高性能降壓開關(guān)穩(wěn)壓器控制器LTC3834:特性、應(yīng)用與設(shè)計指南
在電子工程師的日常工作中,選擇合適的開關(guān)穩(wěn)壓器控制器對于設(shè)計高效、穩(wěn)定的電源系統(tǒng)至關(guān)重要。今天,我們就來深入探討一下凌力爾特(現(xiàn)屬亞德諾半導(dǎo)體)的LTC3834,這是一款高性能的降壓開關(guān)穩(wěn)壓器控制器,具有諸多出色的特性和廣泛的應(yīng)用場景。
文件下載:LTC3834.pdf
一、LTC3834概述
LTC3834是一款能夠驅(qū)動全N溝道同步功率MOSFET級的高性能降壓開關(guān)穩(wěn)壓器控制器。它采用恒定頻率電流模式架構(gòu),具備高達650kHz的鎖相頻率,適用于多種電源應(yīng)用。其30μA的無負載靜態(tài)電流能夠有效延長電池供電系統(tǒng)的工作壽命,而OPTI - LOOP補償則可在寬范圍的輸出電容和ESR值下優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)。
1.1 主要特性
- 寬輸出電壓范圍:0.8V ≤ VOUT ≤ 10V,能夠滿足多種不同的電壓需求。
- 低靜態(tài)電流:工作時靜態(tài)電流低至30μA,關(guān)機時僅4μA,有助于降低功耗。
- OPTI - LOOP補償:可在不同的輸出電容和ESR值下優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)。
- 寬輸入電壓范圍:4V至36V,適用于多種電池化學(xué)類型。
- 鎖相固定頻率:140kHz至650kHz,可實現(xiàn)同步操作。
- 雙N溝道MOSFET同步驅(qū)動:提高效率和性能。
- 極低的壓降操作:99%的占空比,確保在低電壓差下正常工作。
- 可調(diào)輸出電壓軟啟動或跟蹤:實現(xiàn)平穩(wěn)的啟動過程。
- 輸出電流折返限制:保護電路免受短路等故障影響。
- 電源良好輸出電壓監(jiān)控:方便監(jiān)測輸出電壓狀態(tài)。
- 時鐘輸出用于多相應(yīng)用:支持多相電源設(shè)計。
- 輸出過壓保護:保障系統(tǒng)安全。
二、工作原理
2.1 主控制環(huán)路
LTC3834采用恒定頻率、電流模式降壓架構(gòu)。在正常工作時,外部頂部MOSFET在時鐘設(shè)置RS鎖存器時導(dǎo)通,當主電流比較器ICMP重置RS鎖存器時關(guān)斷。ICMP觸發(fā)并重置鎖存器的峰值電感電流由ITH引腳的電壓控制,該電壓是誤差放大器EA的輸出。誤差放大器將VFB引腳的輸出電壓反饋信號與內(nèi)部0.800V參考電壓進行比較,當負載電流增加時,VFB相對參考電壓略有下降,EA會增加ITH電壓,直到平均電感電流與新的負載電流匹配。
2.2 INTVCC / EXTVCC電源
頂部和底部MOSFET驅(qū)動器以及大多數(shù)其他內(nèi)部電路的電源來自INTVCC引腳。當EXTVCC引腳懸空或連接到低于4.7V的電壓時,內(nèi)部5.25V低壓差線性穩(wěn)壓器從VIN提供INTVCC電源;當EXTVCC高于4.7V時,5.25V穩(wěn)壓器關(guān)閉,7.5V低壓差線性穩(wěn)壓器啟用,從EXTVCC提供INTVCC電源。
2.3 關(guān)機和啟動
通過RUN引腳可以關(guān)閉LTC3834,將該引腳拉低至0.7V以下會關(guān)閉控制器的主控制環(huán)路,此時LTC3834僅消耗4μA的靜態(tài)電流。釋放RUN引腳后,內(nèi)部0.5μA電流會將引腳拉高以啟用控制器。輸出電壓VOUT的啟動由TRACK/SS引腳的電壓控制,當該引腳電壓低于0.8V內(nèi)部參考電壓時,LTC3834將VFB電壓調(diào)節(jié)到TRACK/SS引腳電壓,可用于編程軟啟動或使VOUT跟蹤其他電源。
2.4 輕載電流操作
LTC3834在低負載電流時可進入高效突發(fā)模式操作、恒定頻率脈沖跳過模式或強制連續(xù)導(dǎo)通模式。通過PLLIN/MODE引腳進行模式選擇:將該引腳連接到低于0.8V的直流電壓選擇突發(fā)模式;連接到INTVCC選擇強制連續(xù)操作;連接到大于0.8V且小于INTVCC - 0.5V的直流電壓選擇脈沖跳過模式。
