ECH8693R：1 - 2 節(jié)鋰離子電池保護(hù)的理想之選

一、公司背景

ON Semiconductor 現(xiàn)已更名為 onsemi，這是一家在半導(dǎo)體領(lǐng)域頗具影響力的企業(yè)。onsemi 擁有眾多專利、商標(biāo)、版權(quán)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。不過需要注意的是，該公司產(chǎn)品并未設(shè)計(jì)、打算或授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3 類醫(yī)療設(shè)備等特殊應(yīng)用場(chǎng)景。

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二、ECH8693R 簡(jiǎn)介

ECH8693R 是一款用于 1 - 2 節(jié)鋰離子電池保護(hù)的功率 MOSFET。它具備低導(dǎo)通電阻的特性，適用于便攜式機(jī)器的電源開關(guān)等應(yīng)用，尤其在 1 - 2 節(jié)鋰離子電池應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

三、產(chǎn)品特性

1. 低導(dǎo)通電阻

低導(dǎo)通電阻意味著在工作過程中，器件的功率損耗較小，能夠提高能源利用效率，減少發(fā)熱，延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。這對(duì)于對(duì)功耗和散熱要求較高的便攜式設(shè)備來說尤為重要。

2. 2.5V 驅(qū)動(dòng)

較低的驅(qū)動(dòng)電壓使得該 MOSFET 可以在較低的電源電壓下工作，這有助于降低系統(tǒng)的整體功耗，同時(shí)也方便與其他低電壓的電路元件集成。

3. 共漏極類型

這種類型的設(shè)計(jì)在電路布局和性能上具有一定的優(yōu)勢(shì)，能夠更好地滿足特定應(yīng)用的需求。

4. ESD 二極管保護(hù)柵極

ESD（靜電放電）是電子設(shè)備在使用過程中常見的問題，容易對(duì)器件造成損壞。該 MOSFET 的 ESD 二極管保護(hù)柵極設(shè)計(jì)能夠有效防止靜電對(duì)柵極的損害，提高器件的可靠性。

5. 內(nèi)置柵極保護(hù)電阻

內(nèi)置的柵極保護(hù)電阻可以進(jìn)一步保護(hù)柵極電路，防止過流、過壓等情況對(duì)柵極造成損壞，增強(qiáng)了器件的穩(wěn)定性。

6. 環(huán)保特性

該產(chǎn)品符合 Pb - Free（無鉛）、Halogen Free（無鹵）以及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，體現(xiàn)了環(huán)保理念，符合現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)環(huán)保的要求。

四、典型應(yīng)用

ECH8693R 主要用于 1 - 2 節(jié)鋰離子電池的充電和放電開關(guān)。在鋰離子電池的充放電過程中，需要精確控制電流和電壓，以確保電池的安全和性能。該 MOSFET 憑借其低導(dǎo)通電阻和其他特性，能夠很好地滿足這一需求。

五、規(guī)格參數(shù)

1. 絕對(duì)最大額定值（Ta = 25°C）

需要注意的是，超過這些最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

2. 熱阻額定值

結(jié)到環(huán)境熱阻（陶瓷基板表面安裝，900 mm2 × 0.8 mm，1 個(gè)單元）RθJA 為 89.2 °C/W。熱阻是衡量器件散熱能力的重要指標(biāo)，較低的熱阻意味著器件能夠更好地散熱，保證其在正常工作溫度范圍內(nèi)。

3. 導(dǎo)通電阻與電流關(guān)系

從這些數(shù)據(jù)可以看出，導(dǎo)通電阻會(huì)隨著驅(qū)動(dòng)電壓的變化而變化，在實(shí)際應(yīng)用中需要根據(jù)具體的工作電壓來選擇合適的工作點(diǎn)。

六、電氣連接與封裝

1. 電氣連接

該 MOSFET 為 N 溝道類型，在電路設(shè)計(jì)中需要根據(jù) N 溝道 MOSFET 的特性進(jìn)行連接和應(yīng)用。

2. 封裝

采用 SOT - 28FL / ECH8 封裝，這種封裝具有一定的尺寸和形狀特點(diǎn)，在 PCB 布局時(shí)需要考慮其封裝尺寸和引腳間距等因素。同時(shí)，推薦的焊接焊盤也有相應(yīng)的規(guī)格要求，具體可參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。

七、訂購(gòu)信息

對(duì)于卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息，可參考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D（http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/BRD8011 - D.PDF）。

八、使用注意事項(xiàng)

由于 ECH8693R 是 MOSFET 產(chǎn)品，在使用時(shí)應(yīng)避免在高電荷物體附近使用。如果需要用于指定應(yīng)用以外的場(chǎng)景，請(qǐng)聯(lián)系銷售部門。

電子工程師在設(shè)計(jì)使用 ECH8693R 時(shí)，需要綜合考慮其各項(xiàng)特性和參數(shù)，結(jié)合具體的應(yīng)用需求進(jìn)行合理的電路設(shè)計(jì)和布局。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似 MOSFET 的使用問題呢？歡迎交流分享。