91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

CSD17484F4:小尺寸大作用的N溝道MOSFET

lhl545545 ? 2026-03-05 13:55 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

CSD17484F4:小尺寸大作用的N溝道MOSFET

在如今追求小型化、高性能的電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,選擇合適的MOSFET至關(guān)重要。今天就來(lái)為大家詳細(xì)介紹德州儀器TI)的CSD17484F4 30 - V N - 溝道FemtoFET? MOSFET,看看它有哪些獨(dú)特的性能和應(yīng)用場(chǎng)景。

文件下載:csd17484f4.pdf

一、產(chǎn)品特性,優(yōu)勢(shì)盡顯

1. 低電阻與低電荷

CSD17484F4具有低導(dǎo)通電阻,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,它能夠減少功率損耗,提高效率。同時(shí),超低的柵極電荷 (Q{g}) 和 (Q{gd}),有助于降低開(kāi)關(guān)損耗,實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)動(dòng)作。

2. 低閾值電壓

較低的閾值電壓使得該MOSFET在較低的柵源電壓下就能導(dǎo)通,這對(duì)于一些低電壓供電的電路設(shè)計(jì)非常友好,能有效降低系統(tǒng)的功耗。

3. 超小尺寸與超薄外形

采用0402封裝尺寸,僅1.0 mm × 0.6 mm,高度僅0.2 mm,超小的占地面積和超薄的外形,使其在對(duì)空間要求極高的手持和移動(dòng)設(shè)備中具有很大的優(yōu)勢(shì)。

4. 集成ESD保護(hù)二極管

集成的ESD保護(hù)二極管能有效防止靜電對(duì)MOSFET的損壞,提高了器件的可靠性和穩(wěn)定性。

5. 電氣參數(shù)出色

參數(shù) 典型值 單位
(V_{DS})(漏源電壓) 30 V
(Q_{g})(柵極總電荷,4.5 V) 920 pC
(Q_{gd})(柵漏電荷) 75 pC
(R{DS(on)})(導(dǎo)通電阻,(V{GS}=1.8V)) 170
(V_{GS(th)})(閾值電壓) 0.85 V

此外,該器件還具有大于4 - kV的人體模型(HBM)靜電放電等級(jí)和大于2 - kV的充電器件模型(CDM)靜電放電等級(jí),進(jìn)一步增強(qiáng)了其抗靜電能力。

二、應(yīng)用廣泛,適配多樣

1. 負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用

憑借其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,CSD17484F4非常適合作為負(fù)載開(kāi)關(guān)使用,能夠高效地控制電路的通斷,減少功率損耗。

2. 通用開(kāi)關(guān)應(yīng)用

在各種通用開(kāi)關(guān)電路中,該MOSFET都能發(fā)揮其優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的開(kāi)關(guān)功能。

3. 電池應(yīng)用

在電池供電的設(shè)備中,低功耗和小尺寸的特點(diǎn)使其成為理想選擇,能夠延長(zhǎng)電池的使用壽命,同時(shí)節(jié)省電路板空間。

4. 手持和移動(dòng)應(yīng)用

對(duì)于手機(jī)、平板電腦等手持和移動(dòng)設(shè)備,超小尺寸和高性能的結(jié)合,使得CSD17484F4能夠滿足這些設(shè)備對(duì)空間和性能的雙重要求。

三、產(chǎn)品描述,設(shè)計(jì)考量

這款99 - mΩ、30 - V的N - 溝道FemtoFET? MOSFET專為減少許多手持和移動(dòng)應(yīng)用中的占位面積而設(shè)計(jì)和優(yōu)化。它能夠替代標(biāo)準(zhǔn)的小信號(hào)MOSFET,同時(shí)至少減少60%的占位面積,這對(duì)于追求小型化的電子設(shè)備設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),無(wú)疑是一個(gè)巨大的優(yōu)勢(shì)。

四、規(guī)格參數(shù),精準(zhǔn)把握

1. 絕對(duì)最大額定值

參數(shù) 數(shù)值 單位
(V_{DS})(漏源電壓) 30 V
(V_{GS})(柵源電壓) 12 V
(I_{D})(連續(xù)漏極電流 3.0 A
(I_{DM})(脈沖漏極電流) 18 A
(I_{G})(連續(xù)柵極鉗位電流) 35 mA
(P_{D})(功率耗散) 500 mW
(V_{(ESD)})(人體模型) 4 kV
(V_{(ESD)})(充電器件模型) 2 kV
(T{J}),(T{stg})(工作結(jié)溫、儲(chǔ)存溫度) –55 to 150 °C

2. 電氣特性

包括靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性和二極管特性等多個(gè)方面。例如,在不同的柵源電壓下,導(dǎo)通電阻會(huì)有所不同,這對(duì)于電路設(shè)計(jì)時(shí)的參數(shù)選擇非常重要。

3. 熱信息

典型的結(jié)到環(huán)境熱阻 (R_{theta JA}) 在不同的安裝條件下有所差異,這對(duì)于散熱設(shè)計(jì)和功率耗散的計(jì)算至關(guān)重要。

五、器件與文檔支持,使用無(wú)憂

1. 文檔更新通知

通過(guò)在ti.com上的設(shè)備產(chǎn)品文件夾進(jìn)行注冊(cè),可以每周收到產(chǎn)品信息變更的摘要,方便及時(shí)了解產(chǎn)品的最新動(dòng)態(tài)。

