在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,100V 電壓等級(jí)的 MOSFET 憑借兼顧耐壓與能效的核心優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源輔助供電等關(guān)鍵場(chǎng)景。長(zhǎng)晶科技深耕功率器件研發(fā)與制造,針對(duì)VDS=100V、VGS=±20V邏輯電平應(yīng)用場(chǎng)景,構(gòu)建了覆蓋多封裝、多規(guī)格的產(chǎn)品矩陣,既以成熟量產(chǎn)型號(hào)滿足市場(chǎng)即時(shí)需求,又通過前瞻性的在研與規(guī)劃型號(hào)布局,搶占未來(lái)技術(shù)高地。
邏輯電平 MOSFET 以其低驅(qū)動(dòng)電壓、快速開關(guān)的特性,成為現(xiàn)代數(shù)字控制電路中的核心功率器件。長(zhǎng)晶科技針對(duì)該應(yīng)用場(chǎng)景,依托 PDFN3.3×3.3-8L、PDFN5×6-8L、PDFN5×6 雙面散熱及 TOLL 四大主流封裝平臺(tái),完成了 100V 邏輯電平產(chǎn)品的梯度布局。
以下是根據(jù)長(zhǎng)晶科技最新產(chǎn)品路線圖整理的100V邏輯電平MOSFET選型表。標(biāo)黃型號(hào)為正在開發(fā)中,無(wú)顏色填充的型號(hào)為已量產(chǎn)狀態(tài),可穩(wěn)定供貨。

量產(chǎn)型號(hào):
- PDFN3.3×3.3-8L封裝:
- AD-CJAB025SN10AL:采用小型化封裝,適用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景
- AD-CJAB017SN10BH:提供更低導(dǎo)通電阻選項(xiàng),優(yōu)化能效表現(xiàn)
- PDFN5×6-8L封裝:
- AD-CJAN5R5SN10AL:平衡性能與成本,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子
- AD-CJAN9R0SN10AL:針對(duì)高電流應(yīng)用優(yōu)化,導(dǎo)通電阻更低
- AD-CJAN025SN10AL:標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝,提供良好的性能平衡
- PDFN5*6雙面散熱封裝:
- AD-CJAN026SD10AL:雙面散熱設(shè)計(jì),顯著提升散熱性能
技術(shù)優(yōu)勢(shì)與市場(chǎng)定位:
長(zhǎng)晶科技100V邏輯電平MOSFET產(chǎn)品線憑借以下技術(shù)優(yōu)勢(shì),在市場(chǎng)中占據(jù)重要地位:
- 低導(dǎo)通電阻:采用先進(jìn)溝槽技術(shù),顯著降低導(dǎo)通電阻,提升能效
- 快速開關(guān)特性:優(yōu)化柵極結(jié)構(gòu),減少開關(guān)損耗
- 寬工作電壓范圍:支持±20V柵源電壓,兼容多種驅(qū)動(dòng)電路
- 多樣化封裝選擇:滿足不同功率等級(jí)和空間限制的應(yīng)用需求
這些產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制、電源管理等領(lǐng)域,為客戶的系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供靈活選擇。
隨著AD-CJAN6R2SN10AH等開發(fā)中型號(hào)的陸續(xù)量產(chǎn),長(zhǎng)晶科技100V邏輯電平MOSFET產(chǎn)品線將進(jìn)一步豐富,持續(xù)為客戶提供更高性能、更優(yōu)能效的功率半導(dǎo)體解決方案。公司秉持"技術(shù)創(chuàng)新,客戶至上"的理念,不斷拓展產(chǎn)品邊界,推動(dòng)功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。
如需更多產(chǎn)品資料、詳細(xì)規(guī)格書或樣品支持,歡迎聯(lián)系長(zhǎng)晶科技原廠授權(quán)代理商南山電子,可登錄南山電子官網(wǎng)與在線客服聯(lián)系。
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LFPAK56中的N溝道 100V,153 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y153-100E
雙N溝道 100V,33 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K32-100E
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LFPAK33中的N溝道 100V,156 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9M156-100E
LFPAK33中的N溝道 100V,120 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9M120-100E
雙N溝道 100V,159 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K134-100E
LFPAK56中的N溝道 100V,12mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN012-100YL
LFPAK56中的N溝道 100V,15mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN015-100YL
LFPAK56中的N溝道 100V,19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN019-100YL
LFPAK56中的N溝道 100V,21 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN021-100YL
LFPAK56中的N溝道 100V,37.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN038-100YL
TO220 封裝的N溝道 100V,34.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN034-100PS
D2PAK中的N溝道 100V 26.8mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN027-100BS
D2PAK中的N溝道 100V 16mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN016-100BS
長(zhǎng)晶科技100V邏輯電平MOSFET選型指南:多封裝布局工業(yè)與汽車應(yīng)用
評(píng)論