SGM892B/SGM893B標(biāo)準(zhǔn)CMOS電壓檢測器IC：高精度低功耗的理想之選

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，電壓檢測是一項(xiàng)非常關(guān)鍵的技術(shù)，它廣泛應(yīng)用于各種電路中，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。今天要介紹的SGM892B和SGM893B標(biāo)準(zhǔn)CMOS電壓檢測器IC，憑借其高精度檢測和低功耗的特性，成為了眾多工程師的首選。

文件下載：SGM892B_SGM893B.pdf

一、產(chǎn)品概述

SGM892B和SGM893B是具有高精度檢測功能的低功耗電壓檢測器。它們的檢測電壓范圍從1.0V到5.0V，以0.1V為增量進(jìn)行調(diào)節(jié)，為設(shè)計(jì)提供了極大的靈活性。這兩款器件非常適合用于電源排序、復(fù)位排序和電源開關(guān)應(yīng)用。

SGM892B的VOUT引腳是一個(gè)N溝道開漏輸出，具有低電平有效復(fù)位功能。而SGM893B除了具備這些特性外，還包含一個(gè)低電平有效的手動(dòng)復(fù)位輸入（nMR）。

在封裝方面，SGM892B有綠色UTDFN - 1×1 - 4L、SOT - 23 - 3和SOT - 23 - 5三種封裝可供選擇；SGM893B則有綠色SOT - 23 - 5和UTDFN - 1×1 - 4L兩種封裝。它們的工作溫度范圍為 - 40℃到 + 125℃，能適應(yīng)較為惡劣的環(huán)境。

二、產(chǎn)品特性

2.1 高精度檢測

檢測精度典型值為±1%，能夠準(zhǔn)確地檢測電壓變化，為系統(tǒng)提供可靠的電壓監(jiān)測。

2.2 低功耗

在 (V_{IN }=1V) 時(shí)，典型功耗僅為0.4μA，大大降低了系統(tǒng)的功耗，延長了電池的使用壽命。

2.3 寬檢測電壓范圍

檢測電壓范圍為1.0V到5.0V，以0.1V為增量，可滿足不同應(yīng)用場景的需求。

2.4 寬工作電壓范圍

工作電壓范圍為1V到6V，具有較強(qiáng)的適應(yīng)性。

2.5 低溫度系數(shù)

檢測電壓溫度系數(shù)典型值為±40ppm/℃，確保在不同溫度環(huán)境下檢測的準(zhǔn)確性。

2.6 手動(dòng)復(fù)位功能（SGM893B）

SGM893B的手動(dòng)復(fù)位輸入（nMR）允許用戶手動(dòng)觸發(fā)復(fù)位操作，增加了系統(tǒng)的靈活性。

2.7 N溝道開漏輸出

這種輸出方式方便與其他電路進(jìn)行連接，提高了系統(tǒng)的兼容性。

2.8 小封裝

提供多種小尺寸封裝，適合對空間要求較高的應(yīng)用。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

3.1 微處理器復(fù)位電路

確保微處理器在電源異常時(shí)能夠及時(shí)復(fù)位，保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

3.2 充電電壓監(jiān)測

實(shí)時(shí)監(jiān)測充電電壓，防止過充現(xiàn)象的發(fā)生。

3.3 內(nèi)存電池備份開關(guān)電路

在主電源故障時(shí)，及時(shí)切換到備用電池，保證內(nèi)存數(shù)據(jù)的安全。

3.4 電源故障檢測電路

快速檢測電源故障，采取相應(yīng)的保護(hù)措施，避免設(shè)備損壞。

四、典型應(yīng)用電路

典型應(yīng)用電路中，通過一個(gè)100kΩ的上拉電阻RPULL和一個(gè)0.1μF的電容C1，將輸入電壓VIN連接到SGM892B/3B的VIN引腳，VOUT引腳輸出檢測結(jié)果。對于SGM893B，還可以通過nMR引腳進(jìn)行手動(dòng)復(fù)位操作。

五、電氣特性

5.1 工作電壓

工作電壓范圍為1V到6V，在不同的檢測電壓和溫度條件下都能穩(wěn)定工作。

5.2 檢測電壓

檢測電壓在不同的輸入電壓和溫度條件下有相應(yīng)的變化范圍，具體可參考電壓圖表。

5.3 遲滯電壓

遲滯電壓確保了檢測的穩(wěn)定性，避免因電壓波動(dòng)而產(chǎn)生誤觸發(fā)。

5.4 檢測電壓溫度系數(shù)