2.5 頻率選擇和鎖相環(huán)
開關(guān)頻率的選擇是效率和組件尺寸之間的權(quán)衡。LTC3834的開關(guān)頻率可通過PLLLPF引腳選擇,當PLLIN/MODE引腳未由外部時鐘源驅(qū)動時,PLLLPF引腳可浮空、連接到INTVCC或SGND,分別選擇400kHz、530kHz或250kHz的開關(guān)頻率。此外,LTC3834還具備鎖相環(huán)(PLL),可將內(nèi)部振蕩器同步到連接到PLLIN/MODE引腳的外部時鐘源,典型捕獲范圍為115kHz至800kHz,保證在140kHz至650kHz之間鎖定。
2.6 多相應(yīng)用
LTC3834的CLKOUT和PHASMD引腳允許在多相應(yīng)用中與其他控制器IC進行菊花鏈連接。CLKOUT引腳的時鐘輸出信號可用于同步多相電源解決方案中的額外功率級,PHASMD引腳用于調(diào)整CLKOUT信號的相位。
2.7 輸出過壓保護
過壓比較器可防止輸出電壓出現(xiàn)瞬態(tài)過沖和其他嚴重過壓情況。當VFB引腳電壓比其0.800V的調(diào)節(jié)點高出10%以上時,頂部MOSFET關(guān)斷,底部MOSFET導(dǎo)通,直到過壓情況消除。
2.8 電源良好(PGOOD)引腳
PGOOD引腳連接到內(nèi)部N溝道MOSFET的漏極開路輸出。當VFB引腳電壓不在0.8V參考電壓的±10%范圍內(nèi)或RUN引腳為低電平時,MOSFET導(dǎo)通,PGOOD引腳被拉低;當VFB引腳電壓在要求范圍內(nèi)時,MOSFET關(guān)斷,引腳可通過外部電阻上拉至最高8.5V的電源。
三、應(yīng)用信息
3.1 RSENSE選擇
RSENSE根據(jù)所需的輸出電流進行選擇,電流比較器的最大閾值為100mV/RSENSE,輸入共模范圍為SGND至10V。為了考慮IC和外部組件值的變化,可使用公式 (R{SENSE }=frac{80 mV}{I{MAX}}) 計算RSENSE的值。
3.2 工作頻率和同步
工作頻率的選擇需要在效率和組件尺寸之間進行權(quán)衡。較低的頻率可降低MOSFET開關(guān)損耗,提高效率,但需要更大的電感和/或電容來保持低輸出紋波電壓。LTC3834的內(nèi)部振蕩器在PLLLPF引腳浮空且PLLIN/MODE引腳為直流低或高時,標稱頻率為400kHz;將PLLLPF拉至INTVCC選擇530kHz操作;拉至SGND選擇250kHz操作。此外,LTC3834可與頻率在140kHz至650kHz之間的外部時鐘信號進行鎖相。
3.3 電感值計算
電感值與工作頻率密切相關(guān),較高的工作頻率允許使用較小的電感和電容值,但會增加MOSFET柵極電荷損耗,降低效率。電感紋波電流 (Delta I{L}) 與電感值、頻率和輸入電壓有關(guān),可通過公式 (Delta I{L}=frac{1}{(f)(L)} V{oulT }left(1-frac{V{OUT }}{V{I N}}right)) 計算。一般可將紋波電流設(shè)置為 (Delta I{L}=0.3(I_{MAX })) 作為起點。
3.4 電感磁芯選擇
對于高效率轉(zhuǎn)換器,通常需要使用鐵氧體或鉬坡莫合金磁芯,以避免低成本鐵粉芯中的磁芯損耗。鐵氧體設(shè)計在高開關(guān)頻率下具有極低的磁芯損耗,但需要注意防止磁芯飽和,因為飽和會導(dǎo)致電感突然下降,增加電感紋波電流和輸出電壓紋波。
3.5 功率MOSFET和肖特基二極管選擇
需要為LTC3834選擇兩個外部功率MOSFET:一個用于頂部(主)開關(guān),一個用于底部(同步)開關(guān)。大多數(shù)應(yīng)用中應(yīng)使用邏輯電平閾值MOSFET,除非預(yù)計輸入電壓較低(VIN < 5V),此時應(yīng)使用亞邏輯電平閾值MOSFET。選擇功率MOSFET時,需要考慮“導(dǎo)通”電阻RDS(ON)、米勒電容CMILLER、輸入電壓和最大輸出電流等因素??蛇x的肖特基二極管D1可防止底部MOSFET的體二極管導(dǎo)通,提高效率。
3.6 CIN和COUT選擇
