91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

LT8614:高性能同步降壓調(diào)節(jié)器的全方位解析

h1654155282.3538 ? 2026-03-09 11:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

LT8614:高性能同步降壓調(diào)節(jié)器的全方位解析

在電子設備的電源管理領域,降壓調(diào)節(jié)器扮演著至關重要的角色。今天要給大家詳細介紹一款高性能的同步降壓調(diào)節(jié)器——LT8614,它在諸多方面展現(xiàn)出卓越的性能,能滿足不同應用場景的需求。

文件下載:LT8614.pdf

一、產(chǎn)品概述

LT8614是一款采用Silent Switcher架構的單芯片、恒定頻率、電流模式降壓DC/DC轉換器,具備超低EMI輻射和高轉換效率的特點。它采用3mm×4mm QFN封裝,集成了功率開關和必要的電路,有效減小了PCB占用面積。其輸入電壓范圍為3.4V至42V,適用于多種電源環(huán)境,并且在輕載時具有超低的2.5μA靜態(tài)電流,能顯著提高系統(tǒng)效率。

二、關鍵特性

(一)低EMI與高效率

  • Silent Switcher架構:這種架構能極大地降低EMI輻射,使設備在電磁兼容性方面表現(xiàn)出色。在高頻工作時,能有效減少干擾,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
  • 高轉換效率:在不同頻率和輸入輸出電壓條件下,都能保持較高的效率。例如,在1MHz、12V輸入至5V輸出時,效率可達96%;在2MHz、12V輸入至5V輸出時,效率也能達到94%。這意味著在轉換過程中能減少能量損耗,提高電源利用率。

(二)寬輸入電壓范圍與低靜態(tài)電流

  • 寬輸入電壓范圍:3.4V至42V的輸入電壓范圍,使得LT8614能適應各種不同的電源環(huán)境,無論是電池供電還是市電供電的系統(tǒng)都能適用。
  • 超低靜態(tài)電流:在輕載時,如調(diào)節(jié)12V輸入至3.3V輸出時,靜態(tài)電流僅為2.5μA,輸出紋波小于10mV P - P。這種低靜態(tài)電流特性在對功耗要求較高的應用中尤為重要,能有效延長電池使用壽命。

(三)快速開關時間與低 dropout

  • 快速最小開關導通時間:僅30ns的快速最小開關導通時間,能實現(xiàn)高頻下的高VIN到低Vout轉換,提高了轉換器的響應速度和動態(tài)性能。
  • 低dropout:在所有條件下,1A負載時的dropout僅為125mV,保證了在不同負載情況下的穩(wěn)定輸出。

(四)其他特性

  • 可調(diào)節(jié)和同步:開關頻率可在200kHz至3MHz之間調(diào)節(jié)和同步,用戶可以根據(jù)實際需求靈活設置,以優(yōu)化系統(tǒng)性能。
  • 峰值電流模式操作:這種操作模式能提供更好的電流控制和穩(wěn)定性,確保輸出電流的精確調(diào)節(jié)。
  • 輸出軟啟動和跟蹤:通過TR/SS引腳,用戶可以控制輸出電壓的上升速率,實現(xiàn)軟啟動功能,避免電流沖擊對系統(tǒng)造成損害。同時,還支持輸出跟蹤功能,方便與其他電源系統(tǒng)協(xié)同工作。

三、引腳功能

(一)BIAS引腳

當BIAS引腳連接到高于3.1V的電壓時,內(nèi)部穩(wěn)壓器將從該引腳獲取電流,而不是從VIN獲取。對于3.3V至30V的輸出電壓,該引腳應連接到Vout。若連接到其他電源,需在該引腳使用1μF的本地旁路電容;若沒有可用電源,則連接到GND。

(二)INTVCC引腳

這是內(nèi)部3.4V穩(wěn)壓器的旁路引腳,為內(nèi)部功率驅動器控制電路供電。其最大輸出電流為20mA,不要用外部電路加載該引腳。當BIAS > 3.1V時,INTVCC電流將由BIAS提供;否則,將從VIN獲取電流。在BIAS為3.0V至3.6V時,INTVCC電壓將在2.8V至3.4V之間變化,需用至少1μF的低ESR陶瓷電容將該引腳與電源地去耦。

