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SGM25711B:2.5V 至 18V 高效熱插拔控制器的全面解析

lhl545545 ? 2026-03-24 15:00 ? 次閱讀
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SGM25711B:2.5V 至 18V 高效熱插拔控制器的全面解析

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,熱插拔功能至關(guān)重要,它能讓設(shè)備在帶電狀態(tài)下安全地插入或拔出電路板,大大提高了系統(tǒng)的可維護(hù)性和可靠性。SGM25711B 作為一款高性能的熱插拔控制器,為工程師們提供了強(qiáng)大的解決方案。今天,我們就來深入探討一下 SGM25711B 的特性、應(yīng)用以及設(shè)計(jì)要點(diǎn)。

文件下載:SGM25711B.pdf

一、SGM25711B 概述

SGM25711B 是一款熱插拔控制器,允許電路板安全地插入或移除帶電背板。它通過內(nèi)部電路驅(qū)動(dòng)外部 N - MOSFET 開關(guān),控制 2.5V 至 18V 的電源電壓。該控制器具有可編程電流限制、功率限制和故障時(shí)間設(shè)置功能,確保外部 MOSFET 始終在安全工作區(qū)域內(nèi)運(yùn)行。

特性亮點(diǎn)

  1. 寬輸入電壓范圍:輸入電壓范圍為 2.5V 至 18V,適用于多種電源系統(tǒng)。
  2. 可編程 MOSFET SOA 保護(hù):可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置 MOSFET 的安全工作區(qū)域,提高系統(tǒng)的可靠性。
  3. 精確的電流限制:在任何時(shí)候都能精確限制電流,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 電流檢測(cè)閾值:25mV 的精確電流檢測(cè)閾值,允許使用更小的檢測(cè)電阻,從而降低功率損耗和尺寸。
  5. 多種輸出功能:具備電源良好輸出(Power Good Output)和故障輸出功能,方便進(jìn)行狀態(tài)監(jiān)測(cè)和負(fù)載保護(hù)。
  6. 快速斷路器:提供短路保護(hù),確保系統(tǒng)在短路情況下能快速切斷電路。
  7. 可編程故障定時(shí)器:可設(shè)置故障時(shí)間,當(dāng)負(fù)載電流超過設(shè)定值且持續(xù)時(shí)間超過編程時(shí)間時(shí),外部 MOSFET 將關(guān)閉,并在故障超時(shí)延遲后自動(dòng)重啟。
  8. 可編程欠壓閾值:可根據(jù)系統(tǒng)需求設(shè)置欠壓閾值,確保系統(tǒng)在電壓不足時(shí)能正常工作。
  9. 綠色 MSOP - 10 封裝:符合環(huán)保要求,且封裝尺寸小,節(jié)省電路板空間。

二、引腳配置與功能

引腳配置

SGM25711B 采用 MSOP - 10 封裝,其引腳配置如下: 引腳編號(hào) 引腳名稱 功能描述
1 nPG 電源良好指示引腳(低電平有效,開漏輸出),外部 MOSFET 的電壓決定其狀態(tài)。
2 EN 使能引腳,高電平有效,連接到電阻分壓器。
3 PROG 功率限制可編程引腳,連接到該引腳的功率限制電阻決定外部 MOSFET 的最大允許耗散。
4 TIMER 故障定時(shí)器引腳,該引腳上的外部電容設(shè)置插入延遲時(shí)間和故障時(shí)間延遲,芯片的重啟時(shí)間也由該電容控制。
5 GND 接地引腳。
6 OUT 電源輸出引腳,連接到輸出(即外部 MOSFET 源極),芯片通過該引腳監(jiān)測(cè) MOSFET 的 VDS 電壓,以限制 MOSFET 功率并相應(yīng)控制 nPG 信號(hào)
7 GATE 柵極驅(qū)動(dòng)輸出引腳,連接到外部 MOSFET 的柵極。
8 SENSE 電流檢測(cè)引腳,通過檢測(cè)輸入引腳到該引腳的電壓來測(cè)量流入檢測(cè)電阻的電流。
9 VCC 電源輸入引腳,建議在該引腳附近放置一個(gè)小的旁路電容。
10 nFLT 故障事件指示引腳,當(dāng)外部 MOSFET 因過載故障定時(shí)器關(guān)閉時(shí),該引腳變?yōu)榈碗娖健?/td>

