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華潤微 CRSM009N04L2 40V320A0.75mΩ SkyMOS2 雙測(cè)試 PDFN5x6 N-MOSFET 規(guī)格書

佰祥電子 ? 2026-03-31 17:19 ? 次閱讀
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華潤微代理商 - 華潤微授權(quán)佰祥電子為中國區(qū)華潤微代理商,佰祥電子本期為大家?guī)砣A潤微專為中低壓大功率控制場(chǎng)景匠心打造的 SkyMOS2 N-MOSFET——CRSM009N04L2,以 40V 高耐壓、0.75mΩ 超低導(dǎo)通電阻、320A 大電流、PDFN5x6 高功率密度封裝等核心優(yōu)勢(shì),破解中低壓大功率場(chǎng)景中器件導(dǎo)通損耗高、電流承載能力不足、散熱性能差、高頻開關(guān)效率低的行業(yè)痛點(diǎn)。

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一、原生適配:專為中低壓大功率控制場(chǎng)景匠心定制

CRSM009N04L2 并非普通 N-MOSFET 器件的簡(jiǎn)單設(shè)計(jì),而是立足中低壓大功率控制全場(chǎng)景使用需求的定制化 SkyMOS2 工藝研發(fā),完美適配各類工業(yè)電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、UPS 不間斷電源等大功率設(shè)備,在超低導(dǎo)通損耗、超大電流承載、高功率密度、優(yōu)異 FOM 值、高可靠性之間實(shí)現(xiàn)最優(yōu)平衡,一站式提供 40V 額定耐壓、0.75mΩ 超低導(dǎo)通電阻、320A 持續(xù)電流、CRM 先進(jìn) SkyMOS2 工藝、JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的完整功率開關(guān)一體化解決方案。

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二、七大核心亮點(diǎn),重新定義中低壓大功率場(chǎng)景 N-MOSFET 應(yīng)用標(biāo)桿

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先進(jìn) SkyMOS2 工藝,0.75mΩ 超低導(dǎo)阻優(yōu) FOM 值

采用華潤微 CRM (CQ) 先進(jìn) SkyMOS2 工藝,原生實(shí)現(xiàn) 0.75mΩ 典型導(dǎo)通電阻,大幅降低中低壓大功率場(chǎng)景下的器件導(dǎo)通損耗,直接提升整體功率轉(zhuǎn)換效率;擁有優(yōu)異的Qg?×RDS(on)?品質(zhì)因數(shù)(FOM),實(shí)現(xiàn)開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗的最優(yōu)平衡,完美適配大功率場(chǎng)景的高頻開關(guān)需求;工藝層面優(yōu)化器件內(nèi)部結(jié)構(gòu),提升功率密度,無需多器件并聯(lián)即可滿足中低壓大功率電流需求,大幅簡(jiǎn)化模塊設(shè)計(jì)。

40V 高耐壓特性,中低壓場(chǎng)景穩(wěn)定性拉滿

額定漏源擊穿電壓 40V,耐壓余量充足,完美適配 30-40V 中低壓大功率控制的電壓需求;在額定電壓范圍內(nèi)漏源擊穿電壓特性高度穩(wěn)定,無明顯參數(shù)漂移,有效抵御供電電壓波動(dòng)帶來的器件故障風(fēng)險(xiǎn);器件耐壓性能經(jīng)過嚴(yán)苛的 100% DVDS 測(cè)試,在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理等復(fù)雜中低壓供電環(huán)境下運(yùn)行更可靠。

320A 大電流承載,800A 脈沖超裕量

25℃硅片極限下支持 320A 持續(xù)漏極電流,100℃工況下仍保持 202A 持續(xù)電流輸出,充分滿足中低壓大功率場(chǎng)景的大電流開關(guān)需求;25℃下脈沖漏極電流可達(dá) 800A,脈沖電流裕量充足,適配瞬時(shí)大電流功率控制場(chǎng)景;器件內(nèi)部?jī)?yōu)化電流分布設(shè)計(jì),避免局部電流集中,大電流工況下溫升低,運(yùn)行狀態(tài)更穩(wěn)定,無需額外增加擴(kuò)流器件。

PDFN5x6 高功率密度封裝,散熱優(yōu)異易量產(chǎn)

采用 PDFN5x6 高功率密度封裝,結(jié)殼熱阻低至 0.74℃/W,散熱性能優(yōu)異,可快速散除大功率工況下產(chǎn)生的熱量,保障器件長期穩(wěn)定運(yùn)行;封裝尺寸小巧,適配小型化大功率 PCB 板設(shè)計(jì),大幅節(jié)省板級(jí)布局空間,優(yōu)化功率模塊的整體體積;完美兼容主流 SMT 貼片工藝,引腳布局標(biāo)準(zhǔn)化,量產(chǎn)貼裝效率高、良率優(yōu),降低生產(chǎn)工藝難度。

優(yōu)異高頻開關(guān)特性,低柵極電荷低驅(qū)動(dòng)損耗

優(yōu)化器件柵極電荷特性,柵極總電荷(Qg)典型值僅 96.2nC,柵極驅(qū)動(dòng)損耗大幅降低;開關(guān)響應(yīng)速度快,開通延遲時(shí)間 31.0ns,精準(zhǔn)適配中低壓大功率場(chǎng)景的高頻開關(guān)應(yīng)用需求;開關(guān)過程中尖峰電壓小,EMI 電磁干擾低,大幅降低外圍 EMC 設(shè)計(jì)難度,減少阻容濾波器件的使用;柵極控制邏輯簡(jiǎn)單,僅需少量驅(qū)動(dòng)元件即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定驅(qū)動(dòng),簡(jiǎn)化外圍驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。