(三)BST引腳

用于為頂部功率開關提供高于輸入電壓的驅動電壓,需在靠近IC處放置一個0.1μF的升壓電容。

(四)VIN1和VIN2引腳

LT8614需要兩個1μF的小輸入旁路電容,分別連接在VIN1/GND1和VIN2/GND2之間,且這些電容應盡可能靠近LT8614。此外,還需在靠近LT8614處放置一個2.2μF或更大的電容,其正極端連接到VIN1和VIN2,負極端連接到地。

(五)GND1和GND2引腳

這兩個引腳是內(nèi)部底部功率開關的返回路徑,必須連接在一起。輸入電容的負極端應盡可能靠近GND1和GND2引腳,并將它們連接到接地平面。

(六)SW引腳

是內(nèi)部功率開關的輸出端,應將這些引腳連接在一起,并連接到電感器和升壓電容。為了獲得良好的性能和低EMI,該節(jié)點在PCB上應盡量小。

(七)EN/UV引腳

當該引腳為低電平時,LT8614關閉;為高電平時,處于工作狀態(tài)。其滯后閾值電壓上升時為1.00V,下降時為0.96V。若不使用關閉功能,可將其連接到VIN;也可使用外部電阻分壓器從VIN編程一個VIN閾值,當VIN低于該閾值時,LT8614將關閉。

(八)RT引腳

通過在RT引腳和地之間連接一個電阻來設置開關頻率。

(九)TR/SS引腳

用于輸出跟蹤和軟啟動。當TR/SS電壓低于0.97V時,LT8614將調(diào)節(jié)FB引腳電壓等于TR/SS引腳電壓;當TR/SS高于0.97V時,跟蹤功能禁用,內(nèi)部參考恢復對誤差放大器的控制。內(nèi)部有一個2.2μA的上拉電流,可通過連接電容來編程輸出電壓的上升速率。在關閉和故障條件下,該引腳通過內(nèi)部230Ω的MOSFET拉至地;若從低阻抗輸出驅動,需使用串聯(lián)電阻。若不需要跟蹤功能,該引腳可懸空。

(十)SYNC/MODE引腳

用于外部時鐘同步輸入。接地時,在低輸出負載下實現(xiàn)低紋波Burst Mode操作;連接到時鐘源時,可同步到外部頻率;施加3V或更高的直流電壓或連接到INTVCC時,進入脈沖跳過模式。在脈沖跳過模式下,靜態(tài)電流將增加到幾百μA,該引腳不能懸空。

(十一)PG引腳

是內(nèi)部比較器的開漏輸出。當FB引腳電壓在最終調(diào)節(jié)電壓的±9%范圍內(nèi)且無故障條件時,PG保持低電平。當VIN高于3.4V時,無論EN/UV引腳狀態(tài)如何,PG都有效。

(十二)FB引腳

LT8614將FB引腳調(diào)節(jié)到0.970V,應將反饋電阻分壓器的抽頭連接到該引腳,并在FB和Vout之間連接一個4.7pF至22pF的相位超前電容。

(十三)SW(暴露焊盤引腳21、22)

暴露焊盤應連接并焊接到SW走線,以獲得良好的熱性能。若因制造限制,引腳21和22可斷開,但熱性能會下降。

四、工作原理

(一)基本工作過程

LT8614的振蕩器通過RT引腳的電阻設置頻率,在每個時鐘周期開始時開啟內(nèi)部頂部功率開關。電感器中的電流隨后增加,直到頂部開關電流比較器觸發(fā)并關閉頂部功率開關。頂部開關關閉時的峰值電感電流由內(nèi)部VC節(jié)點的電壓控制。誤差放大器通過比較VFB引腳電壓與內(nèi)部0.97V參考電壓來調(diào)節(jié)VC節(jié)點。當負載電流增加時,反饋電壓相對于參考電壓降低,誤差放大器提高VC電壓,直到平均電感電流與新的負載電流匹配。頂部功率開關關閉后,同步功率開關開啟,直到下一個時鐘周期開始或電感電流降至零。

