。若浪涌限制條件持續(xù),TIMER 引腳達到 1.72V 時,GATE 引腳被 2mA 下拉電流拉低,直到重新啟動。若系統(tǒng)輸入電壓低于 UVLO 閾值或高于 OVLO 閾值,GATE 引腳也會被 2mA 下拉電流拉低,關(guān)閉 Q1。

3.3 電流限制

當電流檢測電阻(RS)兩端的電壓(VIN 到 SENSE)達到 50mV 時,達到電流限制閾值。在電流限制條件下,GATE 電壓被控制以限制 MOSFET Q1 中的電流。電流限制電路激活時,故障定時器也會激活。若負載電流在故障超時周期結(jié)束前降至電流限制閾值以下,LM25069 恢復(fù)正常運行。為確保正常運行,RS 電阻值不應(yīng)大于 200mΩ,否則可能導(dǎo)致電流限制控制回路不穩(wěn)定。

3.4 斷路器功能

當負載電流迅速增加(如負載短路)時,電流檢測電阻(RS)中的電流可能在電流限制控制回路響應(yīng)之前超過電流限制閾值。若電流超過約兩倍的電流限制閾值(95mV/RS),GATE 引腳的 260mA 下拉電流將 Q1 迅速關(guān)閉,并開始故障超時周期。當 RS 兩端的電壓降至 95mV 以下時,GATE 引腳的 260mA 下拉電流關(guān)閉,Q1 的柵極電壓由電流限制或功率限制功能決定。若 TIMER 引腳在電流限制或功率限制條件停止之前達到 1.72V,GATE 引腳的 2mA 下拉電流將 Q1 關(guān)閉。

3.5 功率限制

LM25069 的一個重要特性是 MOSFET 功率限制。通過監(jiān)測 Q1 的漏 - 源電壓(SENSE 到 OUT)和通過電流檢測電阻(VIN 到 SENSE)的漏極電流,確定 Q1 的功率耗散。將電流和電壓的乘積與 PWR 引腳電阻編程的功率限制閾值進行比較,若功率耗散達到限制閾值,GATE 電壓被調(diào)制以調(diào)節(jié) Q1 中的電流。功率限制電路激活時,故障定時器也會激活。

3.6 故障定時器和重啟

當開啟時或由于故障條件達到電流限制或功率限制閾值時,Q1 的柵 - 源電壓被調(diào)制以調(diào)節(jié)負載電流和 Q1 中的功率耗散。任一限制功能激活時,80μA 故障定時器電流源對 TIMER 引腳的外部電容(CT)充電。若故障條件在故障超時周期內(nèi) TIMER 引腳達到 1.72V 之前消失,LM25069 返回正常運行模式,CT 由 2.5μA 電流吸收器放電。若 TIMER 引腳在故障超時周期內(nèi)達到 1.72V,GATE 引腳的 2mA 下拉電流將 Q1 關(guān)閉。后續(xù)的重啟程序取決于使用的 LM25069 版本:

  • LM25069 - 1:在故障超時周期結(jié)束時,GATE 引腳鎖定為低電平,CT 由 2.5μA 故障電流吸收器放電至地。GATE 引腳由 2mA 下拉電流保持低電平,直到通過外部控制(如循環(huán)輸入電壓或瞬間將 UVLO 引腳拉至閾值以下)啟動上電序列。
  • LM25069 - 2:提供自動重啟序列,故障超時周期后,TIMER 引腳在 1.72V 和 1V 之間循環(huán)七次。每次循環(huán)的周期由 80μA 充電電流、2.5μA 放電電流和電容 CT 的值決定。第八次高 - 低斜坡期間,TIMER 引腳達到 0.3V 時,GATE 引腳的 20μA 電流源開啟 Q1。若故障條件仍然存在,故障超時和重啟周期將重復(fù)。

3.7 欠壓鎖定(UVLO)和過壓鎖定(OVLO)

當輸入電源電壓(VSYS)在可編程的欠壓鎖定(UVLO)和過壓鎖定(OVLO)水平定義的工作范圍內(nèi)時,串聯(lián)通過 MOSFET(Q1)被啟用。通常,通過電阻分壓器(R1 - R3)設(shè)置 UVLO 水平。當 VSYS 低于 UVLO 水平時,UVLO 處的內(nèi)部 20μA 電流源啟用,OVLO 處的電流源關(guān)閉,Q1 由 GATE 引腳的 2mA 下拉電流保持關(guān)斷。當 VSYS 升高,UVLO 引腳電壓超過其閾值時,UVLO 處的 20μA 電流源關(guān)閉,提供滯回。若插入時間延遲已過期,Q1 由 GATE 引腳的 20μA 電流源開啟。若 VSYS 使 OVLO 引腳電壓超過其閾值,Q1 由 GATE 引腳的 2mA 下拉電流關(guān)閉,切斷負載電源。當 OVLO 引腳高于其閾值時,OVLO 處的內(nèi)部 20μA 電流源開啟,提供閾值滯回。當 VSYS 降至 OVLO 水平以下時,Q1 被啟用。

3.8 關(guān)機控制

通過使用開集電極或開漏器件將 UVLO 引腳拉至閾值以下,可遠程關(guān)閉負載電流。釋放 UVLO 引腳后,LM25069 以浪涌電流和功率限制開啟負載電流。

3.9 電源良好引腳(PGD)