引腳功能詳細(xì)解析

  1. VCC 引腳:具有三個(gè)功能,一是為芯片供電;二是作為上電復(fù)位(POR)和欠壓鎖定(UVLO)功能的輸入端子;三是 VCC 引腳的引線應(yīng)直接連接到檢測(cè)電阻的正端,以便更準(zhǔn)確地檢測(cè)流過電阻的電流,建議使用 0.1μF 的電容。
  2. EN 引腳:當(dāng) EN 引腳的電壓大于 1.35V 時(shí),柵極驅(qū)動(dòng)器開始工作。可添加外部分壓電阻來監(jiān)測(cè)輸入欠壓。當(dāng)芯片鎖定時(shí),下拉然后上拉 EN 引腳可重啟芯片,該引腳不能浮空。
  3. GATE 引腳:作為 MOSFET(M1)的柵極驅(qū)動(dòng),電荷泵以 33μA 的電流為柵極充電。在正常運(yùn)行時(shí),VCC 近似等于 Vout,V(GATE - VCC) 被鉗位到最大 13.5V。在啟動(dòng)期間,放大器調(diào)節(jié)輸出電流以控制柵極電壓并限制浪涌電流。在浪涌期間,TIMER 引腳以 10μA 的電流為電容充電,直到 V(GATE - VCC) 電壓超過設(shè)定電壓(當(dāng) VCC = 12V 時(shí)為 5.6V),若 V(GATE - VCC) 大于定時(shí)器設(shè)定電壓,TIMER 引腳停止提供電流并開始吸收電流。該引腳在三種情況下會(huì)被禁用:
    • 當(dāng) V(VCC - SENSE) > 25 mV、VEN 低于下降閾值電壓或 VCC 達(dá)到 UVLO 的下限閾值時(shí),11mA 的電流吸收器將下拉 GATE 電壓。
    • 當(dāng) VEN 小于其下降閾值或輸出短路且 V(VCC - SENSE) 超過 61.5mV 時(shí),GATE 引腳通過 3.2Ω 電阻下拉,芯片快速跳閘關(guān)閉,仍有 11mA 的下拉電流關(guān)閉 MOSFET。
    • 若芯片溫度超過閾值,芯片通過 17.5kΩ 電阻將 GATE 電荷放電到 GND。在自動(dòng)重試模式下,芯片將定期重啟。GATE 和 GND(或 OUT)引腳之間不應(yīng)連接電阻。
  4. nFLT 引腳:該引腳用于指示故障事件。當(dāng) SGM25711B 在電流限制范圍內(nèi)保持足夠長(zhǎng)的時(shí)間,故障定時(shí)器到期時(shí),低電平開漏輸出將被拉低。SGM25711B 工作在自動(dòng)重試模式,故障超時(shí)將停止外部 MOSFET(M1)的運(yùn)行,并在 16 個(gè)打嗝周期后嘗試重啟。當(dāng)故障未消除時(shí),打嗝繼續(xù),此時(shí)該引腳將被拉低。如果 M1 被 EN、OTSD 或 UVLO 禁用,nFLT 引腳將不會(huì)被置位。該引腳在不需要時(shí)可以懸空。
  5. OUT 引腳:可測(cè)量 MOSFET 的漏源電壓,功率限制功能也需要該引腳。建議放置肖特基二極管以防止負(fù)壓,同時(shí)該引腳需要連接低 ESR 陶瓷電容到地以旁路高頻信號(hào)。
  6. nPG 引腳:當(dāng) MOSFET 的漏源電壓小于 230mV 且經(jīng)過 4ms 的消抖時(shí)間后,該引腳的漏極被下拉。當(dāng) VDS > 315 mV 時(shí),變?yōu)殚_漏輸出。即當(dāng) M1 的 VDS 上升時(shí),經(jīng)過相同的消抖時(shí)間后,該引腳呈現(xiàn)高阻態(tài)。
  7. PROG 引腳:PROG 和 GND 引腳之間的電阻設(shè)置 MOSFET 允許的最大功率。不要直接向 PROG 引腳施加電壓。當(dāng)不使用恒定功率限制功能時(shí),用 4.99kΩ 電阻將該引腳連接到地。若需要設(shè)置恒定功率,可參考公式 (R{PROG }=frac{3600}{P{LIM} × R{SENSE }}) 計(jì)算,其中 (P{LIM }) 是 M1 的功率限制值,(R_{SENSE }) 是 VCC 和 SENSE 引腳之間的檢測(cè)電阻。
  8. SENSE 引腳:該引腳是檢測(cè)電阻的另一端,通過檢測(cè)檢測(cè)電阻兩端的電壓來限制電流,可參考公式 (I{LIM }{SENSE }}) 。當(dāng) V(VCC - SENSE) > 61.5 mV 時(shí),發(fā)生快速跳閘關(guān)閉。
  9. TIMER 引腳:TIMER 和 GND 之間連接一個(gè)電容來計(jì)時(shí)故障時(shí)間。當(dāng)過載發(fā)生時(shí),TIMER 以 10μA 的電流充電,否則以 10μA 的電流放電。如果 TIMER 達(dá)到 1.35V,MOSFET 將被關(guān)閉。該電容設(shè)置故障后的重啟時(shí)間,建議使用最小 1nF 的電容以確保定時(shí)器正常工作,電容值可通過公式 (C{TIMER }=frac{10 mu A}{1.35 V} × t{nFLT }) 計(jì)算。