(二)輕載效率優(yōu)化

在輕載情況下,LT8614采用Burst Mode操作。在脈沖之間,所有與控制輸出開關相關的電路都關閉,將輸入電源電流降低到1.7μA。在典型應用中,無負載調(diào)節(jié)時,輸入電源消耗的電流為2.5μA。通過將SYNC引腳接地可使用Burst Mode操作,連接到邏輯高電平可使用脈沖跳過模式。若將時鐘應用于SYNC引腳,器件將同步到外部時鐘頻率并以脈沖跳過模式運行。

(三)內(nèi)部電路供電

為提高所有負載下的效率,當BIAS引腳偏置在3.3V或以上時,內(nèi)部電路的電源電流可從該引腳獲?。环駝t,內(nèi)部電路將從VIN獲取電流。若LT8614輸出編程為3.3V或以上,BIAS引腳應連接到Vout。

(四)PG引腳監(jiān)控

比較器監(jiān)控FB引腳電壓,若輸出電壓與設定點的偏差超過±9%(典型值)或存在故障條件,PG引腳將拉低。

(五)頻率折返

當FB引腳電壓較低時,振蕩器會降低LT8614的工作頻率。這種頻率折返有助于在輸出電壓低于編程值(如啟動或過流條件)時控制電感電流。當時鐘應用于SYNC引腳或SYNC引腳保持直流高電平時,頻率折返功能禁用,僅在過流條件下開關頻率會減慢。

五、應用信息

(一)低EMI PCB布局

為實現(xiàn)最佳性能,LT8614需要使用多個VIN旁路電容。兩個1μF的小電容應盡可能靠近LT8614,分別連接到VIN1/GND1和VIN2/GND2;一個2.2μF或更大的電容應放置在VIN1或VIN2附近。輸入電容、電感器和輸出電容應放置在電路板的同一側,其連接應在該層完成。在應用電路下方的最接近表面層放置一個局部、連續(xù)的接地平面,SW和BOOST節(jié)點應盡量小,F(xiàn)B和RT節(jié)點也應保持小尺寸,以避免受到SW和BOOST節(jié)點的干擾。封裝底部的暴露焊盤應焊接到SW,以降低熱阻。

(二)實現(xiàn)超低靜態(tài)電流

LT8614在輕載時采用低紋波Burst Mode操作,通過向輸出電容提供單小電流脈沖,然后進入睡眠模式,由輸出電容提供輸出功率,從而將輸入靜態(tài)電流和輸出電壓紋波降至最低。隨著輸出負載降低,單電流脈沖的頻率降低,LT8614處于睡眠模式的時間增加,提高了輕載效率。為了實現(xiàn)更高的輕載效率,可使用較大值的電感器(如4.7μH),以在單小脈沖期間向輸出傳遞更多能量,使LT8614在脈沖之間能更長時間處于睡眠模式。

(三)FB電阻網(wǎng)絡

輸出電壓通過輸出和FB引腳之間的電阻分壓器進行編程,推薦使用1%的電阻以保持輸出電壓的準確性。若需要低輸入靜態(tài)電流和良好的輕載效率,應使用較大值的FB電阻分壓器,以減少反饋電阻分壓器中的電流對輸出負載的影響。同時,在使用大FB電阻時,應在Vout和FB之間連接一個4.7pF至22pF的相位超前電容。

(四)高Vout考慮

在輸出電壓高于10V的應用中,需參考應用筆記AN - 2582中的反向電流考慮部分。

(五)設置開關頻率

LT8614采用恒定頻率PWM架構,可通過在RT引腳和地之間連接電阻將開關頻率編程為200kHz至3MHz。所需的RT電阻值可通過公式 (R{T}=frac{46.5}{f{SW}} - 5.2) 計算,其中RT單位為kΩ,fsw為所需的開關頻率,單位為MHz。

