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深入解析SGM62110/SGM62111:2.5A Buck - Boost轉(zhuǎn)換器的卓越性能與應用

lhl545545 ? 2026-03-18 15:00 ? 次閱讀
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深入解析SGM62110/SGM62111:2.5A Buck - Boost轉(zhuǎn)換器的卓越性能與應用

在電子設計領域,電源管理芯片的性能直接影響著整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。SGM62110和SGM62111作為SGMICRO推出的兩款4 - 開關Buck - Boost轉(zhuǎn)換器,憑借其可編程的I2C接口和豐富的功能特性,在眾多應用場景中展現(xiàn)出了卓越的性能。今天,我們就來深入剖析這兩款芯片。

文件下載:SGM62110_SGM62111.pdf

一、產(chǎn)品概述

SGM62110和SGM62111具備同步整流功能,可有效提高系統(tǒng)效率,這對于電池供電的應用來說至關重要。其可編程的輕載PFM(脈沖頻率調(diào)制)模式和低靜態(tài)電流,使得在10mA至2A的輸出電流范圍內(nèi)效率能達到90%以上。這兩款芯片能夠在輸入電壓低于、高于或等于輸出電壓時調(diào)節(jié)輸出電壓,并且優(yōu)化了模式轉(zhuǎn)換,確保了平滑的操作并減少了輸出電壓紋波。此外,它們還支持動態(tài)電壓縮放,可通過VSEL引腳和I2C控制的輸出電壓寄存器根據(jù)應用需求切換輸出電壓。同時,芯片具備過溫、輸入過壓和輸出過流等強大的保護功能,能有效防止系統(tǒng)意外故障。采用小型的Green WLCSP - 2.21×1.40 - 15B封裝,高度集成的設計僅需四個外部組件,PCB面積可小至39mm2。

二、關鍵特性

1. 電壓范圍

輸入電壓范圍為2.2V至5.5V,輸出電壓范圍為1.8V至5.2V,能滿足多種不同的應用需求。在不同的輸入輸出電壓組合下,芯片有著不同的輸出電流能力,例如當 (V{IN } ≥2.5 ~V) 且 (V{OUT }=3.3 ~V) 時,輸出電流可達2.2A;當 (V{IN } ≥2.8 ~V) 且 (V{OUT }=3.5 ~V) 時,輸出電流為2.5A。

2. 效率與電流

在10mA至2A的輸出電流范圍內(nèi),效率高于90%,靜態(tài)電流典型值為18μA。用戶可選擇PFM模式,芯片還具備真正的Buck、Boost和Buck - Boost模式,并且能自動進行模式轉(zhuǎn)換。

3. 接口與保護

支持I2C接口,時鐘速度最高可達1MHz,內(nèi)部具備軟啟動功能。同時擁有OTP(過溫保護)、輸入OVP(過壓保護)和輸出OCP(過流保護)等保護機制,還有真正的關斷功能,可實現(xiàn)負載斷開和主動輸出放電。

三、應用領域

SGM62110和SGM62111適用于多種場景,如智能手機和平板電腦、預調(diào)節(jié)器和USB VCONN電源、TWS耳塞充電器以及通用負載點調(diào)節(jié)器等。這些應用場景對電源的效率、穩(wěn)定性和輸出電壓的靈活性都有較高要求,而這兩款芯片正好能滿足這些需求。

四、電氣特性與性能

1. 電氣參數(shù)

在 (V{IN}=3.6 ~V) 、 (V{OUT }=3.3 ~V) 、 (T_{J}=-40^{circ} C) 至 +125℃ 的條件下,芯片有著一系列特定的電氣參數(shù)。例如,電源電流典型值為18μA,關斷電流為0.1μA,UVLO(欠壓鎖定)上升閾值電壓為2.1V,下降閾值電壓為1.9V等。

2. 性能曲線

從典型性能曲線可以看出,芯片在不同的輸入電壓和輸出電流下有著不同的效率表現(xiàn)。例如,在輸出電流為1A、輸入電壓為3.6V時,不同輸出電壓下的效率有所差異。同時,在負載調(diào)節(jié)和線路調(diào)節(jié)方面,芯片也能保持較好的性能,確保輸出電壓的穩(wěn)定。

五、工作模式與控制

1. 模式切換

芯片能根據(jù)輸入和輸出電壓自動選擇操作模式。當 (V{IN } gg V{OUT }) 時,處于Buck模式;當 (V{IN } ll V{OUT }) 時,處于Boost模式;當 (V{OUT } ~ V{IN }) 時,處于4 - 周期Buck - Boost模式。在Buck - Boost模式下,通過控制四個開關交替導通,可降低電感和輸出電容中的RMS電流,從而減少輸出電壓紋波并提高效率。

2. 控制方案

采用峰值電流模式控制方案,誤差放大器輸出設定電流環(huán)閾值,用于PWM占空比控制和操作模式選擇。當感應到的峰值電感電流達到誤差放大器的參考信號時,導通階段結束,下一個階段開始。

3. 節(jié)能模式

在啟動時,芯片會強制進入PSM(節(jié)能模式),直到首次達到電源良好狀態(tài)。在PSM模式下,中重負載時以連續(xù)電流模式和恒定開關頻率模式運行,輕負載時切換到PFM模式,通過減少開關周期降低開關損耗,提高輕負載效率。不過,PFM模式下輸出電壓紋波、直流輸出電壓精度和負載瞬態(tài)性能會有所降低。

4. 強制PWM操作

通過設置控制寄存器中的FPWM位為1可啟用強制PWM模式。在該模式下,輕負載時同步開關不會因電感電流為負而關閉,能保持恒定的開關頻率,輸出電壓紋波更低,瞬態(tài)響應更好,但在低輸出電流時,開關和傳導損耗較高,效率較低。