電源良好指示引腳(PGD)連接到內(nèi)部 N 溝道 MOSFET 的漏極,能夠在關(guān)斷狀態(tài)下承受 17V 電壓和高達 20V 的瞬態(tài)電壓。PGD 需要一個外部上拉電阻連接到適當?shù)碾妷海韵蚝罄m(xù)電路指示狀態(tài)。PGD 在 VIN 電壓低于 1.6V 時為高電平,當 VIN 電壓升高超過約 1.6V 時變?yōu)榈碗娖健.?OUT 引腳電壓升高到 SENSE 引腳電壓的 1.3V 范圍內(nèi)(VDS < 1.3V)時,PGD 變?yōu)楦唠娖剑划?Q1 的 VDS 高于 1.9V 時,PGD 變?yōu)榈碗娖?。?UVLO 引腳低于其閾值或 OVLO 引腳高于其閾值,禁用 LM25069,PGD 在 10μs 內(nèi)變?yōu)榈碗娖?,無需等待 OUT 引腳電壓下降。

四、應(yīng)用信息

4.1 電流限制電阻(RS)

LM25069 通過測量連接在 VIN 和 SENSE 之間的電流檢測電阻(RS)兩端的電壓來監(jiān)測外部 MOSFET(Q1)中的電流。所需的電阻值根據(jù)公式 (RS = frac{50mV}{I{LIM}}) 計算,其中 (I_{LIM}) 是所需的電流限制閾值。為確保正常運行,RS 不應(yīng)大于 200mΩ。同時,應(yīng)考慮電阻的功率額定值和浪涌能力,連接 RS 到 LM25069 時應(yīng)使用 Kelvin 技術(shù),以消除高電流焊點上的電壓降。

4.2 功率限制閾值

LM25069 通過監(jiān)測 Q1 的漏極電流(RS 中的電流)和 VDS(SENSE 到 OUT 引腳)來確定其功率耗散。PWR 引腳的電阻(RPWR)設(shè)置 Q1 的最大功率耗散,計算公式為 (R_{PWR}=2.32 × 10^5 × RS × P{FET(LIM)}),其中 (P_{FET(LIM)}) 是 Q1 的所需功率限制閾值。若 Q1 的功率耗散達到閾值,Q1 的柵極被調(diào)制以調(diào)節(jié)負載電流,防止其超過閾值。為確保功率限制功能正常工作,RPWR 必須 ≤150kΩ。若應(yīng)用不需要使用功率限制功能,PWR 引腳可以懸空。

4.3 開啟時間

輸出開啟時間取決于 LM25069 在開啟時是僅工作在電流限制模式,還是同時工作在功率限制和電流限制模式:

  • 僅電流限制:若電流限制閾值小于最大功率限制閾值在最大 VDS 時定義的電流,電路在開啟時僅工作在電流限制閾值。輸出引腳電壓從 0V 過渡到 VSYS 的時間為 (t{ON}=frac{V{SYS} × C{L}}{I{LIM}}),其中 (C{L}) 是負載電容。若負載在開啟序列期間吸取電流,開啟時間會更長,近似為 (t{ON}=-(R{L} × C{L}) × ln[frac{(I{LIM} × R{L}) - V{SYS}}{(I{LIM} × R{L})}]),其中 (R{L}) 是負載電阻。
  • 功率限制和電流限制:若電流限制閾值高于最大功率限制閾值在最大 VDS 時定義的電流,電路在 Q1 的 VDS 較高時最初工作在功率限制模式,然后隨著電流增加到 (I{LIM}) 且 VDS 降低,過渡到電流限制模式。假設(shè)負載在開啟時未連接,輸出電壓達到最終值的時間近似為 (t{ON}=frac{C{L} × V{SYS}^2}{2 × P{FET(LIM)}} + frac{C{L} × P{FET(LIM)}}{2 × I{LIM}^2})。故障超時周期必須設(shè)置得比開啟時間長,以防止在開啟序列完成之前發(fā)生故障關(guān)機。

4.4 MOSFET 選擇

選擇外部 MOSFET(Q1)時,應(yīng)考慮以下標準:

  • 擊穿電壓(BVDSS):額定值應(yīng)大于最大系統(tǒng)電壓(VSYS),并考慮插入或移除電路板時可能出現(xiàn)的振鈴和瞬態(tài)。
  • 最大連續(xù)電流:額定值應(yīng)基于電流限制閾值(50mV/RS),而不是最大負載電流,因為電路可以連續(xù)接近電流限制閾值運行。
  • 脈沖漏極電流(IDM):規(guī)格必須大于斷路器功能的電流閾值(95mV/RS)。
  • 安全工作區(qū)(SOA):應(yīng)參考器件的 SOA 圖表和熱特性,確定由 RPWR 電阻設(shè)置的最大功率耗散閾值。若使用 LM25069 - 2,編程的最大功率耗散應(yīng)與 FET 的 SOA 圖表定義的最大功率有合理的余量,因為 FET 在故障重啟周期中會反復(fù)受到應(yīng)力。
  • 導(dǎo)通電阻(RDS(on)):應(yīng)足夠低,以確保在最大負載電流下的功率耗散不會使其結(jié)溫超過制造商的建議。
  • 柵 - 源閾值電壓:若電路的輸入電壓處于 LM25069 工作范圍的低端(<3.5V)或高端(>14V),LM25069 施加到 MOSFET 的柵 - 源電壓小于 5V,在最壞情況下可能接近 1V。所選器件必須具有合適的柵 - 源閾值電壓。
  • 柵 - 源電壓保護:LM25069 在開啟時提供的柵 - 源電壓可能高達 19.5V,關(guān)閉時反向柵 - 源電壓將等于 GATE 引腳被拉低瞬間的輸出電壓。若所選 Q1 器件的額定電壓不滿足要求,必須在其柵極和源極之間添加一個外部齊納二極管,齊納電壓應(yīng)小于器件的最大 VGS 額定值,齊納二極管的正向電流額定值必須至少為
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