(六)工作頻率選擇和權衡

工作頻率的選擇需要在效率、組件尺寸和輸入電壓范圍之間進行權衡。高頻操作的優(yōu)點是可以使用較小的電感器和電容器值,但缺點是效率較低且輸入電壓范圍較小。對于給定應用,最高開關頻率 (f{SW(MAX)}) 可通過公式 (f{SW(MAX)}=frac{V{OUT}+V{SW(BOT)}}{t{ON(MIN)}(V{IN}-V{SW(TOP)}+V{SW(BOT)})}) 計算。在瞬態(tài)操作中,無論RT值如何,VIN可能高達絕對最大額定值42V,LT8614會根據(jù)需要降低開關頻率以保持電感電流的控制,確保安全操作。

(七)電感器選擇和最大輸出電流

LT8614允許根據(jù)應用的輸出負載要求選擇電感器,在過載或短路條件下,通過高速峰值電流模式架構安全地承受電感器飽和。電感器的初始選擇值可通過公式 (L=frac{V{OUT}+V{SW(BOT)}}{f_{SW}}) 計算。為避免過熱和低效率,電感器的RMS電流額定值應大于應用的最大預期輸出負載,飽和電流額定值應高于負載電流加上電感紋波電流的一半。LT8614通過限制峰值開關電流來保護開關和系統(tǒng)免受過載故障的影響,最大輸出電流取決于開關電流限制、電感器值以及輸入和輸出電壓。

(八)輸入電容器

為獲得最佳性能,LT8614的VIN應使用至少三個陶瓷電容器進行旁路。兩個1μF的小陶瓷電容器應靠近器件放置,分別連接到VIN1/GND1和VIN2/GND2;一個2.2μF或更大的陶瓷電容器應放置在VIN1或VIN2附近。推薦使用X7R或X5R電容器,以在溫度和輸入電壓變化時保持良好的性能。當使用較低的開關頻率時,需要更大的輸入電容;若輸入電源具有高阻抗或存在長導線或電纜導致的顯著電感,則可能需要額外的大容量電容。

(九)輸出電容器和輸出紋波

輸出電容器的主要功能是與電感器一起過濾LT8614產(chǎn)生的方波,以產(chǎn)生直流輸出,并存儲能量以滿足瞬態(tài)負載和穩(wěn)定控制回路。陶瓷電容器具有極低的等效串聯(lián)電阻(ESR),能提供最佳的紋波性能。推薦使用X5R或X7R類型的電容器,以獲得低輸出紋波和良好的瞬態(tài)響應。增加輸出電容可降低輸出電壓紋波,但可能會增加成本和占用空間;減小輸出電容可節(jié)省空間和成本,但可能會影響瞬態(tài)性能并導致環(huán)路不穩(wěn)定。

(十)陶瓷電容器注意事項

陶瓷電容器雖然具有小尺寸、高魯棒性和低ESR的優(yōu)點,但由于其壓電特性,在Burst Mode操作時,LT8614的開關頻率取決于負載電流,在非常輕的負載下,可能會在音頻頻率下激發(fā)陶瓷電容器,產(chǎn)生可聽噪聲。若這種噪聲不可接受,可使用高性能鉭或電解電容器作為輸出電容,也可選擇低噪聲陶瓷電容器。此外,陶瓷輸入電容器與走線或電纜電感形成的高品質(zhì)(欠阻尼)諧振電路,在將LT8614電路插入帶電電源時,輸入電壓可能會振蕩到標稱值的兩倍,可能超過LT8614的電壓額定值,可參考應用筆記88避免這種情況。

