SGM6613A:高效同步升壓轉(zhuǎn)換器的卓越之選
在電子設(shè)計領(lǐng)域,電源管理芯片的性能直接影響著整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。今天,我們就來深入探討一款高性能的同步升壓轉(zhuǎn)換器——SGM6613A。
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一、產(chǎn)品概述
SGM6613A是一款高度集成的同步升壓轉(zhuǎn)換器,內(nèi)部集成了17mΩ的低端功率開關(guān)和31mΩ的高端功率開關(guān)。它能夠提供高達(dá)28.5V的輸出電壓,輸入電壓范圍為4.5V至22V,可滿足多種應(yīng)用場景的需求。
二、產(chǎn)品特性
1. 寬輸入輸出電壓范圍
- 輸入電壓范圍為4.5V至22V,輸出電壓范圍為((V_{IN}+5V))至28.5V,這種寬范圍的設(shè)計使得它在不同的電源環(huán)境下都能穩(wěn)定工作。
2. 高電流輸出能力
- 具備高達(dá)7A的電阻可編程電流限制,能夠?yàn)樨?fù)載提供充足的電流。
3. 集成式功率MOSFET
- 集成了17mΩ/31mΩ的功率MOSFET,有效降低了導(dǎo)通損耗,提高了轉(zhuǎn)換效率。在(V{IN}=5V),(V{OUT}=28.5V)且(I_{OUT}=500mA)的條件下,效率可達(dá)90%。
4. 可編程開關(guān)頻率
- 支持高達(dá)700kHz的電阻可編程開關(guān)頻率,方便工程師根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行調(diào)整。
5. 多重保護(hù)功能
- 具備過壓保護(hù)、電感電流限制保護(hù)和熱關(guān)斷保護(hù)等功能,確保芯片在異常情況下的安全性和穩(wěn)定性。
6. 輕載強(qiáng)制PWM模式
- 在輕載條件下采用強(qiáng)制脈沖寬度調(diào)制(PWM)模式,可防止因低開關(guān)頻率導(dǎo)致的操作故障,同時減少聲學(xué)噪聲和開關(guān)頻率干擾。
7. 環(huán)保封裝
- 采用綠色TQFN - 3×3.5 - 13L封裝,符合環(huán)保要求。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
SGM6613A的應(yīng)用范圍十分廣泛,常見于以下領(lǐng)域:
- 便攜式揚(yáng)聲器箱:為揚(yáng)聲器提供穩(wěn)定的電源,保證音質(zhì)的清晰和穩(wěn)定。
- LCD顯示源驅(qū)動器:為LCD顯示屏提供合適的電源,確保顯示效果。
- 功率放大器和電機(jī)驅(qū)動器電源:滿足功率放大器和電機(jī)驅(qū)動器對電源的高要求。
- USB Type - C電源:為USB Type - C接口設(shè)備提供穩(wěn)定的電源支持。
四、引腳配置與功能
1. 引腳配置
| PIN | NAME | I/O | FUNCTION |
|---|---|---|---|
| 1 | FREQ | I | 可調(diào)開關(guān)頻率引腳,通過在FREQ和AGND之間放置電阻來編程開關(guān)頻率。 |
| 2 | AGND | - | 模擬信號地。 |
| 3 | ILIM | I | 可調(diào)峰值電流限制,通過在該引腳和AGND之間放置電阻來編程峰值電流限制。 |
| 4 | COMP | O | 內(nèi)部誤差放大器的輸出,在該引腳和AGND之間放置環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。 |
| 5 | FB | I | 電壓反饋,連接到電阻分壓器以編程輸出電壓。 |
| 6 | PGND | PWR | 功率地,連接到低端MOSFET的源極。 |
| 7 | SW | PWR | 轉(zhuǎn)換器的開關(guān)節(jié)點(diǎn),連接到內(nèi)部功率MOSFET。 |
| 8 | VOUT | PWR | 升壓轉(zhuǎn)換器輸出。 |
| 9 | NC | - | 未連接。 |
| 10 | VCC | O | 內(nèi)部穩(wěn)壓器的輸出,在該引腳和地之間連接一個大于1.0μF的電容。 |
| 11 | EN | I | 使能輸入引腳,邏輯高電平使能設(shè)備,邏輯低電平關(guān)閉設(shè)備。 |
| 12 | VIN | I | 電源。 |
| 13 | BOOT | O | 高端MOSFET的柵極驅(qū)動器電源,通過陶瓷電容將該引腳連接到SW引腳。 |