JEDEC 認(rèn)證 + 全項(xiàng)嚴(yán)苛測(cè)試,高可靠抗沖擊

產(chǎn)品通過 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)權(quán)威認(rèn)證,完全滿足工業(yè)級(jí)大功率設(shè)備的高可靠性要求;器件經(jīng)過 100% DVDS 測(cè)試與 100% 雪崩測(cè)試,單脈沖雪崩能量達(dá) 630mJ,抗浪涌、抗沖擊能力突出;柵源極支持 ±20V 電壓,過壓耐受能力強(qiáng),在異常供電工況下可有效保護(hù)器件不被損壞,全場(chǎng)景運(yùn)行更安全。

優(yōu)異體二極管特性,反向恢復(fù)性能佳

內(nèi)置體二極管正向電壓典型值僅 0.78V,正向?qū)〒p耗低,反向恢復(fù)時(shí)間(trr)80ns、反向恢復(fù)電荷(Qrr)120nC,體二極管性能優(yōu)異;完美適配同步整流、續(xù)流等應(yīng)用場(chǎng)景,無需額外外接二極管,大幅簡(jiǎn)化外圍電路設(shè)計(jì);體二極管的高可靠性也為大功率電路的安全運(yùn)行提供了額外保障。

三、主流應(yīng)用場(chǎng)景

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  • 工業(yè)電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)
  • 電池管理系統(tǒng)(BMS)
  • UPS 不間斷電源
  • 中低壓大功率鋰電儲(chǔ)能設(shè)備
  • 工業(yè)級(jí)大功率功率開關(guān)電路
  • 低壓電力電子模塊

四、總結(jié)

CRSM009N04L2 是一款采用 CRM 先進(jìn) SkyMOS2 工藝、40V 高耐壓、0.75mΩ 超低導(dǎo)通電阻、320A 大電流承載、PDFN5x6 高功率密度封裝的高性能 N-MOSFET,在導(dǎo)通損耗、電流承載能力、功率密度、開關(guān)特性、可靠性認(rèn)證、體二極管性能上實(shí)現(xiàn)全維度突破,相比同類型產(chǎn)品更能滿足中低壓大功率場(chǎng)景的低損耗、高功率、高可靠的應(yīng)用需求,依托華潤微在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心技術(shù)積累,成為中低壓大功率功率控制場(chǎng)景 N-MOSFET 應(yīng)用的標(biāo)桿之選。

佰祥電子作為華潤微官方授權(quán)代理商,常備 CRSM009N04L2 原廠現(xiàn)貨,可提供完整規(guī)格書、定制化應(yīng)用方案、全流程硬件調(diào)試指導(dǎo)、樣品快速申請(qǐng)及大規(guī)模量產(chǎn)技術(shù)支持,正品保障、價(jià)格優(yōu)勢(shì)顯著、交貨周期短,助力客戶中低壓大功率相關(guān)產(chǎn)品高效開發(fā)、穩(wěn)定量產(chǎn)、快速搶占市場(chǎng)。

面向功率半導(dǎo)體市場(chǎng)大功率、低損耗、高功率密度、高可靠的發(fā)展趨勢(shì),CRSM009N04L2 以 0.75mΩ 超低導(dǎo)通電阻、320A 大電流、40V 高耐壓、PDFN5x6 高功率密度封裝、JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證、優(yōu)異開關(guān)與體二極管特性的核心優(yōu)勢(shì),成為中低壓大功率功率控制場(chǎng)景 N-MOSFET 應(yīng)用的全新標(biāo)桿方案。

規(guī)格書介紹

本規(guī)格書由華潤微代理商 - 華潤微公司授權(quán)佰祥電子為中國華潤微代理商提供。
CRSM009N04L2 是華潤微推出的 40V SkyMOS2 N-MOSFET,專為中低壓大功率控制場(chǎng)景設(shè)計(jì),采用華潤微先進(jìn) CRM SkyMOS2 工藝,實(shí)現(xiàn) 0.75mΩ 超低典型導(dǎo)通電阻,搭配優(yōu)異的 Qg×RDS (on) 品質(zhì)因數(shù),兼顧低導(dǎo)通損耗與低開關(guān)損耗。器件 25℃下支持 320A 持續(xù)漏極電流,800A 脈沖漏極電流,采用 PDFN5x6 高功率密度封裝,散熱性能優(yōu)異,節(jié)省 PCB 布局空間。
產(chǎn)品通過 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,完成 100% DVDS 與 100% 雪崩測(cè)試,工作溫域覆蓋 - 55~+150℃,在高低溫環(huán)境下電氣性能穩(wěn)定,抗浪涌、抗沖擊能力優(yōu)異,可適配電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、UPS 不間斷電源等多場(chǎng)景。

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    <b class='flag-5'>2N</b>7002AKM-Q 60<b class='flag-5'>V</b>、<b class='flag-5'>N</b>溝道溝槽<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>規(guī)格書</b>

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    發(fā)表于 02-20 18:56
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    發(fā)表于 02-27 19:07
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    發(fā)表于 03-03 19:06
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