(十一)使能引腳

當EN引腳為低電平時,LT8614處于關閉狀態(tài);為高電平時,處于工作狀態(tài)。EN比較器的上升閾值為1.0V,具有40mV的滯后。若不使用關閉功能,可將EN引腳連接到VIN;若需要關閉控制,可將其連接到邏輯電平。通過從VIN到EN添加電阻分壓器,可編程LT8614僅在VIN高于所需電壓時調(diào)節(jié)輸出。在輕載電流的Burst Mode操作中,VIN(EN)電阻網(wǎng)絡中的電流可能容易大于LT8614消耗的電源電流,因此VIN(EN)電阻應選擇較大值,以最小化其對低負載效率的影響。

(十二)INTVCC穩(wěn)壓器

內(nèi)部低壓差(LDO)穩(wěn)壓器從VIN產(chǎn)生3.4V電源,為驅動器和內(nèi)部偏置電路供電。INTVCC必須用至少1μF的陶瓷電容器旁路到地,以提供功率MOSFET柵極驅動器所需的高瞬態(tài)電流。為提高效率,當BIAS引腳電壓為3.1V或更高時,內(nèi)部LDO也可從該引腳獲取電流。通常,BIAS引腳可連接到LT8614的輸出或外部3.3V或更高的電源。若BIAS連接到除Vout以外的電源,需使用本地陶瓷電容器進行旁路。若BIAS引腳低于3.0V,內(nèi)部LDO將從VIN消耗電流。在高輸入電壓和高開關頻率的應用中,內(nèi)部LDO從VIN獲取電流會增加芯片溫度,因為LDO上的功率損耗更高。不要將外部負載連接到INTVCC引腳。

(十三)輸出電壓跟蹤和軟啟動

LT8614允許用戶通過TR/SS引腳編程輸出電壓的上升速率。內(nèi)部2.2μA的上拉電流將TR/SS引腳拉至INTVCC,通過在TR/SS引腳上連接外部電容可實現(xiàn)輸出軟啟動,防止輸入電源上的電流浪涌。在軟啟動過程中,輸出電壓將與TR/SS引腳電壓成比例跟蹤。對于輸出跟蹤應用,TR/SS可由另一個電壓源外部驅動。當TR/SS電壓在0V至0.97V之間時,TR/SS電壓將覆蓋誤差放大器的內(nèi)部0.97V參考輸入,從而將FB引腳電壓調(diào)節(jié)到TR/SS引腳電壓;當TR/SS高于0.97V時,跟蹤功能禁用,反饋電壓將調(diào)節(jié)到內(nèi)部參考電壓。若不需要該功能,TR/SS引腳可懸空。在故障條件下,連接到TR/SS引腳的有源下拉電路將對外部軟啟動電容進行放電,當故障清除時,重新開始上升。

(十四)輸出功率良好指示

當LT8614的輸出電壓在調(diào)節(jié)點的±9%范圍內(nèi)(即VFB電壓在0.883V至1.057V之間,典型值)時,輸出電壓被認為是良好的,開漏PG引腳變?yōu)楦咦杩梗ǔMㄟ^外部電阻上拉;否則,內(nèi)部下拉器件將PG引腳拉低。為防止干擾,上下閾值均包含1.2%的滯后。在EN/UV引腳低于1V、INTVCC過低、VIN過低或熱關斷等故障條件

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電源管理
    +關注

    關注

    117

    文章

    7281

    瀏覽量

    148032
  • LT8614
    +關注

    關注

    0

    文章

    2

    瀏覽量

    6441
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    LT8620:高效同步降壓調(diào)節(jié)器的設計與應用

    高性能同步降壓調(diào)節(jié)器,憑借其出色的特性和廣泛的應用場景,受到了電子工程師們的青睞。本文將深入探討LT8620的特點、工作原理、應用信息以及
    的頭像 發(fā)表于 03-09 11:05 ?79次閱讀

    LT3790:高性能同步4開關降壓 - 升壓調(diào)節(jié)器的深度解析

    LT3790:高性能同步4開關降壓 - 升壓調(diào)節(jié)器的深度解析 在電子設計領域,電源管理芯片的
    的頭像 發(fā)表于 03-09 10:05 ?254次閱讀

