安森美 NTBL048N60S5H MOSFET:高效電源解決方案
在電子工程領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件,對系統(tǒng)的性能和效率起著至關(guān)重要的作用。今天,我們來深入了解安森美(onsemi)推出的 NTBL048N60S5H 這款單通道 N 溝道功率 MOSFET,看看它在實(shí)際應(yīng)用中能帶來哪些優(yōu)勢。
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產(chǎn)品概述
NTBL048N60S5H 屬于 SUPERFET V MOSFET FAST 系列,專為硬開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),旨在通過極低的開關(guān)損耗來最大化系統(tǒng)效率。它采用 TOLL 封裝,這種封裝提供了 Kelvin 源極配置,降低了寄生源極電感,從而改善了熱性能和開關(guān)性能。
關(guān)鍵參數(shù)
- 耐壓:600V
- 導(dǎo)通電阻:最大 48 mΩ(@10V)
- 最大連續(xù)漏極電流:50A
產(chǎn)品特性
- 高耐壓與低導(dǎo)通電阻:在 150°C 的結(jié)溫下,典型導(dǎo)通電阻為 38.4 mΩ,能夠有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。
- 雪崩測試:經(jīng)過 100% 雪崩測試,確保了器件在極端條件下的可靠性。
- 環(huán)保設(shè)計(jì):無鉛、無鹵素、無溴化阻燃劑(BFR),符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。
應(yīng)用領(lǐng)域
該 MOSFET 適用于多種電源應(yīng)用,包括:
- 電信/服務(wù)器電源:為服務(wù)器提供穩(wěn)定、高效的電源供應(yīng)。
- 電動汽車充電器:滿足電動汽車快速充電的需求。
- 不間斷電源(UPS):在停電時(shí)提供可靠的電力支持。
- 太陽能/工業(yè)電源:提高太陽能發(fā)電系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源效率。
電氣特性
絕對最大額定值
| 在 25°C 的結(jié)溫下,NTBL048N60S5H 的主要絕對最大額定值如下: | 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 600 | V | |
| 柵源電壓(DC) | VGS | ±30 | V | |
| 連續(xù)漏極電流(TC = 25°C) | ID | 50 | A | |
| 連續(xù)漏極電流(TC = 100°C) | ID | 31 | A | |
| 功率耗散(TC = 25°C) | PD | 297 | W | |
| 脈沖漏極電流(TC = 25°C) | IDM | 175 | A | |
| 脈沖源極電流(體二極管)(TC = 25°C) | ISM | 175 | A | |
| 工作結(jié)溫和存儲溫度范圍 | TJ, TSTG | -55 至 +150 | °C |
電氣特性參數(shù)
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | V(BR)DSS | VGS = 0V, ID = 1mA, TJ = 25°C | 600 | - | - | V |
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VGS = 0V, VDS = 600V, TJ = 25°C | - | - | 2 | μA |
| 柵源泄漏電流 | IGSS | VGS = ±30V, VDS = 0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(on) | VGS = 10V, ID = 25A, TJ = 25°C | - | 38.4 | 48 | mΩ |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VGS = VDS, ID = 5.6mA, TJ = 25°C | 2.7 | - | 4.3 | V |
| 正向跨導(dǎo) | gFS | VDS = 20V, ID = 25A | - | 52.3 | - | S |
開關(guān)特性
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | td(on) | VGS = 0/10V, VDD = 400V | 27.4 | ns |
| 上升時(shí)間 | tr | ID = 25A, RG = 2.2Ω | 7.69 | ns |
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | - | 76.7 | ns |
| 下降時(shí)間 | tf | - | 2.59 | ns |
熱特性
| 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)到殼的熱阻 | RθJC | 0.42 | °C/W |
| 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | RθJA | 43 | °C/W |
典型特性曲線
文檔中提供了一系列典型特性曲線,包括導(dǎo)通區(qū)域特性、轉(zhuǎn)移特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、二極管正向電壓隨源極電流的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、Eoss 與漏源電壓的關(guān)系、最大漏極電流隨殼溫的變化以及瞬態(tài)熱阻抗等。這些曲線有助于工程師更好地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn),從而進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)。
封裝尺寸
NTBL048N60S5H 采用 H - PSOF8L 封裝,文檔詳細(xì)給出了封裝的尺寸信息,包括各個(gè)尺寸的最小值、標(biāo)稱值和最大值,為 PCB 設(shè)計(jì)提供了準(zhǔn)確的參考。
總結(jié)
安森美 NTBL048N60S5H MOSFET 憑借其高耐壓、低導(dǎo)通電阻、良好的開關(guān)性能和環(huán)保設(shè)計(jì),在多種電源應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí),可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求,結(jié)合該器件的電氣特性和熱特性,合理選擇和使用,以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電源解決方案。
在實(shí)際應(yīng)用中,你是否遇到過 MOSFET 選型和設(shè)計(jì)方面的挑戰(zhàn)?你對安森美這款 MOSFET 還有哪些疑問或見解呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和想法。
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