Microchip TC1302A/B：低靜態(tài)電流雙輸出LDO的卓越之選

在電子設(shè)計領(lǐng)域，電源管理芯片的性能往往對整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率起著關(guān)鍵作用。Microchip的TC1302A/B低靜態(tài)電流雙輸出LDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）就是這樣一款值得關(guān)注的產(chǎn)品，它為眾多應(yīng)用場景提供了可靠的電源解決方案。

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一、產(chǎn)品特性亮點

1. 雙輸出設(shè)計

TC1302A/B集成了兩個LDO調(diào)節(jié)器，輸出電壓范圍靈活。(V{OUT 1})可在1.5V至3.3V之間調(diào)節(jié)，最大輸出電流為300mA；(V{OUT2})同樣在1.5V至3.3V范圍內(nèi)，最大輸出電流為150mA。這種雙輸出的設(shè)計能夠滿足不同負(fù)載對電源的需求，適用于多種復(fù)雜的電路設(shè)計。

2. 低壓差與低靜態(tài)電流

該芯片具有低壓差特性，(V{OUT1})在300mA時典型壓差為104mV，(V{OUT2})在150mA時典型壓差為150mV。同時，靜態(tài)電流極低，TC1302A/B在雙輸出電壓均可用時典型靜態(tài)電流僅為116μA，這對于電池供電的設(shè)備來說，能夠有效延長電池續(xù)航時間。

3. 低噪聲與穩(wěn)定性

芯片提供參考旁路輸入，可外接電容進一步降低輸出噪聲，提高電源抑制比（PSRR）。并且，只需最小1μF的陶瓷輸出電容，就能保證兩個輸出電壓在各種線路和負(fù)載條件下的穩(wěn)定性。

4. 節(jié)能與保護功能

具備節(jié)能的關(guān)機模式，從關(guān)機模式喚醒的典型時間為5.3μs。此外，還擁有過溫保護和過流保護功能，能夠在負(fù)載出現(xiàn)故障時保護芯片，確保系統(tǒng)的可靠性。

5. 封裝選擇多樣

提供8引腳DFN或MSOP封裝選項，體積小巧，適合對空間要求較高的應(yīng)用場景。

二、技術(shù)參數(shù)詳解

1. 絕對最大額定值

芯片的絕對最大額定值規(guī)定了其正常工作的邊界條件。例如，(V{DD})最大為6.5V，任何引腳的最大電壓范圍為((V{IN} – 0.3)V)至((V_{IN} + 0.3)V)，存儲溫度范圍為 -65°C至 +150°C，最大結(jié)溫為 +150°C等。在設(shè)計時，必須嚴(yán)格遵守這些參數(shù)，以避免芯片損壞。

2. DC特性

• 輸入工作電壓：(V{IN})范圍為2.7V至6.0V，且需滿足(V{IN } ≥2.7 ~V)和(V{IN } ≥V{R}+V{DROPOUT })兩個條件，其中(V{R})為兩個調(diào)節(jié)器標(biāo)稱輸出電壓中的較高值。
• 輸出電壓容差：(V{OUT1})和(V{OUT2})的輸出電壓容差在(V{R} – 2.5%)至(V{R} + 2.5%)之間，典型調(diào)節(jié)精度為0.5%。
• 溫度系數(shù)：輸出電壓的溫度系數(shù)典型值為25ppm/°C，這意味著在溫度變化時，輸出電壓的穩(wěn)定性較好。
• 線路和負(fù)載調(diào)節(jié)：線路調(diào)節(jié)典型值為0.02%/V，負(fù)載調(diào)節(jié)在不同輸出電壓條件下有相應(yīng)的規(guī)定，確保輸出電壓在輸入電壓和負(fù)載變化時保持穩(wěn)定。

3. 溫度特性

芯片的工作結(jié)溫范圍為 -40°C至 +125°C，存儲溫度范圍為 -65°C至 +150°C。不同封裝的熱阻不同，如MSOP8典型熱阻為208°C/W，DFN8典型熱阻為41°C/W，這對于散熱設(shè)計和功率計算至關(guān)重要。

三、引腳功能與應(yīng)用電路

1. 引腳功能

• TC1302A：(V{OUT1})可提供300mA的輸出電流，無獨立的開關(guān)控制引腳；(V{OUT2})可通過SHDN2引腳進行開關(guān)控制；Bypass引腳可外接電容降低輸出噪聲；GND為電路接地引腳；(V_{IN})為未調(diào)節(jié)的輸入電壓引腳。
• TC1302B：與TC1302A類似，但(V_{OUT1})也可通過SHDN1引腳進行開關(guān)控制，實現(xiàn)了兩個輸出的獨立開關(guān)操作。

2. 典型應(yīng)用電路

文檔中給出了TC1302A和TC1302B的典型應(yīng)用電路示例。在實際設(shè)計中，輸入電容建議使用1μF至4.7μF，輸出電容最小為1μF陶瓷電容，以確保芯片的穩(wěn)定性和性能。

四、功率計算與布局考慮

1. 功率計算

芯片的內(nèi)部功率損耗與輸入電壓、輸出電壓、輸出電流和靜態(tài)電流有關(guān)?？赏ㄟ^以下公式計算：

• (P{LDO}=(V{IN(MAX)}-V{OUT(MIN)}) × I{OUT(MAX)})
• (P{I(GND)}=V{IN(MAX)} × I{VIN}) 總功率損耗為兩個LDO的功率損耗與(P{I(GND)})之和。同時，可根據(jù)熱阻和環(huán)境溫度估算芯片的結(jié)溫，以確保芯片在安全的溫度范圍內(nèi)工作。

2. 布局考慮

在設(shè)計PCB布局時，應(yīng)將輸入和輸出電容盡可能靠近芯片引腳，以減小線路電感和電阻，提高電源的穩(wěn)定性。文檔中給出了TC1302A在MSOP8和3x3DFN8封裝下的典型布局示例，可供參考。

五、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛

TC1302A/B適用于多種應(yīng)用場景，如蜂窩/GSM/PHS手機、電池供電系統(tǒng)、手持醫(yī)療儀器、便攜式計算機/PDAs、開關(guān)電源的線性后調(diào)節(jié)器以及尋呼機等。其低功耗、高穩(wěn)定性和靈活的輸出電壓設(shè)置，能夠滿足不同設(shè)備對電源的需求。

Microchip的TC1302A/B低靜態(tài)電流雙輸出LDO以其卓越的性能和豐富的功能，為電子工程師提供了一個可靠的電源管理解決方案。在實際設(shè)計中，我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，合理選擇芯片的封裝、輸出電壓和電容參數(shù)，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。大家在使用過程中遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。