SGM3836B：AMOLED顯示電源的理想之選

在當(dāng)今的電子設(shè)備中，AMOLED顯示屏憑借其高對比度、廣視角和快速響應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦等設(shè)備。而SGM3836B作為一款專門為AMOLED顯示屏供電的電源芯片，具有諸多出色的特性。下面，我們就來詳細(xì)了解一下這款芯片。

文件下載：SGM3836B.pdf

1. 產(chǎn)品概述

SGM3836B專為AMOLED顯示屏供電而設(shè)計(jì)，它能夠提供VAVDD、VELVDD和FLVSS三種電壓。該芯片集成了兩個(gè)升壓轉(zhuǎn)換器（VO1用于VELVDD，VO3用于VAVDD）和一個(gè)反相降壓 - 升壓轉(zhuǎn)換器（VO2用于VFLVSS）。通過數(shù)字接口控制引腳（CTRL），可以以數(shù)字步長對三個(gè)轉(zhuǎn)換器的輸出電壓進(jìn)行編程。

它采用綠色TQFN - 3×3 - 16L封裝，工作環(huán)境溫度范圍為 - 40℃至 + 85℃，這使得它能適應(yīng)多種不同的工作場景。

2. 主要特性

2.1 輸入電壓范圍

SGM3836B的輸入電壓范圍為2.9V至4.5V，這一范圍能夠適配多種常見的電源，為設(shè)計(jì)帶來了更大的靈活性。

2.2 同步升壓轉(zhuǎn)換器（ELVDD）

• 輸出電壓：輸出電壓范圍為4.6V至5.0V，以100mV為步長進(jìn)行調(diào)節(jié)，默認(rèn)輸出電壓為4.6V，精度達(dá)到1%。
• 補(bǔ)償功能：具備輸出電壓感應(yīng)引腳（FBS），可用于路徑損耗補(bǔ)償。

2.3 同步反相降壓 - 升壓轉(zhuǎn)換器（ELVSS）

• 輸出電壓：輸出電壓范圍為 - 5.4V至 - 1.4V，以100mV為步長調(diào)節(jié)，默認(rèn)輸出電壓為 - 3.0V，在 - 3.0V時(shí)精度為1.2%。
• 輸出電流能力：在不同的輸出電壓組合下，ELVDD和ELVSS的組合輸出電流能力有所不同。例如，在VIN = 3.1V時(shí)，4.6V / - 2.5V組合下可達(dá)800mA。

2.4 同步升壓轉(zhuǎn)換器（AVDD）

• 輸出電壓：輸出電壓范圍為5.8V至7.9V，以300mV為步長調(diào)節(jié)，默認(rèn)輸出電壓為6.1V，精度為1%。
• 輸出電流：具備100mA的輸出電流能力。

2.5 其他特性

• 雙向隔離：VIN和Vout具有雙向隔離功能。
• 保護(hù)功能：擁有短路保護(hù)（SCP）、過載保護(hù)和熱關(guān)斷功能。
• 啟動(dòng)延遲：FLVSS啟動(dòng)延遲為10ms，短路和OLP檢測時(shí)間為1ms。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

SGM3836B適用于智能手機(jī)、平板電腦等設(shè)備的有源矩陣OLED顯示屏，為這些設(shè)備的AMOLED顯示屏提供穩(wěn)定的電源。

4. 典型應(yīng)用電路

文檔中給出了典型應(yīng)用電路，通過合理的電路布局和元件選擇，能夠確保SGM3836B正常工作，為AMOLED顯示屏提供合適的電壓。例如，VELVDD默認(rèn)輸出4.6V，VELVSS默認(rèn)輸出 - 3.0V，VAVDD默認(rèn)輸出6.1V。

5. 電氣特性

5.1 供電電流和熱保護(hù)

• 輸入電壓范圍：2.9V至4.5V。
• 關(guān)斷電流：在特定條件下，關(guān)斷電流低至0.2μA。
• 欠壓鎖定閾值：AVIN的欠壓鎖定閾值在VIN下降和上升時(shí)有所不同。
• 熱關(guān)斷溫度：結(jié)溫上升到135℃時(shí)熱關(guān)斷，熱關(guān)斷遲滯為10℃。

5.2 邏輯信號

邏輯高電平電壓在VIN為2.9V至4.5V時(shí)，最小為1.2V。

5.3 轉(zhuǎn)換器特性

不同轉(zhuǎn)換器的輸出電壓、MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)電流限制、開關(guān)頻率等都有明確的參數(shù)。例如，SW1 MOSFET導(dǎo)通電阻在IDS = 100mA時(shí)典型值為120mΩ。

6. 時(shí)序要求

文檔中給出了各種時(shí)序要求，如短路檢測時(shí)間、初始化時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間等。例如，VO1在啟動(dòng)時(shí)的短路檢測時(shí)間為10ms，運(yùn)行時(shí)為1ms。

7. 典型性能特性

7.1 效率

給出了ELVDD和VELVSS組合效率與輸出電流的關(guān)系，以及AVDD效率與輸出電流的關(guān)系。不同輸入電壓下，效率會有所不同。

7.2 電壓調(diào)節(jié)

包括ELVDD、ELVSS和AVDD的線路調(diào)節(jié)和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。例如，ELVDD在不同輸入電壓和輸出電流下的電壓變化情況。

7.3 輸出電流

給出了VELVDD和VELVSS組合最大輸出電流與輸入電壓的關(guān)系。

8. 詳細(xì)描述

8.1 編程表

通過不同的上升沿?cái)?shù)量，可以對VO2（VELVSS）、VO3（VAVDD）、輸出放電、VO2過渡時(shí)間和VO1（VELVDD）進(jìn)行編程。

8.2 輸出電流容量

在不同的輸入電壓和輸出電壓組合下，給出了輸出電流容量的具體數(shù)值。

9. 封裝信息

SGM3836B采用TQFN - 3×3 - 16L封裝，文檔中給出了封裝外形尺寸、推薦焊盤尺寸、編帶和卷盤信息以及紙箱尺寸等。

10. 總結(jié)

SGM3836B是一款功能強(qiáng)大的AMOLED顯示電源芯片，具有寬輸入電壓范圍、高精度輸出電壓、多種保護(hù)功能等優(yōu)點(diǎn)。在設(shè)計(jì)AMOLED顯示電源電路時(shí)，工程師可以根據(jù)其特性和參數(shù)，合理選擇電路元件，確保電源的穩(wěn)定性和可靠性。同時(shí)，通過編程功能，可以靈活調(diào)整輸出電壓，滿足不同AMOLED顯示屏的需求。大家在實(shí)際應(yīng)用中，是否遇到過類似芯片在不同環(huán)境下的性能差異問題呢？歡迎在評論區(qū)分享。