FDB024N08BL7 N溝道PowerTrench? MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用解析

飛兆半導(dǎo)體（Fairchild）如今已成為安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）的一部分。在半導(dǎo)體整合過程中，部分飛兆可訂購的零件編號需進(jìn)行更改，以滿足安森美半導(dǎo)體的系統(tǒng)要求，例如飛兆零件編號中的下劃線（_）將改為短橫線（-）。今天，我們就來詳細(xì)了解一款飛兆的產(chǎn)品——FDB024N08BL7 N溝道PowerTrench? MOSFET。

文件下載：FDB024N08BL7CN-D.pdf

一、產(chǎn)品概述

FDB024N08BL7是一款采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench?工藝生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該工藝專為最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制。它具有80V的漏極 - 源極電壓，連續(xù)漏極電流在不同條件下有不同表現(xiàn)，如在TC = 25°C（硅限制）時為229A，在TC = 100°C（硅限制）時為162A ，在TC = 25°C（封裝限制）時為120A 。

二、最大額定值與熱性能

1. 最大額定值

注：連續(xù)電流是基于最高可允許的結(jié)溫計算所得，封裝限制電流為120A。

2. 熱性能

熱性能對于MOSFET的穩(wěn)定工作至關(guān)重要，工程師在設(shè)計電路時，需要根據(jù)這些熱阻參數(shù)來考慮散熱方案，以確保MOSFET在合適的溫度范圍內(nèi)工作。

三、特性亮點

1. 低導(dǎo)通電阻：RDS(on) = 1.7 m?（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 100 A ，低導(dǎo)通電阻可以有效降低功率損耗，提高電路效率。
2. *低FOM RDS(on) QG**：這一特性有助于減少開關(guān)損耗，提升整體性能。
3. 低反向恢復(fù)電荷：Qrr = 112 nC，軟反向恢復(fù)體二極管，可實現(xiàn)高效同步整流。
4. 快速開關(guān)速度：能夠滿足高速開關(guān)應(yīng)用的需求。
5. 符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，并且通過JEDEC JESD22 - A113F和IPC/JEDEC J - STD - 020D.1認(rèn)證。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

1. 同步整流：用于ATX/服務(wù)器/電信PSU的同步整流，可提高電源的效率和性能。
2. 電池保護(hù)電路：在電池保護(hù)電路中發(fā)揮重要作用，保障電池的安全使用。
3. 電機(jī)驅(qū)動和不間斷電源：為電機(jī)驅(qū)動和不間斷電源提供穩(wěn)定可靠的開關(guān)控制。

五、電氣特性

1. 關(guān)斷特性

包括漏極 - 源極擊穿電壓BVDSS、擊穿電壓溫度系數(shù)?BVDSS/?TJ、零柵極電壓漏極電流IDSS、柵極 - 體漏電流IGSS等參數(shù)。這些參數(shù)反映了MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下的性能，對于電路的可靠性設(shè)計非常重要。

2. 導(dǎo)通特性

如柵極閾值電壓VGS(th)、漏極至源極靜態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(on)、正向跨導(dǎo)gFS等。這些參數(shù)決定了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下的性能，工程師需要根據(jù)具體應(yīng)用需求來選擇合適的參數(shù)。

3. 動態(tài)特性

包括輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss等。這些電容參數(shù)會影響MOSFET的開關(guān)速度和動態(tài)性能。

4. 開關(guān)特性

如導(dǎo)通延遲時間td(on)、導(dǎo)通上升時間tr、關(guān)斷延遲時間td(off)、關(guān)斷下降時間tf等。這些時間參數(shù)直接影響MOSFET的開關(guān)速度和效率。

5. 漏極 - 源極二極管特性

包括漏極 - 源極二極管最大正向連續(xù)電流IS、最大正向脈沖電流ISM、正向電壓VSD、反向恢復(fù)時間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr等。這些參數(shù)對于二極管的性能和應(yīng)用至關(guān)重要。

六、典型性能特征

文檔中給出了多個典型性能特征圖，如導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、體二極管正向電壓變化與源極電流和溫度的關(guān)系等。這些圖表直觀地展示了MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)，工程師可以根據(jù)這些圖表來評估MOSFET在實際應(yīng)用中的性能。

七、機(jī)械尺寸與封裝

該MOSFET采用TO - 263 (D2PAK)，模塑，7引腳，表面貼裝封裝。封裝圖紙可能會在沒有任何通知的情況下做出改動，如有疑問，可聯(lián)系飛兆半導(dǎo)體代表核實或獲得最新版本。

八、注意事項

安森美半導(dǎo)體保留對產(chǎn)品進(jìn)行更改的權(quán)利，并且不承擔(dān)因產(chǎn)品應(yīng)用或使用而產(chǎn)生的任何責(zé)任。同時，該產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)或FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備等關(guān)鍵應(yīng)用。如果購買或使用該產(chǎn)品用于非預(yù)期或未經(jīng)授權(quán)的應(yīng)用，買家需承擔(dān)相應(yīng)的責(zé)任。

在實際設(shè)計中，工程師們需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景和需求，綜合考慮FDB024N08BL7的各項參數(shù)和特性，以確保電路的性能和可靠性。大家在使用這款MOSFET的過程中，有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的應(yīng)用經(jīng)驗?zāi)?？歡迎在評論區(qū)分享。