六、功能特性與保護

1. 設備啟用

有兩種方式啟用芯片,一是在EN引腳施加邏輯高信號,二是通過I2C配置ENABLE位。

2. 欠壓鎖定

當輸入電源電壓過低時,欠壓鎖定功能會禁用芯片,防止設備故障。

3. 軟啟動

啟動時,內(nèi)置的軟啟動功能可最小化浪涌電流并限制輸出電壓過沖,通過逐漸增加開關電流限制,確保在無負載和重負載情況下都能正常啟動。

4. 輸出電壓控制

輸出電壓可在1.8V至5.2V之間以25mV的分辨率進行編程,通過控制寄存器中的RANGE位選擇輸出電壓范圍,VSEL引腳選擇VOUTx寄存器來設置輸出電壓。

5. 動態(tài)電壓縮放

允許以可控速率改變輸出電壓,通過控制寄存器中的2位SLEW[1:0]參數(shù)選擇四種壓擺率值之一。當VSEL邏輯電平改變或在活動的VOUTx寄存器中寫入新值時,會啟動DVS斜坡。

6. 輸入電壓保護

當通過DVS將輸出電壓降至較低值時,可能會出現(xiàn)電流從輸出回流到輸入的情況。芯片提供IVP(輸入電壓保護)功能,確保VIN引腳電壓在任何情況下都不超過5.7V。

7. 電流限制保護

芯片實現(xiàn)了峰值電感電流限制,以保護設備在過載情況下的安全。過載通常會導致功率耗散增加和結溫升高,觸發(fā)過溫保護使設備關閉。

8. 熱關斷

當結溫超過 +150℃ 閾值時,轉(zhuǎn)換器會關閉以保護設備,當結溫降至 +130℃ 以下時,設備會自動恢復運行。

9. 電源良好

通過狀態(tài)寄存器提供電源良好功能,當輸出電壓達到編程輸出電壓的95%以上時,電源良好位變?yōu)檫壿嫷?;當輸出電壓降至編程電壓?0%以下時,變?yōu)檫壿嫺摺?/p>

10. 負載斷開與輸出放電

設備關閉時,輸入和輸出斷開,阻止電流在輸入和輸出之間流動。當EN引腳施加邏輯低信號或ENABLE位設置為0時,VOUT會主動拉低以放電輸出。

七、I2C接口與編程

1. I2C通信

I2C是一種廣泛使用的2線雙向串行通信接口,用于芯片的參數(shù)編程、狀態(tài)接收和報告。芯片作為從設備,地址為75h,支持標準模式(100kbps)、快速模式(400kbps)和快速模式加(1Mbps)的數(shù)據(jù)傳輸速度。

2. 通信協(xié)議

通信過程包括啟動和停止條件、數(shù)據(jù)位傳輸和有效性、數(shù)據(jù)格式以及數(shù)據(jù)通信協(xié)議等。啟動條件由主設備在SCL為高時將SDA從高拉低產(chǎn)生,停止條件則是在SCL為高時將SDA從低拉高。數(shù)據(jù)傳輸以字節(jié)為單位,每個字節(jié)傳輸后會有一個確認位。

3. 寄存器讀寫

主設備發(fā)送啟動條件后,發(fā)送從設備地址和數(shù)據(jù)方向位,然后根據(jù)讀寫操作發(fā)送相應的數(shù)據(jù)。寫入時,主設備發(fā)送寄存器地址和數(shù)據(jù);讀取時,主設備先發(fā)送重復啟動條件,然后讀取寄存器內(nèi)容。

八、應用設計

1. 設計要求

以智能手機2A電源應用為例,輸入電壓范圍為2.5V至4.8V,輸出電壓范圍為1.8V至5.2V,輸出電流為2A,I2C總線電容為100pF,總線電壓為3.3V,總線速度為快速模式(400kHz)。

2. 元件選擇

  • 輸入電容:考慮DC偏置降額后,總輸入電容建議大于5μF,多數(shù)應用中推薦使用10μF、6.3V的陶瓷電容。若電源距離芯片較遠,可使用額外的大容量電容。
  • 電感:推薦使用0.47μH的電感,低DCR電感可提高效率。額定飽和電流應至少比最壞情況下的最大峰值電流高20%,通過計算最大占空比和最大電感電流來選擇合適的電感。
  • 輸出電容:建議有效輸出電容至少為16μF,多數(shù)應用中使用兩個22μF、6.3V的陶瓷電容即可。為減少高頻噪聲,可在VOUT和GND引腳附近并聯(lián)一個100nF的陶瓷電容。
  • I2C上拉電阻:根據(jù)標準I2C規(guī)范和相關公式計算上拉電阻的最大值和最小值,選擇合適的上拉電阻值。

九、布局建議

布局對于DC/DC電源的開關模式至關重要,不當?shù)牟季挚赡軐е翬MI性能不佳、設備不穩(wěn)定甚至損壞。輸入電容、輸出電容和電感應盡量靠近芯片,芯片采用電源地和控制地引腳,可減少接地噪聲對敏感模擬電路的影響,模擬接地跡線應在單點連接到主電源地。

SGM62110和SGM62111憑借其豐富的功能、高效的性能和靈活的控制方式,為電子工程師在電源設計方面提供了優(yōu)秀的解決方案。在實際應用中,我們需要根據(jù)具體需求合理選擇元件和布局,以充分發(fā)揮芯片的優(yōu)勢。你在使用這兩款芯片的過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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