2. 引腳功能詳解
- FREQ引腳:通過外部電阻可以靈活調(diào)整開關(guān)頻率,以適應(yīng)不同的應(yīng)用需求。例如,當(dāng)(R_{FREQ}=330kΩ)時,開關(guān)頻率約為500kHz。
- ILIM引腳:通過連接電阻可以設(shè)置峰值電流限制,計算公式為(R{LIM}=frac{730}{I{LIM}})。例如,選擇107kΩ的電阻可設(shè)置6.8A的峰值電流限制。
- FB引腳:用于電壓反饋,通過電阻分壓器可以精確設(shè)置輸出電壓,計算公式為(V{OUT}=V{FB}×(1+frac{R{UP}}{R{DOWN}}))。
五、電氣特性
1. 電源特性
- 輸入電壓范圍為4.5V至22V,輸入欠壓鎖定(UVLO)閾值典型值為4.1V,滯回為160mV。
- VCC調(diào)節(jié)電壓在(I{CC}=5mA),(V{IN}=6V)時為5V。
- 靜態(tài)電流方面,在IC使能、無負(fù)載、無開關(guān)且(V{IN}=4.5V),(V{OUT}=28.5V),(V_{FB}=1.23V)時,流入VIN引腳的靜態(tài)電流為420 - 510μA;流入VOUT引腳的靜態(tài)電流為150 - 200μA。
- 關(guān)斷電流方面,IC禁用且(V{IN}=4.5V)時,流入VIN引腳的關(guān)斷電流為0.8 - 3μA;(V{IN}=22V)時為4.4 - 8μA。
2. 輸出電壓特性
- 輸出電壓范圍為9.5V至28.5V,輸出過壓保護(hù)閾值典型值為30.2V。
3. 功率開關(guān)特性
- 高端MOSFET導(dǎo)通電阻在(V{CC}=5V),(T{J}=+25℃)時典型值為31mΩ,最大值為40mΩ;低端MOSFET導(dǎo)通電阻典型值為17mΩ,最大值為25mΩ。
4. 電流限制特性
- 電阻可編程電流限制在(R{LIM}=107kΩ),(T{J}=+25℃)時,典型值為6.8A,最小值為5.3A,最大值為8.2A。
5. 電壓參考特性
- FB引腳的參考電壓在強(qiáng)制PWM操作且(T_{J}=+25℃)時,典型值為1.200V,最小值為1.176V,最大值為1.224V。
6. 其他特性
- 誤差放大器的COMP引腳輸出高電壓典型值為1.57V,輸出低電壓典型值為0.46V,跨導(dǎo)典型值為260μS。
- 軟啟動時間典型值為11ms,預(yù)充電時間典型值為2.7ms。
- 熱關(guān)斷上升閾值典型值為150℃,下降閾值典型值為130℃,打嗝模式下重啟等待時間為70ms。
- 開關(guān)頻率在(R_{FREQ}=330kΩ)時,典型值為500kHz,最小值為400kHz,最大值為600kHz,最小導(dǎo)通時間為180ns。
六、典型性能特性
1. 效率與輸出電流關(guān)系
在不同輸入電壓下,效率隨輸出電流的變化而變化。例如,在(V{IN}=5V),(V{OUT}=28.5V)的條件下,效率最高可達(dá)90%左右。
2. 峰值電流限制與設(shè)置電阻關(guān)系
通過改變設(shè)置電阻的阻值,可以精確調(diào)整峰值電流限制。
3. 導(dǎo)通電阻與溫度關(guān)系
高端和低端MOSFET的導(dǎo)通電阻隨溫度的升高而增大。
4. 其他特性
還包括輸入欠壓鎖定上升/下降閾值與溫度的關(guān)系、EN上升/下降閾值與溫度的關(guān)系、參考電壓與溫度的關(guān)系、輸出電壓與溫度和輸出電流的關(guān)系等。
七、詳細(xì)工作原理
1. 工作模式
- 中重負(fù)載條件:采用固定頻率PWM模式,保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。
- 輕負(fù)載條件:采用強(qiáng)制PWM模式,避免聲學(xué)噪聲和開關(guān)頻率干擾。
2. 輸入欠壓鎖定(UVLO)
當(dāng)輸入電壓低于典型值3.94V(滯回160mV)時,欠壓鎖定電路會阻止設(shè)備工作;當(dāng)輸入電壓上升超過4.1V(典型值)時,設(shè)備重新啟動。
3. 使能與禁用
當(dāng)啟動時輸入電壓超過最小輸入電壓且EN電壓高于其邏輯高閾值時,SGM6613A被使能;當(dāng)EN電壓低于其邏輯低閾值時,進(jìn)入關(guān)斷模式。
4. 啟動過程
- 采用軟啟動功能,在預(yù)充電階段以固定的500kHz開關(guān)頻率將輸出電壓充電至(1.1×V_{IN})。
- 預(yù)充電階段(典型值2.7ms)結(jié)束后,輸出電壓逐漸線性上升至目標(biāo)值,軟啟動時間典型值為11ms。
- 之后,開關(guān)頻率由通過FREQ引腳連接的電阻設(shè)置。
