深入解析ATP103 P-Channel Power MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用考量
在電子設(shè)備的設(shè)計中,功率MOSFET是至關(guān)重要的元件,它能有效地控制電流和電壓,實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。今天,我們就來詳細(xì)探討ON Semiconductor推出的ATP103 P-Channel Power MOSFET,看看它有哪些獨特之處。
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產(chǎn)品概述
ATP103是一款-30V、-55A、13mΩ的單通道P-Channel Power MOSFET,采用了ATPAK封裝。它具有低導(dǎo)通電阻、大電流處理能力、4.5V驅(qū)動以及內(nèi)置保護(hù)二極管等特點,并且符合無鹵標(biāo)準(zhǔn)。
產(chǎn)品特性
低導(dǎo)通電阻
低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,MOSFET的功耗更低,能夠減少能量損耗,提高系統(tǒng)的效率。這對于需要長時間工作的設(shè)備尤為重要,比如便攜式電子設(shè)備,低功耗可以延長電池的續(xù)航時間。
大電流處理能力
ATP103能夠承受高達(dá) -55A 的直流電流和 -165A 的脈沖電流(PW 10us,占空比 1%),這使得它適用于需要處理大電流的應(yīng)用,如電源模塊、電機驅(qū)動等。
4.5V 驅(qū)動
4.5V 的驅(qū)動電壓使得該 MOSFET 可以方便地與低電壓的控制電路集成,降低了系統(tǒng)的設(shè)計復(fù)雜度。
內(nèi)置保護(hù)二極管
內(nèi)置的保護(hù)二極管可以防止反向電流對 MOSFET 造成損壞,提高了系統(tǒng)的可靠性。
無鹵合規(guī)
符合無鹵標(biāo)準(zhǔn),這對于環(huán)保要求較高的應(yīng)用場景是一個重要的特性。
產(chǎn)品參數(shù)
絕對最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | -30 | V | |
| 柵源電壓 | VGSS | +20 | V | |
| 漏極電流(直流) | ID | -55 | A | |
| 漏極電流(脈沖 10us) | IDP | PW 10us,占空比 1% | -165 | A |
| 允許功耗 | PD | Tc = 25°C | 50 | W |
| 通道溫度 | Tch | 150 | °C | |
| 存儲溫度 | Tstg | -55 至 +150 | °C | |
| 雪崩能量(單脈沖) | EAS | 57 | mJ | |
| 雪崩電流 | IAV | -28 | A |
這些參數(shù)為工程師在設(shè)計電路時提供了重要的參考,確保 MOSFET 在安全的工作范圍內(nèi)運行。
電氣特性
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | V(BR)DSS | ID = -1mA,VGS = 0V | -30 | V | ||||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS = -30V,VGS = 0V | -1 | μA | ||||
| 柵源泄漏電流 | IGSS | VGS = ±16V,VDS = 0V | ±10 | μA | ||||
| 截止電壓 | VGS(off) | VDS = -10V,ID = -1mA | -1.2 | -2.6 | V | |||
| 正向傳輸導(dǎo)納 | yfs | VDS = -10V,ID = -28A | 45 | S | ||||
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(on)1 | ID = -28A,VGS = -10V | 10 | 13 | mΩ | |||
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(on)2 | ID = -14A,VGS = -4.5V | 14.5 | 20.5 | mΩ | |||
| 輸入電容 | Ciss | VDS = -10V,f = 1MHz | 2430 | pF | ||||
| 輸出電容 | Coss | 555 | pF | |||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 395 | pF | |||||
| 導(dǎo)通延遲時間 | td(on) | 19 | ns | |||||
| 上升時間 | tr | 400 | ns | |||||
| 關(guān)斷延遲時間 | td(off) | 150 | ns | |||||
| 下降時間 | tf | 145 | ns | |||||
| 總柵極電荷 | Qg | VDS = -15V,VGS = -10V,ID = -55A | 47 | nC | ||||
| 柵源電荷 | Qgs | 10 | nC | |||||
| 柵漏“米勒”電荷 | Qgd | 8.7 | nC | |||||
| 二極管正向電壓 | VSD | IS = -55A,VGS = 0V | -1.03 | -1.5 | V |
這些電氣特性詳細(xì)描述了 MOSFET 在不同工作條件下的性能,工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求來選擇合適的參數(shù)。
封裝與包裝信息
封裝
采用 ATPAK 封裝,這種封裝具有良好的散熱性能和機械穩(wěn)定性,能夠保證 MOSFET 在工作過程中的可靠性。
包裝
最小包裝數(shù)量為 3000 件/卷,包裝類型為 TL(編帶包裝)。編帶包裝方便自動化生產(chǎn),提高生產(chǎn)效率。
應(yīng)用注意事項
由于 ATP103 是 MOSFET 產(chǎn)品,在使用時應(yīng)避免將其放置在高電荷物體附近,以免受到靜電或其他干擾的影響。
此外,ON Semiconductor 提醒用戶,其產(chǎn)品不適合用于手術(shù)植入人體、支持或維持生命的系統(tǒng)等應(yīng)用,因為這些應(yīng)用對產(chǎn)品的可靠性要求極高,一旦產(chǎn)品失效可能會導(dǎo)致人身傷害或死亡。
總結(jié)
ATP103 P-Channel Power MOSFET 以其低導(dǎo)通電阻、大電流處理能力、4.5V 驅(qū)動等特性,為電子工程師在設(shè)計電源模塊、電機驅(qū)動等應(yīng)用時提供了一個可靠的選擇。在使用過程中,工程師需要根據(jù)產(chǎn)品的參數(shù)和應(yīng)用注意事項,合理設(shè)計電路,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。大家在實際應(yīng)用中,有沒有遇到過類似 MOSFET 的使用問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。
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