2. 商標(biāo)信息

FemtoFET? 是德州儀器的商標(biāo),在使用相關(guān)產(chǎn)品時(shí)需要注意商標(biāo)的使用規(guī)范。

六、機(jī)械、封裝與訂購(gòu)信息,細(xì)節(jié)關(guān)注

1. 機(jī)械尺寸

詳細(xì)的引腳配置和尺寸信息,為電路板的設(shè)計(jì)提供了精確的參考。

2. 推薦的最小PCB布局和鋼網(wǎng)圖案

按照推薦的PCB布局和鋼網(wǎng)圖案進(jìn)行設(shè)計(jì)和制作,能夠確保該MOSFET在電路板上的良好焊接和性能發(fā)揮。

CSD17484F4以其卓越的性能、超小的尺寸和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,成為電子工程師在手持和移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)中的理想選擇。在實(shí)際應(yīng)用中,我們需要根據(jù)具體的電路需求,合理選擇和使用該MOSFET,以實(shí)現(xiàn)最佳的電路性能。你在使用類似MOSFET時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    P溝道N溝道MOSFET在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用

    是主開(kāi)關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開(kāi)關(guān),本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷人員,
    發(fā)表于 03-03 13:58

    開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之:P溝道N溝道MOSFET比較

    MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中,基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素,使用P溝道MOSFET
    發(fā)表于 04-09 09:20

    CSD17484F4 CSD17484F4 30V N 通道 FemtoFET? MOSFET

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)CSD17484F4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有CSD17484F4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,CSD17484F4真值表,CSD17484
    發(fā)表于 11-02 18:35
    <b class='flag-5'>CSD17484F4</b> <b class='flag-5'>CSD17484F4</b> 30V <b class='flag-5'>N</b> 通道 FemtoFET? <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    60V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD18541F5數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD18541F5數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-27 13:49 ?0次下載
    60V <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b> FemtoFET? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>CSD18541F</b>5數(shù)據(jù)表

    30V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD17483F4數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD17483F4數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-02 11:25 ?0次下載
    30V <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b> FemtoFET? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>CSD17483F4</b>數(shù)據(jù)表

    CSD17382F4 30-V N-Channel FemtoFET? MOSFET:小尺寸大能量

    CSD17382F4 30-V N-Channel FemtoFET? MOSFET:小尺寸大能量 在電子設(shè)計(jì)的世界里,不斷追求更小尺寸、更
    的頭像 發(fā)表于 03-05 11:15 ?168次閱讀

    解析CSD87501L 30-V雙共漏N溝道NexFET?功率MOSFET

    解析CSD87501L 30-V雙共漏N溝道NexFET?功率MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率MOSFET的性能和特性對(duì)電路的效率和穩(wěn)定性
    的頭像 發(fā)表于 03-05 14:50 ?160次閱讀

    深入解析CSD13383F4 12V N-Channel FemtoFET? MOSFET

    CSD13383F4是一款采用先進(jìn)技術(shù)設(shè)計(jì)的12V N - 溝道FemtoFET? MOSFET,主要面向眾多手持和移動(dòng)應(yīng)用,其核心目標(biāo)是盡可能減小電路板占用空間。這種技術(shù)具備替代標(biāo)
    的頭像 發(fā)表于 03-05 15:10 ?87次閱讀

    CSD23381F4 12-V P-Channel FemtoFET? MOSFET:小尺寸大性能

    CSD23381F4 12-V P-Channel FemtoFET? MOSFET:小尺寸大性能 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵元件,其性能和
    的頭像 發(fā)表于 03-05 17:20 ?356次閱讀

    CSD25481F4 20V P - Channel FemtoFET? MOSFET:小尺寸大能量的電子利器

    CSD25481F4 20V P - Channel FemtoFET? MOSFET:小尺寸大能量的電子利器 在電子設(shè)計(jì)的世界里,不斷追求更小尺寸、更高性能的器件是工程師們永恒的目標(biāo)
    的頭像 發(fā)表于 03-06 09:15 ?258次閱讀

    CSD17483F4 30-V N-Channel FemtoFET? MOSFET:小身材大能量

    CSD17483F4 30-V N-Channel FemtoFET? MOSFET:小身材大能量 引言 在電子設(shè)備不斷追求小型化、高性能的今天,MOSFET 作為關(guān)鍵的電子元件,其性
    的頭像 發(fā)表于 03-06 09:15 ?1474次閱讀

    德州儀器CSD13303W1015 N溝道功率MOSFET深度解析

    德州儀器CSD13303W1015 N溝道功率MOSFET深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率MOSFET作為關(guān)鍵元件,對(duì)電路的性能起著至關(guān)重要的
    的頭像 發(fā)表于 03-06 09:30 ?249次閱讀

    深入解析CSD17381F4:小尺寸大能量的N溝道MOSFET

    深入解析CSD17381F4:小尺寸大能量的N溝道MOSFET 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,選擇合適的MO
    的頭像 發(fā)表于 03-06 10:05 ?246次閱讀

    深入解析 CSD86311W1723 雙 N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

    csd86311w1723.pdf 一、產(chǎn)品概述 CSD86311W1723 采用 1.7mm×2.3mm 的晶圓級(jí)封裝,具備極小的封裝尺寸,適合對(duì)空間要求苛刻的應(yīng)用場(chǎng)景。其核心特點(diǎn)包括雙
    的頭像 發(fā)表于 03-06 14:40 ?70次閱讀

    探索 CSD16407Q5 N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 的卓越性能

    探索 CSD16407Q5 N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 的卓越性能 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率 MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元
    的頭像 發(fā)表于 03-06 16:25 ?142次閱讀