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SGM40666A/SGM40666B:高電流過(guò)壓保護(hù)器的卓越之選

lhl545545 ? 2026-03-24 17:05 ? 次閱讀
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SGM40666A/SGM40666B:高電流過(guò)壓保護(hù)器的卓越之選

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,過(guò)壓保護(hù)是保障系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。SGMICRO推出的SGM40666A和SGM40666B高電流過(guò)壓保護(hù)器,為低電壓系統(tǒng)提供了可靠的過(guò)壓防護(hù)。今天,我們就來(lái)深入了解一下這兩款保護(hù)器的特點(diǎn)和應(yīng)用。

文件下載:SGM40666A_SGM40666B.pdf

產(chǎn)品概述

SGM40666A和SGM40666B是專(zhuān)門(mén)為保護(hù)低電壓系統(tǒng)免受高電壓損害而設(shè)計(jì)的過(guò)壓保護(hù)設(shè)備。它們能夠承受高達(dá) +31V 的電壓,峰值可達(dá) +40V(10s 內(nèi),電流限制為 50mA)。其中,SGM40666A 能承受 +90V / -400V 的浪涌,SGM40666B 能承受 +80V / -400V 的浪涌而不損壞。

產(chǎn)品特性

1. 寬電源電壓范圍

提供 2.5V 至 28V 的寬電源電壓范圍,適應(yīng)多種應(yīng)用場(chǎng)景。

2. 高輸入電壓承受能力

在 10s 內(nèi),輸入電壓可達(dá) 40V,電流限制為 50mA,有效應(yīng)對(duì)突發(fā)的高電壓情況。

3. 低導(dǎo)通電阻

集成的 28mΩ(典型值)導(dǎo)通電阻 FET,可通過(guò) 4.5A 的連續(xù)電流,降低功耗。

4. 寬可調(diào)過(guò)壓鎖定(OVLO)閾值范圍

OVLO 閾值可在 4V 至 22V 之間調(diào)節(jié),用戶可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行靈活設(shè)置。

5. 內(nèi)部過(guò)壓保護(hù)閾值

典型值為 6.83V,提供基本的過(guò)壓保護(hù)。

6. 浪涌抗擾能力

SGM40666A 可達(dá) +90V / -400V,SGM40666B 可達(dá) +80V / -400V,有效抵御浪涌沖擊。

7. 快速過(guò)壓關(guān)斷響應(yīng)

過(guò)壓關(guān)斷響應(yīng)時(shí)間為 50ns(典型值),迅速保護(hù)系統(tǒng)。

8. 啟動(dòng)去抖時(shí)間

15ms 的啟動(dòng)去抖時(shí)間,防止內(nèi)部 FET 在啟動(dòng)時(shí)誤開(kāi)啟。

9. 軟啟動(dòng)功能

限制 FET 的浪涌電流,保護(hù)系統(tǒng)免受電流沖擊。

10. 使能功能

通過(guò) nEN 引腳控制設(shè)備的開(kāi)啟和關(guān)閉。

11. 熱關(guān)斷保護(hù)

當(dāng)結(jié)溫超過(guò) 150℃(典型值)時(shí),內(nèi)部 FET 關(guān)閉,防止設(shè)備過(guò)熱損壞。

12. 電源良好標(biāo)志

通過(guò) nACOK 輸出指示電源是否穩(wěn)定。

13. 環(huán)保封裝

采用 Green WLCSP - 1.17×1.63 - 12B 封裝,符合環(huán)保要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

SGM40666A 和 SGM40666B 適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,如電池充電端口、手機(jī)、平板電腦等。在這些設(shè)備中,它們能夠有效保護(hù)系統(tǒng)免受高電壓的損害,提高設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。

工作原理

1. 設(shè)備操作

SGM40666A 和 SGM40666B 采用定時(shí)邏輯控制的電荷泵作為內(nèi)部 FET 的柵極驅(qū)動(dòng)器。當(dāng)使用內(nèi)部跳閘閾值時(shí),當(dāng) (V{IN }{INOVLO }) 時(shí),電荷泵啟用;當(dāng)使用外部跳閘閾值時(shí),當(dāng) (V{OVLO }EXT }) 時(shí),電荷泵啟用。經(jīng)過(guò) 15ms(典型值)的去抖延遲后,電荷泵將內(nèi)部 FET 開(kāi)啟,然后軟啟動(dòng)功能在接下來(lái)的 15ms(典型值)內(nèi)限制 FET 的浪涌電流。一旦 (V{IN}) 超過(guò) (V_{OVLO_THRESH}),F(xiàn)ET 將關(guān)閉。