5. 可調(diào)峰值電流限制
為避免意外的大峰值電流,采用內(nèi)部逐周期電流限制。通過連接電阻到ILIM引腳可以設(shè)置峰值電流限制。
6. 可調(diào)開關(guān)頻率
開關(guān)頻率最高可達(dá)700kHz,由連接在FREQ引腳和AGND引腳之間的外部電阻(R{FREQ})設(shè)置。計算公式為(T=frac{1}{f{FREQ}}=k×C{FREQ}×R{FREQ}+t{DELAY}),其中(t{DELAY}=200ns),(k = 3),(C_{FREQ}=1.8pF)。
7. 帶預(yù)偏置輸出的啟動
如果在啟動前檢測到輸出端有預(yù)偏置電壓,低端開關(guān)將被禁止導(dǎo)通和放電輸出。只要內(nèi)部軟啟動電壓高于(V_{FB}),低端開關(guān)就允許吸收電流,實(shí)現(xiàn)帶預(yù)偏置輸出的單調(diào)啟動。
8. 自舉電壓(BOOT)
在BOOT引腳和SW引腳之間連接一個小陶瓷電容(推薦值大于0.1μF),為高端MOSFET設(shè)備的柵極提供充電電流,并為自舉電容充電。
9. 過壓保護(hù)(OVP)
提供30.2V(典型值)的OVP閾值,當(dāng)輸出電壓超過該閾值時,設(shè)備立即停止開關(guān),直到VOUT引腳電壓下降到輸出OVP閾值以下600mV。
10. 熱關(guān)斷
內(nèi)部溫度監(jiān)控器可防止芯片因過熱而損壞。當(dāng)芯片溫度超過150℃(典型值)時,設(shè)備停止開關(guān);當(dāng)溫度下降到130℃(典型值)以下時,設(shè)備恢復(fù)工作。
八、應(yīng)用信息
1. 典型應(yīng)用
以5V輸入、28.5V輸出的轉(zhuǎn)換器為例,給出了詳細(xì)的電路設(shè)計和元件參數(shù)。
2. 設(shè)計要求
- 輸入電壓范圍為4.5V至22V,輸出電壓為28.5V,輸出紋波電壓為±3%。
3. 元件選擇
- 電感:推薦了多種電感型號,如744325180(1.8μH)、74437368033(3.3μH)等,并給出了其相關(guān)參數(shù)。
- 電容:輸出電容推薦使用3 × 22μF X5R或X7R MLCC電容并聯(lián);輸入電容推薦使用22μF;自舉電容推薦使用0.047μF - 0.1μF,本設(shè)計中使用0.1μF;(C_{VCC})推薦使用1μF - 4.7μF,本設(shè)計中使用4.7μF。
4. 參數(shù)設(shè)置
- 峰值電流限制:通過外部電阻設(shè)置,為保證安全,推薦選擇比計算值小約10%的電阻。例如,設(shè)置6.8A的電流限制,計算值為107kΩ,實(shí)際選擇93.6kΩ。
- 輸出電壓:通過電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)設(shè)置,計算公式為(V{OUT}=V{FB}×(1+frac{R{UP}}{R{DOWN}}))。例如,設(shè)置28.5V的輸出電壓,選擇(R{DOWN})約為80.6kΩ,(R{UP})為1.83MΩ。
5. 布局指南
- 對于開關(guān)電源,尤其是高頻高電流的電源,布局非常重要。應(yīng)使用寬而短的走線用于高電流路徑,將輸入電容盡可能靠近VIN引腳和GND引腳,SW引腳的連接應(yīng)盡可能短而寬,輸出電容應(yīng)靠近VOUT引腳,敏感信號(如FB、COMP)的走線應(yīng)遠(yuǎn)離SW走線,且其接地應(yīng)與功率地分開。
九、封裝信息
1. 封裝尺寸
采用TQFN - 3×3.5 - 13L封裝,并給出了詳細(xì)的封裝尺寸和推薦焊盤尺寸。
2. 編帶和卷盤信息
包括卷盤尺寸、編帶尺寸和關(guān)鍵參數(shù)列表。
3. 紙箱尺寸
給出了13″卷盤對應(yīng)的紙箱尺寸。
十、總結(jié)
SGM6613A是一款性能卓越的同步升壓轉(zhuǎn)換器,具有寬輸入輸出電壓范圍、高電流輸出能力、多重保護(hù)功能等優(yōu)點(diǎn)。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師可以根據(jù)具體需求合理選擇元件參數(shù)和設(shè)置相關(guān)功能,同時注意布局設(shè)計,以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢。大家在使用SGM6613A的過程中,有沒有遇到過一些特殊的問題或者有什么獨(dú)特的設(shè)計經(jīng)驗(yàn)?zāi)兀繗g迎在評論區(qū)分享交流。
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