    深入解析 LT8609S:高效同步降壓調(diào)節(jié)器的卓越之選

    深入解析 LT8609S:高效同步降壓調(diào)節(jié)器的卓越之選 在電子設備的電源管理領域,降壓
    的頭像 發(fā)表于 03-06 09:35 ?261次閱讀

    LT8642S:高性能同步降壓調(diào)節(jié)器的卓越之選

    LT8642S:高性能同步降壓調(diào)節(jié)器的卓越之選 在電子工程師的日常設計中,選擇一款合適的降壓
    的頭像 發(fā)表于 03-05 16:45 ?338次閱讀

    LT8604/LT8604C高效同步降壓調(diào)節(jié)器深度解析

    LT8604/LT8604C高效同步降壓調(diào)節(jié)器深度解析 一、引言 在電子設計領域,電源管理芯片的
    的頭像 發(fā)表于 03-04 10:50 ?122次閱讀

    LT8638S:高性能同步降壓調(diào)節(jié)器的技術剖析與應用指南

    LT8638S:高性能同步降壓調(diào)節(jié)器的技術剖析與應用指南 在電子設計領域,電源管理芯片的性能直接
    的頭像 發(fā)表于 03-04 10:50 ?128次閱讀

    LT8625SP/LT8625SP - 1:高性能同步降壓調(diào)節(jié)器的卓越之選

    LT8625SP/LT8625SP - 1:高性能同步降壓調(diào)節(jié)器的卓越之選 在電子設計領域,電源
    的頭像 發(fā)表于 03-04 09:55 ?95次閱讀

    LT8641A:高性能同步降壓調(diào)節(jié)器的卓越之選

    LT8641A:高性能同步降壓調(diào)節(jié)器的卓越之選 在電子工程師的設計生涯中,選擇一款合適的降壓
    的頭像 發(fā)表于 03-03 09:55 ?93次閱讀

    LT8625S:高性能同步降壓調(diào)節(jié)器的卓越之選

    LT8625S:高性能同步降壓調(diào)節(jié)器的卓越之選 在電子工程師的日常設計工作中,選擇一款合適的降壓
    的頭像 發(fā)表于 03-03 09:45 ?91次閱讀

    LT8627SP:高性能同步降壓調(diào)節(jié)器的卓越之選

    LT8627SP:高性能同步降壓調(diào)節(jié)器的卓越之選 在電子設計領域,電源管理芯片的性能直接影響著整
    的頭像 發(fā)表于 03-03 09:45 ?86次閱讀

    LT7171/LT7171 - 1:高性能DC/DC同步降壓調(diào)節(jié)器的技術剖析

    LT7171/LT7171 - 1:高性能DC/DC同步降壓調(diào)節(jié)器的技術剖析 在電子設計領域,D
    的頭像 發(fā)表于 03-02 11:00 ?142次閱讀

    LT7176/LT7176 - 1:高性能數(shù)字電源管理降壓調(diào)節(jié)器的深度解析

    LT7176/LT7176 - 1:高性能數(shù)字電源管理降壓調(diào)節(jié)器的深度解析 在電子設備的電源管理
    的頭像 發(fā)表于 03-02 10:55 ?118次閱讀

    LT7176/LT7176 - 1:高性能同步降壓調(diào)節(jié)器的深度解析

    LT7176/LT7176 - 1:高性能同步降壓調(diào)節(jié)器的深度
    的頭像 發(fā)表于 03-02 10:50 ?139次閱讀

    LT3935:高性能同步降壓LED驅動芯片的全方位解析

    LT3935:高性能同步降壓LED驅動芯片的全方位解析 在電子工程師的日常工作中,選擇一款合適的
    的頭像 發(fā)表于 01-30 10:30 ?341次閱讀

    SGM6022:6MHz、600mA同步降壓調(diào)節(jié)器全方位解析

    SGM6022:6MHz、600mA同步降壓調(diào)節(jié)器全方位解析 在電子設備的電源管理領域,高效、穩(wěn)定的
    的頭像 發(fā)表于 01-28 15:20 ?434次閱讀