Onsemi N溝道UniFET MOSFET：高性能開關(guān)利器

在電子設計的領(lǐng)域中，MOSFET 作為關(guān)鍵的開關(guān)元件，廣泛應用于各種電路中。今天咱們就來深入了解一下 Onsemi 推出的 N 溝道 UniFET MOSFET——FDP20N50/FDPF20N50/FDPF20N50T，看看它有哪些獨特的性能和應用場景。

文件下載：FDPF20N50T-D.pdf

一、產(chǎn)品概述

Onsemi 的 UniFET MOSFET 是基于平面條紋和 DMOS 技術(shù)的高壓 MOSFET 系列。這個系列的設計目標很明確，就是降低導通電阻，提供更好的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強度。該系列產(chǎn)品適用于各種開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應用，像功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示器（FPD）電視電源、ATX 電源以及電子燈鎮(zhèn)流器等。

1.1 關(guān)鍵參數(shù)一覽

• 耐壓與電流：具備 500V 的漏源電壓（V_DSS），連續(xù)漏極電流（I_D）在 25°C 時可達 20A，100°C 時為 12.9A，脈沖漏極電流（I_DM）更是能達到 80A。
• 導通電阻：在 V_GS=10V、I_D=10A 的條件下，典型導通電阻 R_DS(on) 僅為 200mΩ，最大為 230mΩ。這意味著在導通狀態(tài)下，MOSFET 自身的功耗較小，能有效提高電路的效率。
• 柵極電荷與電容：低柵極電荷（典型值 45.6nC）以及低 C_rss（典型值 27pF）的特性，使得 MOSFET 在開關(guān)過程中能更快地響應，減小開關(guān)損耗。而且該系列產(chǎn)品經(jīng)過 100% 雪崩測試，可靠性有保障。

二、電氣特性分析

2.1 關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓（B_VDSS）：當 V_GS=0V、I_D=250μA 時，擊穿電壓為 500V，并且其溫度系數(shù)為 0.5V/°C。這表明隨著溫度的升高，擊穿電壓會有一定程度的上升。
• 零柵壓漏極電流（I_DSS）：在 V_DS=500V、V_GS=0V 以及 V_DS=400V、T_C=125°C 的不同條件下，對漏極電流進行了限制，確保在關(guān)斷狀態(tài)下 MOSFET 有良好的截止特性。

2.2 導通特性

• 柵極閾值電壓（V_GS(th)）：在 V_DS=V_GS、I_D=250μA 的條件下，范圍在 3.0V 至 5.0V 之間。這是 MOSFET 開始導通的關(guān)鍵參數(shù)，工程師在設計驅(qū)動電路時需要重點關(guān)注。
• 靜態(tài)漏源導通電阻（R_DS(on)）：前面已經(jīng)提到，在特定條件下典型值為 200mΩ，最大 230mΩ。導通電阻越小，在導通狀態(tài)下的功率損耗就越低。

2.3 動態(tài)特性

• 輸入電容（C_iss）、輸出電容（C_oss）和反向傳輸電容（C_rss）：這些電容參數(shù)會影響 MOSFET 的開關(guān)速度和驅(qū)動能力。在高頻開關(guān)應用中，較小的電容值有助于提高開關(guān)效率。
• 開關(guān)時間：包括開啟延遲時間（t_d(on)）、開啟上升時間（t_r）、關(guān)斷延遲時間（t_d(off)）和關(guān)斷下降時間（t_f）。這些時間參數(shù)決定了 MOSFET 在開關(guān)過程中的響應速度，對于高頻開關(guān)電路的性能至關(guān)重要。

2.4 漏源二極管特性

• 最大連續(xù)漏源二極管正向電流（I_S）：可達 30A，最大脈沖漏源二極管正向電流（I_SM）為 80A。這表明該 MOSFET 的內(nèi)置二極管能夠承受較大的電流沖擊。
• 反向恢復時間（t_rr）：在特定條件下為 507ns，反向恢復電荷（Q_rr）為 7.20μC。較小的反向恢復時間和電荷有助于減少二極管在反向恢復過程中的損耗。

