Onsemi NVB072N65S3 MOSFET：汽車應(yīng)用的理想之選

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種至關(guān)重要的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。今天，我們將深入探討 Onsemi 的 NVB072N65S3 MOSFET，這是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的高性能 N 溝道功率 MOSFET。

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產(chǎn)品概述

NVB072N65S3 屬于 Onsemi 的 SuperFET III 系列，這是全新的高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 家族。該系列采用了電荷平衡技術(shù)，具有出色的低導(dǎo)通電阻和較低的柵極電荷性能。這種先進(jìn)技術(shù)旨在最小化傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并能承受極高的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET Easy - drive 系列有助于管理 EMI 問(wèn)題，使設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更加容易。

關(guān)鍵特性

高可靠性

• AEC - Q101 認(rèn)證：這意味著該 MOSFET 經(jīng)過(guò)了嚴(yán)格的汽車級(jí)認(rèn)證，能夠在汽車環(huán)境中可靠工作。
• 最高結(jié)溫 150°C：能夠承受較高的溫度，確保在高溫環(huán)境下依然穩(wěn)定運(yùn)行。

電氣性能優(yōu)越

• 超低柵極電荷：典型值 (Q_{G}=82 nC)，有助于降低開(kāi)關(guān)損耗，提高開(kāi)關(guān)速度。
• 低有效輸出電容：典型值 (C_{OSS}(eff.) = 724 pF)，減少了開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損耗。
• 100% 雪崩測(cè)試：保證了器件在雪崩情況下的可靠性。

環(huán)保特性

該器件為無(wú)鉛產(chǎn)品，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

典型應(yīng)用

• 汽車 PHEV - BEV DC - DC 轉(zhuǎn)換器：在電動(dòng)汽車的直流 - 直流轉(zhuǎn)換中發(fā)揮重要作用，提高能量轉(zhuǎn)換效率。
• 汽車 PHEV - BEV 車載充電器：為電動(dòng)汽車的充電系統(tǒng)提供高效的功率轉(zhuǎn)換。

絕對(duì)最大額定值

需要注意的是，超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱特性

良好的熱特性有助于確保器件在工作過(guò)程中保持穩(wěn)定的溫度，提高其可靠性。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 (BV_{DSS})：在 (V{GS}=0 V)，(I{D}=1 mA)，(T{J}=25^{circ}C) 時(shí)為 650 V；在 (T{J}=150^{circ}C) 時(shí)為 700 V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù) (Delta BVDSS / Delta TJ)：典型值為 0.60 V/°C。
• 零柵壓漏極電流 (I_{DSS})：在 (V{DS}=650 V)，(V{GS}=0 V) 時(shí)，典型值為 0.30 μA，最大值為 1 μA。

導(dǎo)通特性

• 柵源閾值電壓 (V_{GS(th)})：在 (V{GS}=V{DS})，(I_{D}=1.0 mA) 時(shí)，范圍為 2.5 - 4.5 V。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (R_{DS(on)})：在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=22 A)，(T{J}=25^{circ}C) 時(shí)，典型值為 61 mΩ，最大值為 72 mΩ；在 (T{J}=100^{circ}C) 時(shí)，典型值為 107 mΩ。
• 正向跨導(dǎo) (g_{FS})：在 (V{DS}=20 V)，(I{D}=44 A) 時(shí)，典型值為 29.7 S。

動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容 (C_{iss})：在 (V{DS}=400 V)，(V{GS}=0 V)，(f = 1 MHz) 時(shí)為 3300 pF。
• 輸出電容 (C_{oss})：72.8 pF。
• 反向傳輸電容 (C_{rss})：14.6 pF。
• 有效輸出電容 (C_{oss}(eff.))：在 (V{DS}=0 V) 到 400 V，(V{GS}=0 V) 時(shí)為 724 pF。
• 與能量相關(guān)的輸出電容 (C_{oss}(er.))：在 (V{DS}=0 V) 到 400 V，(V{GS}=0 V) 時(shí)為 104 pF。
• 總柵極電荷 (Q_{g}(tot))：在 (V{DS}=400 V)，(V{GS}=10 V)，(I_{D}=44 A) 時(shí)，典型值為 82.0 nC。
• 柵源柵極電荷 (Q_{gs})：23.3 nC。
• 柵漏“米勒”電荷 (Q_{gd})：34.0 nC。
• 柵極電阻 (R_{G})：在 (f = 1 MHz) 時(shí)，典型值為 0.685 Ω。

開(kāi)關(guān)特性

• 開(kāi)啟延遲時(shí)間 (t_{d(on)})：在 (V{DD}=400 V)，(I{D}=44 A)，(V{Gs}=10 V)，(R{G}=4.7) 時(shí)為 26.3 ns。
• 開(kāi)啟上升時(shí)間 (t_{r})：50 ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間 (t_{d(of)})：65.9 ns。
• 下降時(shí)間 (t_{f})：32 ns。

漏源二極管特性

• 最大連續(xù)漏源二極管正向電流 (I_{S})：最大值為 44 A。
• 最大脈沖漏源二極管正向電流 (I_{SM})：最大值為 110 A。
• 漏源二極管正向電壓 (V_{SD})：在 (V{GS}=0 V)，(I{SD}=22 A) 時(shí)，最大值為 1.2 V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間 (t_{rr})：在 (V{GS}=0 V)，(I{SD}=44 A)，(dI_{F}/dt = 100 A/μs) 時(shí)，典型值為 576 ns。
• 反向恢復(fù)電荷 (Q_{rr})：典型值為 14.3 μC。

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線，包括飽和特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻變化、正向二極管特性、電容與漏源電壓關(guān)系、柵極電荷與柵源電壓關(guān)系、歸一化漏源擊穿電壓與結(jié)溫關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫關(guān)系、正向偏置安全工作區(qū)、最大連續(xù)漏極電流與外殼溫度關(guān)系、(E_{oss}) 與漏源電壓關(guān)系、歸一化功率耗散與外殼溫度關(guān)系、峰值電流能力、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、歸一化柵極閾值電壓與溫度關(guān)系以及歸一化最大瞬態(tài)熱阻抗等。這些曲線有助于工程師更好地了解器件在不同條件下的性能，從而進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)。

封裝與訂購(gòu)信息

NVB072N65S3 采用 D2PAK - 3 封裝，包裝方式為帶盤(pán)包裝，盤(pán)尺寸為 330 mm，帶寬度為 24 mm，每盤(pán)數(shù)量為 800 個(gè)。

總結(jié)

Onsemi 的 NVB072N65S3 MOSFET 憑借其出色的性能和高可靠性，成為汽車 PHEV - BEV DC - DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器等應(yīng)用的理想選擇。其先進(jìn)的技術(shù)和豐富的特性為電子工程師提供了更多的設(shè)計(jì)靈活性和可靠性保障。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師可以根據(jù)具體需求，結(jié)合器件的電氣特性和典型特性曲線，進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)和優(yōu)化。你在使用類似 MOSFET 時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。