91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新品 | 英飛凌XHP? 2系列新增2300V IGBT模塊

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2026-03-23 17:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新品

英飛凌XHP 2系列新增2300V

IGBT模塊

7755402e-2697-11f1-96ea-92fbcf53809c.png


英飛凌XHP 2系列新增2300V產(chǎn)品,順應(yīng)可再生能源等應(yīng)對(duì)更高直流母線電壓的趨勢(shì)。該模塊額定值為2300V/1400A,采用TRENCHSTOP IGBT 7芯片技術(shù),在6kV電氣隔離電壓下,為高功率應(yīng)用提供了卓越的功率密度和效率。


可選預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料TIM版本,以簡(jiǎn)化組裝并優(yōu)化散熱性能。


產(chǎn)品型號(hào):

FF1400R23T2E7_B5

FF1400R23T2E7P_B5


產(chǎn)品框圖

777fd168-2697-11f1-96ea-92fbcf53809c.png


產(chǎn)品特性


低寄生電感封裝XHP 2

對(duì)稱模塊設(shè)計(jì)

最高連續(xù)工作結(jié)溫175°C

CTI>600

6kV隔離電壓

鋁碳化硅AlSiC基板


應(yīng)用價(jià)值


高能效

高功率密度

惡劣環(huán)境下性能穩(wěn)定可靠

易于并聯(lián)


競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)


2300V阻斷電壓配合6kV隔離電壓,支持直流母線電壓高達(dá)3000V的三電平拓?fù)?/p>

模塊材料構(gòu)成支持最高工作結(jié)溫175°C,確保在嚴(yán)苛環(huán)境條件下性能更優(yōu)

高循環(huán)耐受能力


應(yīng)用領(lǐng)域


風(fēng)電

儲(chǔ)能系統(tǒng)

光伏

牽引系統(tǒng)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2528

    瀏覽量

    143007
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    463

    文章

    54098

    瀏覽量

    467298
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1289

    文章

    4349

    瀏覽量

    263481
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    新品 | 英飛凌XHP? 2系列2300V CoolSiC? 碳化硅MOSFET

    新品英飛凌XHP2系列2300VCoolSiC碳化硅MOSFET為順應(yīng)可再生能源領(lǐng)域中1500V
    的頭像 發(fā)表于 02-26 17:06 ?1386次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>XHP</b>? <b class='flag-5'>2</b><b class='flag-5'>系列</b><b class='flag-5'>2300V</b> CoolSiC? 碳化硅MOSFET

    新品 | 采用6500V IGBT 4溝槽柵場(chǎng)截止技術(shù)的IHV-A模塊

    新品采用6500VIGBT4溝槽柵場(chǎng)截止技術(shù)的IHV-A模塊IHV系列6500V/675A/130mmIGBT模塊,應(yīng)用了
    的頭像 發(fā)表于 02-02 17:09 ?1927次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用6500<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b> 4溝槽柵場(chǎng)截止技術(shù)的IHV-A<b class='flag-5'>模塊</b>

    富士IGBT模塊2MBI800XNE120-50為什么加速被碳化硅SiC模塊所取代?

    高性能電力電子系統(tǒng)的范式轉(zhuǎn)移:傾佳電子代理的BASiC碳化硅MOSFET功率模塊BMF540R12MZA3與青銅劍驅(qū)動(dòng)板配套替代傳統(tǒng)富士和英飛凌IGBT模塊的技術(shù)報(bào)告 用 傾佳電子 代
    的頭像 發(fā)表于 12-24 12:21 ?1353次閱讀
    富士<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b><b class='flag-5'>2</b>MBI800XNE120-50為什么加速被碳化硅SiC<b class='flag-5'>模塊</b>所取代?