三、電氣特性與性能

電氣特性

SGM25711B 的電氣特性在 - 40℃ 至 + 125℃ 的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行了測(cè)試,典型值在 (T_{J}= + 25^{circ} C) 時(shí)給出。以下是部分關(guān)鍵電氣特性: 參數(shù) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
VCC UVLO 閾值電壓(上升) 2.25 2.35 2.45 V
VCC UVLO 閾值電壓(下降) 2.17 2.27 2.37 V
滯回 85 mV
使能時(shí)的電源電流 0.32 0.5 mA
禁用時(shí)的電源電流 VEN = 0V 4 μA
EN 使能閾值電壓(下降) 1.25 1.3 1.35 V
滯回 55 mV
nFLT 輸出低電壓(吸收 2mA) 35 65 mV
nPG nPG 閾值電壓(SENSE - OUT 上升,nPG 變高) 235 315 395 mV
滯回 85 mV
PROG 偏置電壓(提供 10μA) 0.65 0.68 0.71 V
TIMER 提供電流(VTIMER = 0V) 8 10 12 μA
OUT 輸入偏置電流(VOUT = 12V) 1 μA
GATE 輸出電壓(VOUT = 12V) 24.5 25.5 26.5 V
鉗位電壓(注入 10μA 到 GATE) 12 13.5 15 V
SENSE 輸入偏置電流(VSENSE = 12V,吸收電流) 15 25 μA
電流限制閾值(VOUT = 12V, - 40℃ ≤ TJ ≤ + 125℃) 22.5 25 27.5 mV
功率限制閾值(VOUT = 2V,RPROG = 25kΩ) 10 14 18 mV
快速跳閘關(guān)閉閾值 52.3 61.5 70.7 mV
過溫關(guān)閉(OTSD)閾值(上升) 145
滯回 15

性能特點(diǎn)

從電氣特性可以看出,SGM25711B 在不同參數(shù)下都有明確的性能指標(biāo),能夠滿足各種應(yīng)用場(chǎng)景的需求。例如,精確的電流限制和功率限制功能可以確保系統(tǒng)在安全的電流和功率范圍內(nèi)運(yùn)行,而過溫保護(hù)功能則可以防止芯片因過熱而損壞。

四、典型應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

典型應(yīng)用電路

SGM25711B 的典型應(yīng)用電路如下: 典型應(yīng)用電路 在這個(gè)電路中,我們可以看到各個(gè)元件的連接方式和參數(shù)設(shè)置。例如,RSENSE 為 2mΩ,用于檢測(cè)電流;M1 選用 CSD16403Q5 MOSFET;COUT 為 470μF 的電容,用于濾波;RGATE 為 10Ω 的電阻,用于控制 MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)。

設(shè)計(jì)要點(diǎn)

