Onsemi FCH067N65S3 MOSFET：高性能解決方案

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為重要的功率器件，在各類(lèi)電源應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。今天，我們來(lái)深入了解Onsemi推出的FCH067N65S3這款N溝道650V、44A的SUPERFET III MOSFET。

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產(chǎn)品概述

FCH067N65S3屬于Onsemi全新的SUPERFET III系列，這是采用電荷平衡技術(shù)的高壓超結(jié)（SJ）MOSFET家族。該技術(shù)使得MOSFET具備出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能，能有效降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，還能承受極高的dv/dt速率。同時(shí)，其Easy drive系列有助于解決EMI問(wèn)題，讓設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更加輕松。

產(chǎn)品特性

電氣性能

• 耐壓與導(dǎo)通電阻：在(T{J}=150^{circ}C)時(shí)可承受700V電壓，典型導(dǎo)通電阻(R{DS(on)} = 59mOmega)，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下能有效減少功率損耗。
• 柵極電荷與輸出電容：超低的柵極電荷（典型(Q{g}=78nC)）和低有效輸出電容（典型(C{oss(eff.)}=715pF)），有助于降低開(kāi)關(guān)損耗，提高開(kāi)關(guān)速度。
• 雪崩測(cè)試：經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試，保證了器件在極端情況下的可靠性。
• 環(huán)保特性：該器件無(wú)鉛且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，符合環(huán)保要求。

絕對(duì)最大額定值

注：漏極電流受最大結(jié)溫限制；重復(fù)額定值：脈沖寬度受最大結(jié)溫限制；(I{AS}=8.8A)，(R{G}=25Omega)，起始(T{J}=25^{circ}C)；(I{SD} ≤22A)，(di / dt ≤200A / us)，(V{DD} ≤380V)，起始(T{J}=25^{circ}C)。

熱特性

熱阻方面，結(jié)到環(huán)境的最大熱阻為40°C/W，結(jié)到外殼的熱阻為0.4°C/W，良好的熱特性有助于保證器件在工作時(shí)的穩(wěn)定性。

應(yīng)用領(lǐng)域

該MOSFET適用于多種電源應(yīng)用場(chǎng)景，包括：

• 電信/服務(wù)器電源：滿(mǎn)足電信設(shè)備和服務(wù)器對(duì)高效、穩(wěn)定電源的需求。
• 工業(yè)電源：為工業(yè)設(shè)備提供可靠的功率支持。
• UPS/太陽(yáng)能：在不間斷電源和太陽(yáng)能系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用。

典型性能特性

文檔中給出了一系列典型性能特性曲線(xiàn)，如導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性等。這些曲線(xiàn)為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù)，幫助他們更好地了解器件在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

封裝與訂購(gòu)信息

FCH067N65S3采用TO - 247 G03封裝，包裝方式為管裝，每管30個(gè)單位。

在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，結(jié)合器件的各項(xiàng)參數(shù)和特性，合理選擇和使用該MOSFET。同時(shí)，要注意避免超過(guò)器件的絕對(duì)最大額定值，以確保器件的可靠性和穩(wěn)定性。大家在使用這款MOSFET時(shí)，有沒(méi)有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題或者有獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)?？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。