在連續(xù)模式下,頂部MOSFET的源電流是占空比為 ((V{OUT }) /(V{IN })) 的方波,為防止大的電壓瞬變,需要使用低ESR電容,并根據(jù)公式 (C{1 N} Required I{RMS } approx frac{I{MAX }}{V{IN }}left[left(V{OUT }right)left(V{IN }-V{OUT }right)right]^{1 / 2}) 計算所需的最大RMS電容電流。COUT的選擇主要取決于有效串聯(lián)電阻(ESR),輸出紋波可通過公式 (Delta V{OUT } approx I{RIPPLE }left(ESR+frac{1}{8 fC{OUT }}right)) 近似計算。
3.7 設(shè)置輸出電壓
LTC3834的輸出電壓由外部反饋電阻分壓器設(shè)置,公式為 (V{OUT }=0.8 V cdotleft(1+frac{R{B}}{R_{A}}right)) 。為提高頻率響應(yīng),可使用前饋電容CFF,并注意將VFB線路遠離噪聲源。
3.8 SENSE+和SENSE - 引腳
電流比較器的共模輸入范圍為0V至10V,可實現(xiàn)0.8V至10V的輸出電壓。根據(jù)輸出電壓的不同,電流比較器的輸入級需要從SENSE引腳提供或吸收電流。當輸出電壓低于1.5V時,可通過VOUT電阻分壓器對輸出進行預(yù)加載,以補償電流比較器的負輸入偏置電流。
3.9 跟蹤和軟啟動
TRACK/SS引腳可用于編程外部軟啟動功能或使VOUT在啟動時跟蹤其他電源。通過在TRACK/SS引腳和地之間連接一個電容,內(nèi)部1μA電流源會對電容充電,使TRACK/SS引腳電壓線性上升,從而實現(xiàn)VOUT從0V平穩(wěn)上升到最終調(diào)節(jié)值。也可通過連接電阻分壓器使VOUT跟蹤其他電源。
3.10 INTVCC調(diào)節(jié)器
LTC3834具有兩個獨立的內(nèi)部P溝道低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO),分別從VIN或EXTVCC引腳為INTVCC引腳提供電源。VIN LDO將INTVCC引腳電壓調(diào)節(jié)到5.25V,EXTVCC LDO將其調(diào)節(jié)到7.5V,每個LDO可提供50mA的峰值電流,并需要使用至少4.7μF的陶瓷電容進行旁路。通過EXTVCC LDO從LTC3834開關(guān)穩(wěn)壓器輸出獲取MOSFET驅(qū)動器和控制電源,可提高效率并降低結(jié)溫。
3.11 頂部MOSFET驅(qū)動器電源
外部自舉電容CB連接到BOOST引腳,為頂部MOSFET提供柵極驅(qū)動電壓。CB的值應(yīng)為頂部MOSFET總輸入電容的100倍,外部肖特基二極管的反向擊穿電壓必須大于VIN(MAX)。
3.12 故障條件
- 電流限制和電流折返:LTC3834包含電流折返功能,當輸出短路到地時,可幫助限制負載電流。如果輸出降至其標稱輸出電平的70%以下,最大感測電壓將從100mV逐漸降低到30mV。在短路情況下,LTC3834會開始跳周期以限制短路電流。
- 過壓保護:過壓比較器可檢測輸出電壓是否超過標稱電平的10%以上,當檢測到過壓情況時,頂部MOSFET關(guān)斷,底部MOSFET導(dǎo)通,直到過壓情況消除。
3.13 鎖相環(huán)和頻率同步
LTC3834的鎖相環(huán)(PLL)由內(nèi)部壓控振蕩器(VCO)和相位檢測器組成,可將頂部MOSFET(TG)的導(dǎo)通鎖定到連接到PLLIN/MODE引腳的外部時鐘信號的上升沿。相位檢測器的輸出是一對互補電流源,用于對連接到PLLLPF引腳的外部濾波網(wǎng)絡(luò)進行充電或放電。LTC3834只能與頻率在115kHz至800kHz(保證在140kHz至650kHz之間)的外部時鐘同步。
3.14 最小導(dǎo)通時間考慮
最小導(dǎo)通時間tON(MIN)是LTC3834能夠?qū)敳縈OSFET的最小持續(xù)時間,約為200ns。在低占空比應(yīng)用中,需要確保 (t{ON(MIN)}
3.15 效率考慮
開關(guān)穩(wěn)壓器的效率等于輸出功率除以輸入功率乘以100%。LTC3834電路中的主要損耗源包括IC VIN電流、INTVCC調(diào)節(jié)器電流、I2R損耗和頂部MOSFET過渡損耗。通過合理選擇組件和優(yōu)化電路設(shè)計,可以提高效率。