2. 使能功能

通過(guò) nEN 引腳控制設(shè)備的開(kāi)啟和關(guān)閉。將 nEN 拉高可關(guān)閉內(nèi)部通斷 FET,拉低則開(kāi)啟 FET,設(shè)備進(jìn)入啟動(dòng)程序。

3. 過(guò)壓鎖定(OVLO)

典型的 OVLO 閾值為 6.83V。當(dāng)輸入電壓超過(guò) OVP 上升跳閘電平,開(kāi)關(guān)將在約 50ns 內(nèi)關(guān)閉,直到 (V_{IN }) 降至 OVP 下降跳閘電平以下。

4. 外部可調(diào) OVLO

設(shè)備通過(guò)檢測(cè) OVLO 引腳的電壓來(lái)判斷是否存在外部分壓器。如果 OVLO 引腳連接到 GND,則應(yīng)用內(nèi)部設(shè)置的 OVLO 值。當(dāng)外部電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)連接到 OVLO 引腳且 (V{OVLO }>V{OVLOSELECT})(典型值 0.27V)時(shí),外部電阻分壓器確定 (V{IN_OVLO_EXT})。

5. 浪涌保護(hù)

SGM40666A 集成了鉗位電路,當(dāng) (V_{IN}) 電壓急劇上升(通常 > 4.5V/μs)超過(guò) 32.3V 時(shí),內(nèi)部鉗位電路將觸發(fā),將浪涌能量釋放到地。SGM40666B 在浪涌電壓超過(guò) 45V 時(shí)將浪涌能量釋放到地。

6. 熱關(guān)斷保護(hù)

當(dāng)結(jié)溫超過(guò) 150℃(典型值)時(shí),內(nèi)部 FET 關(guān)閉。當(dāng)結(jié)溫下降 20℃(典型值)時(shí),設(shè)備退出熱關(guān)斷狀態(tài)。

7. nACOK 輸出

nACOK 為開(kāi)漏輸出,用于向主機(jī)指示電源是否穩(wěn)定。經(jīng)過(guò)去抖延遲后,當(dāng)輸入電壓在最小 (V{IN}) 和 (V{OVLO}) 之間穩(wěn)定時(shí),nACOK 拉低。如果發(fā)生熱關(guān)斷,nACOK 為高阻抗。

8. USB OTG 支持

在 OTG 應(yīng)用中,SGM40666A 和 SGM40666B 可從 OUT 向 IN 提供電源。初始時(shí),OUT 施加的 OTG 電壓將使電源開(kāi)關(guān)二極管正向偏置,OUT 和 IN 之間存在約 0.7V 的電壓降。一旦 IN 電壓超過(guò) 2.5V 的最小輸入電壓并經(jīng)過(guò)去抖時(shí)間,主電源開(kāi)關(guān)將完全開(kāi)啟,顯著降低 OUT 到 IN 的電壓降。在此模式下,該器件能夠向 OTG 負(fù)載提供高達(dá) 3.5A 的連續(xù)電流。

應(yīng)用注意事項(xiàng)

1. IN 旁路電容

在大多數(shù)應(yīng)用中,應(yīng)在 IN 和 GND 引腳之間盡可能靠近設(shè)備放置一個(gè) 0.1μF 的陶瓷旁路電容。當(dāng)電源因長(zhǎng)引線長(zhǎng)度而具有顯著電感時(shí),該器件可鉗制 LC 諧振電路引起的過(guò)沖。

2. 輸出電容

軟啟動(dòng)功能通過(guò)緩慢開(kāi)啟時(shí)間實(shí)現(xiàn),允許 SGM40666A 和 SGM40666B 對(duì)輸出電容(通常高達(dá) 1000μF)充電,而不會(huì)因過(guò)流情況而關(guān)閉。

總結(jié)

SGM40666A 和 SGM40666B 高電流過(guò)壓保護(hù)器以其卓越的性能和豐富的功能,為低電壓系統(tǒng)提供了可靠的過(guò)壓保護(hù)。在實(shí)際應(yīng)用中,電子工程師可以根據(jù)具體需求選擇合適的型號(hào),并注意應(yīng)用注意事項(xiàng),以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。你在使用過(guò)壓保護(hù)器時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題?又是如何解決的呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。

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