    納微半導(dǎo)體發(fā)布3300V/2300V超高壓SiC全系產(chǎn)品組合

    全新發(fā)布的3300V / 2300V GeneSiC 碳化硅產(chǎn)品基于最新溝槽輔助平面柵技術(shù) Trench-Assisted Planar(TAP)與先進(jìn)封裝,實(shí)現(xiàn) AI 數(shù)據(jù)中心、電網(wǎng)與能源基礎(chǔ)設(shè)施及工業(yè)電氣化系統(tǒng)的更高效率與更長壽命,包括儲(chǔ)能、可再生能源與兆瓦級(jí)快充等關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 12-15 14:00 ?553次閱讀

    英飛凌3.3kV SiC XHP2模塊:重新定義高壓牽引系統(tǒng)的性能標(biāo)桿

    在軌道交通、風(fēng)電變流器等高壓大功率應(yīng)用中,提升功率密度和系統(tǒng)效率是關(guān)鍵挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)硅基IGBT模塊雖成熟可靠,但受限于材料特性,難以滿足高頻、高效的新需求。英飛凌推出
    的頭像 發(fā)表于 11-27 17:29 ?1489次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>3.3kV SiC <b class='flag-5'>XHP2</b><b class='flag-5'>模塊</b>:重新定義高壓牽引系統(tǒng)的性能標(biāo)桿

    龍騰半導(dǎo)體推出四款650V F系列IGBT新品

    隨著便攜儲(chǔ)能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對(duì)高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其性能已成為決定整機(jī)效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)高性能功率器件的迫切需求,龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列
    的頭像 發(fā)表于 10-24 14:03 ?2089次閱讀
    龍騰半導(dǎo)體推出四款650<b class='flag-5'>V</b> F<b class='flag-5'>系列</b><b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>新品</b>

    新聞速遞丨英飛凌功率模塊助力金風(fēng)科技構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)機(jī)能效提升

    實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的電力傳輸。英飛凌將為金風(fēng)科技提供搭載.XT技術(shù)的XHP21700VIGBT5功率模塊,提升金風(fēng)科技GW155-4.5MW構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)機(jī)的能源效率。英飛凌
    的頭像 發(fā)表于 09-18 17:13 ?1335次閱讀
    新聞速遞丨<b class='flag-5'>英飛凌</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>助力金風(fēng)科技構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)機(jī)能效提升

    英飛凌功率模塊助力金風(fēng)科技構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)機(jī)能效提升

    風(fēng)力發(fā)電實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的電力傳輸。英飛凌將為金風(fēng)科技提供搭載.XT技術(shù)的XHP? 2 1700 V IGBT5功率
    的頭像 發(fā)表于 09-18 16:42 ?1066次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>助力金風(fēng)科技構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)機(jī)能效提升

    新品 | 針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

    新品針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK2B
    的頭像 發(fā)表于 07-31 17:04 ?1006次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? 1200<b class='flag-5'>V</b>和硅基<b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊

    新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200
    的頭像 發(fā)表于 06-10 17:06 ?1524次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>英飛凌</b>EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊

    新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK
    的頭像 發(fā)表于 06-03 17:34 ?1108次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用高性能DCB的Easy B<b class='flag-5'>系列</b>CoolSiC? <b class='flag-5'>2</b>kV SiC MOSFET<b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | EiceDRIVER? 650 V +/- 4 A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 1ED21x7 系列

    新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/
    的頭像 發(fā)表于 05-21 17:07 ?747次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | EiceDRIVER? 650 <b class='flag-5'>V</b> +/- 4 A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 1ED21x7 <b class='flag-5'>系列</b>

    新品 | 儲(chǔ)能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊

    新品儲(chǔ)能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊,采用EasyPACK3B封裝
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:08 ?987次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 儲(chǔ)能用1200<b class='flag-5'>V</b> 500A NPC<b class='flag-5'>2</b> 三電平<b class='flag-5'>IGBT</b> EasyPACK? 3B<b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊

    新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V
    的頭像 發(fā)表于 05-13 17:04 ?1592次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | EasyDUAL? 1B和<b class='flag-5'>2</b>B,1200<b class='flag-5'>V</b>共發(fā)射極<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊

    英飛凌發(fā)布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片,特別針對(duì)400V和800V電動(dòng)汽車架構(gòu)的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其EDT3
    的頭像 發(fā)表于 05-06 14:08 ?895次閱讀
    新型<b class='flag-5'>IGBT</b>和SiC功率<b class='flag-5'>模塊</b>用于高電壓應(yīng)用的新功率<b class='flag-5'>模塊</b>