  1. 選擇檢測(cè)電阻 (R_{SENSE }):根據(jù)電氣特性表,電流限制電壓閾值約為 25mV。為了實(shí)現(xiàn) 12A 的峰值電流限制,選擇 2mΩ 的電阻。同時(shí),要注意電阻的功率損耗,選擇合適的規(guī)格。計(jì)算公式為 (R{SENSE }=frac{V{VCC cdot SENSE }}{I{LIM}}) ,即 (R{SENSE}=frac{25 mV}{12 A} approx 2 m Omega) 。
  2. 選擇 MOSFET (M_{1}):SGM25711B 設(shè)計(jì)用于柵源電壓額定值為 20V 的 MOSFET。對(duì)于較低柵源電壓的 MOSFET,可以使用外部齊納二極管來保持柵源電壓的峰值在絕對(duì)額定值內(nèi)。同時(shí),要考慮漏源電壓,建議在輸入端添加外部 TVS 以防止輸入電壓的浪涌。此外,MOSFET 的 (V{DS(MAX) }) 額定值應(yīng)至少為電源值的兩倍。電壓跨 MOSFET 應(yīng)小于 nPG 最小閾值 235mV,在 12A 電流限制條件下,最大導(dǎo)通電阻要求為 19mΩ。可參考公式 (R{DSON(MAX) }=frac{T{J(MAX)}-T{A(MAX)}}{I{MAX }^{2} × R{Theta JA}}) 計(jì)算相應(yīng)環(huán)境溫度下的最大導(dǎo)通電阻。
  3. 選擇功率限制 (P{LIM }) 和 (R{PROG}):M1 在啟動(dòng)期間消耗大量功率,要避免設(shè)備在短時(shí)間內(nèi)溫度上升到絕對(duì)最大值。假設(shè)最大值為 130℃,可參考公式 (P{LIM } leq 0.8 × frac{T{J(MAX)2}-left[left(I{MAX }^{2} × R{DSON } × R{Theta CA }right)+T{A(MAX)}right]}{R{Theta JC}}) 計(jì)算最小 (P{LIM }) 。然后根據(jù)公式 (R{PROG }=frac{3600}{P{LIM} × R{SENSE }}) 計(jì)算 (R{PROG}) ,選擇一個(gè)接近但大于計(jì)算值的電阻。
  4. 選擇輸出電壓上升時(shí)間 (t{ON}) 和 (C{TIMER}):要確保在定時(shí)器電容設(shè)定的計(jì)時(shí)周期結(jié)束前,負(fù)載電容完全充電,以免觸發(fā)故障電路。計(jì)算公式為 (t{ON }=left{begin{array}{l} frac{C{OUT } × P{LIM }}{2 × I{LIM }^{2}}+frac{C{OUT } × V{CC(MAX) }^{2}}{2 × P{LIM}}-frac{C{OUT } × V{CC(MAX) }}{I{LIM}} if P{LIM}{LIM} × V{CC (MAX)} frac{C{OUT } × V{CC(MAX) }}{I{LIM }} if P{LIM }>I{LIM} × V{CC (MAX)} end{array}right.) 。同時(shí),要考慮為 GATE 引腳電壓充電到高于輸入電壓 5.6V 所需的時(shí)間,計(jì)算公式為 (t{nFLT }=t{ON}+frac{5.6 V × C{iss}}{I{GATE }}) 。根據(jù)計(jì)算結(jié)果選擇合適的 (C{TIMER}) ,可通過公式 (C{TIMER }=frac{10 mu A}{1.35 V} × t{nFLT }) 計(jì)算。
  5. 計(jì)算自動(dòng)重試模式占空比:根據(jù)定時(shí)器電容的充電和放電過程,計(jì)算自動(dòng)重試模式的占空比。定時(shí)器電容從 0V 充電到 1.35V,再?gòu)?1.35V 放電到 0.35V,總時(shí)間為 (7.56 ~ms+33 ×5.6 ~ms = 192.36ms) ,自動(dòng)重試模式占空比為 (7.56 ~ms / 192.36 ~ms = 3.93 %) 。
  6. 選擇 (R{1}) 和 (R{2}) 用于欠壓:根據(jù)電氣規(guī)格中 VENTH 值為 1.35V,選擇 UVLO 引腳分壓器電阻的值。計(jì)算公式為 (V{ENTH }=frac{R{2}}{R{1}+R{2}} × V_{CC}) 。
  7. 選擇 (R{4}) 、(R{5}) 、(R{GATE }) 和 (C{1}):根據(jù) MOSFET 的實(shí)際輸入電容值選擇合適的柵極電阻。如果 MOSFET 的 (C_{iss }) 小于 200pF,建議使用 33Ω 的柵極電阻。此外,由于 nFLT 和 nPG 引腳為開漏輸出,可分配 3
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    TPS24700/1:高效熱插拔控制器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

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