三、典型特性曲線解讀

數(shù)據(jù)手冊中給出了一系列典型特性曲線，這些曲線能幫助工程師更直觀地了解 MOSFET 在不同工作條件下的性能。

• 導通區(qū)域特性曲線：展示了不同柵源電壓下，漏極電流與漏源電壓的關(guān)系。通過這條曲線，我們可以了解 MOSFET 在導通狀態(tài)下的電流承載能力和電壓降情況。
• 轉(zhuǎn)移特性曲線：反映了漏極電流與柵源電壓之間的關(guān)系。在設計驅(qū)動電路時，根據(jù)這條曲線可以確定合適的柵源電壓來控制漏極電流。
• 導通電阻變化曲線：顯示了導通電阻隨漏極電流和柵源電壓的變化情況。在實際應用中，我們可以根據(jù)負載電流和驅(qū)動電壓來選擇合適的工作點，以降低導通損耗。

四、應用領(lǐng)域與案例

4.1 應用領(lǐng)域

• LCD/LED/PDP 電視：在電視電源電路中，MOSFET 用于開關(guān)電源的轉(zhuǎn)換，將輸入的交流電轉(zhuǎn)換為適合電視各部分電路使用的直流電。其低導通電阻和良好的開關(guān)性能有助于提高電源效率，減少發(fā)熱，延長電視的使用壽命。
• 照明領(lǐng)域：在 LED 驅(qū)動電源中，MOSFET 作為開關(guān)元件控制 LED 的電流和亮度。通過快速的開關(guān)動作，實現(xiàn)對 LED 燈的精確調(diào)光，同時降低功耗。
• 不間斷電源（UPS）：UPS 在市電中斷時能為設備提供應急電源。MOSFET 在 UPS 的充電和放電電路中起到關(guān)鍵的開關(guān)作用，確保電源的穩(wěn)定切換和高效轉(zhuǎn)換。
• AC - DC 電源：廣泛應用于各種電子設備的電源適配器中，將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。MOSFET 的高性能能夠提高電源的轉(zhuǎn)換效率，減少能量損耗，符合現(xiàn)代電子設備對節(jié)能的要求。

4.2 實際案例

假設我們要設計一個 LED 驅(qū)動電源，需要選擇合適的 MOSFET。FDP20N50/FDPF20N50/FDPF20N50T 憑借其低導通電阻和快速的開關(guān)速度，能夠有效降低電源的功耗和發(fā)熱，提高 LED 燈的發(fā)光效率和穩(wěn)定性。在設計過程中，根據(jù) LED 的功率和工作電流，結(jié)合 MOSFET 的電氣特性和典型特性曲線，合理選擇驅(qū)動電路的參數(shù)，確保 MOSFET 在最佳工作狀態(tài)下運行。

五、封裝與訂購信息

5.1 封裝形式

• TO - 220 - 3LD（CASE 340AT）：適用于 FDP20N50 產(chǎn)品，這種封裝形式具有良好的散熱性能，便于安裝和焊接。
• TO - 220 Fullpack, 3 - Lead / TO - 220F - 3SG（CASE 221AT）：用于 FDPF20N50 和 FDPF20N50T 產(chǎn)品，同樣具備較好的散熱和機械穩(wěn)定性。

5.2 訂購信息

三種產(chǎn)品均以 1000 個/管的包裝形式提供，具體的訂購和運輸信息可參考數(shù)據(jù)手冊第 9 頁。

在實際的電子設計中，選擇合適的 MOSFET 至關(guān)重要。Onsemi 的 FDP20N50/FDPF20N50/FDPF20N50T 以其出色的性能和廣泛的應用領(lǐng)域，為工程師們提供了一個可靠的選擇。大家在使用過程中有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的應用經(jīng)驗呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。