3.16 檢查瞬態(tài)響應(yīng)
可通過觀察負載電流瞬態(tài)響應(yīng)來檢查調(diào)節(jié)器環(huán)路響應(yīng)。開關(guān)穩(wěn)壓器需要幾個周期來響應(yīng)直流(電阻性)負載電流的階躍變化。當負載階躍發(fā)生時,VOUT會發(fā)生偏移,同時Cout開始充電或放電,產(chǎn)生反饋誤差信號,迫使調(diào)節(jié)器適應(yīng)電流變化并將VOUT恢復(fù)到穩(wěn)態(tài)值。在恢復(fù)過程中,可監(jiān)測VOUT是否存在過大的過沖或振鈴,以判斷是否存在穩(wěn)定性問題。OPTI - LOOP補償可在寬范圍的輸出電容和ESR值下優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)。
四、設(shè)計示例
假設(shè)輸入電壓VIN = 12V(標稱),VIN = 22V(最大),輸出電壓VOUT = 1.8V,最大輸出電流IMAX = 5A,工作頻率f = 250kHz。
- 電感值選擇:基于30%紋波電流假設(shè),選擇4.7μH電感可產(chǎn)生23%紋波電流,3.3μH電感可產(chǎn)生33%紋波電流。選擇3.3μH電感時,峰值電感電流為5.84A。
- RSENSE電阻計算:根據(jù)公式 (R_{SENSE } leq frac{80 mV}{5.84 A} approx 0.012 Omega) ,選擇1%電阻。
- 功率MOSFET選擇:選擇Fairchild FDS6982S雙MOSFET,計算得到頂部MOSFET的功率損耗約為332mW。
- 短路電流計算:短路到地時的折返電流約為2.1A,底部MOSFET的功率損耗約為100mW。
- CIN和COUT選擇:CIN選擇RMS電流額定值至少為3A的電容,COUT選擇ESR為0.02Ω的電容,以實現(xiàn)低輸出紋波。
五、PCB布局檢查清單
在進行印刷電路板布局時,需要注意以下幾點:
- 頂部N溝道MOSFET M1應(yīng)位于CIN的1cm范圍內(nèi)。
- 信號地和功率地應(yīng)分開,IC信號接地引腳和CINTVCC的接地回路應(yīng)返回COUT的負極端子。
- LTC3834的VFB引腳電阻分壓器應(yīng)連接到COUT的正極端子。
- SENSE和SENSE + 引線應(yīng)一起布線,間距最小,SENSE + 和SENSE - 之間的濾波電容應(yīng)盡可能靠近IC。
- INTVCC去耦電容應(yīng)靠近IC,連接在INTVCC和功率接地引腳之間。
- 開關(guān)節(jié)點(SW)、頂部柵極節(jié)點(TG)和升壓節(jié)點(BOOST)應(yīng)遠離敏感小信號節(jié)點。
- 使用改進的“星形接地”技術(shù),在電路板上設(shè)置低阻抗、大銅面積的中央接地點。
六、典型應(yīng)用
LTC3834可用于多種不同的降壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如9.5V、3A降壓轉(zhuǎn)換器,12V至1.8V、2A降壓轉(zhuǎn)換器,5V、5A降壓轉(zhuǎn)換器和1.2V、5A降壓轉(zhuǎn)換器等。
七、相關(guān)部件
凌力爾特還有一系列與LTC3834相關(guān)的部件,如LTC1735、LTC1778/LTC1778 - 1、LTC3708等,它們在不同的應(yīng)用場景中具有各自的特點和優(yōu)勢。
總之,LTC3834是一款功能強大、性能出色的降壓開關(guān)穩(wěn)壓器控制器,在設(shè)計電源系統(tǒng)時,電子工程師可以根據(jù)具體需求合理選擇和應(yīng)用該器件,并結(jié)合上述設(shè)計指南進行優(yōu)化,以實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電源設(shè)計。你在使用LTC3834的過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
-
電源設(shè)計
+關(guān)注
關(guān)注
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