溫度系數(shù)較小，保證了在不同溫度環(huán)境下檢測的準(zhǔn)確性。

5.5 電源電流

電源電流隨著輸入電壓的變化而變化，在不同的輸入電壓下有不同的典型值。

5.6 輸出電流

輸出電流在不同的輸入電壓和負(fù)載條件下有相應(yīng)的變化范圍。

5.7 最小輸入電壓

為了保證輸出的有效性，有一個(gè)最小輸入電壓要求。

5.8 低電平輸出電壓

低電平輸出電壓在一定的輸入電壓和負(fù)載電流條件下有相應(yīng)的范圍。

5.9 泄漏電流

泄漏電流較小，減少了不必要的功耗。

六、時(shí)序要求

6.1 復(fù)位延遲時(shí)間

SGM892B的復(fù)位延遲時(shí)間典型值為10 - 220μs，SGM893B的復(fù)位延遲時(shí)間典型值為160 - 270ms。

6.2 傳播延遲

VIN下降時(shí)的傳播延遲典型值為50μs，nMR低電平到輸出低電平的傳播延遲典型值為600ns。

七、詳細(xì)說明

7.1 VIN瞬態(tài)抗擾性

SGM892B和SGM893B內(nèi)置了電路來抵抗VIN引腳的電壓瞬變，瞬態(tài)抗擾性與瞬態(tài)持續(xù)時(shí)間和幅度密切相關(guān)。

7.2 手動(dòng)復(fù)位（nMR）輸入（SGM893B）

SGM893B的手動(dòng)復(fù)位輸入允許用戶手動(dòng)觸發(fā)復(fù)位操作。當(dāng)nMR引腳為低電平時(shí)，即使VIN電壓高于工廠設(shè)定電壓，VOUT也會(huì)被強(qiáng)制拉低。當(dāng)nMR引腳恢復(fù)高電平且VIN電壓超過閾值電壓后，VOUT在復(fù)位延遲時(shí)間后解除斷言。

7.3 正常操作

當(dāng)VIN電壓高于 (VINMIN) 時(shí)，VOUT的狀態(tài)取決于VIN電壓相對于 (V{DET}) 和nMR電壓（SGM893B）。當(dāng)VIN電壓低于 (VIN_MIN) 但高于上電復(fù)位電壓（VPOR）時(shí)，VOUT被斷言。當(dāng)VIN電壓低于上電復(fù)位電壓時(shí)，VOUT狀態(tài)未定義。

八、應(yīng)用信息

8.1 單節(jié)堿性電池系統(tǒng)

超低的工作和檢測電壓使SGM892B和SGM893B非常適合單節(jié)堿性電池系統(tǒng)。例如，當(dāng)單節(jié)堿性電池電壓達(dá)到1V時(shí)，SGM892B的VOUT引腳斷言，可驅(qū)動(dòng)SGM66099進(jìn)入低電流關(guān)機(jī)狀態(tài)，組合設(shè)備的典型功耗僅為700nA。

8.2 輸入電容

由于SGM892B和SGM893B在采樣輸入電壓時(shí)電流會(huì)短暫上升，為避免因電源阻抗過高導(dǎo)致的虛假復(fù)位，建議在VIN引腳附近添加一個(gè)0.1μF的旁路電容。

8.3 雙向復(fù)位引腳

當(dāng)SGM892B和SGM893B驅(qū)動(dòng)雙向復(fù)位引腳時(shí)，建議在VOUT引腳和復(fù)位引腳之間放置一個(gè)串聯(lián)電阻，以限制電流流動(dòng)。

8.4 電源供應(yīng)建議

SGM892B/SGM893B的輸入電源電壓范圍為1V到6V，建議使用低阻抗電源或0.1μF的旁路電容，以避免虛假復(fù)位。

九、封裝信息

9.1 封裝尺寸

提供了SOT - 23 - 5、SOT - 23 - 3和UTDFN - 1×1 - 4L三種封裝的詳細(xì)尺寸信息，包括最小、最大尺寸以及推薦的焊盤尺寸。

9.2 卷帶和卷軸信息

介紹了不同封裝的卷帶和卷軸的關(guān)鍵參數(shù)，包括卷軸寬度、直徑、引腳位置等。

9.3 紙箱尺寸

提供了不同卷軸類型的紙箱尺寸信息，方便產(chǎn)品的包裝和運(yùn)輸。

SGM892B和SGM893B標(biāo)準(zhǔn)CMOS電壓檢測器IC以其高精度、低功耗、寬工作范圍和小封裝等優(yōu)點(diǎn)，為電子工程師在電壓檢測和系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面提供了一個(gè)優(yōu)秀的解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師可以根據(jù)具體需求選擇合適的型號(hào)和封裝，同時(shí)注意應(yīng)用中的一些細(xì)節(jié)，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。你在使用這兩款I(lǐng)C時(shí)遇到過什么問題嗎？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。