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安森美NVTFS024N06C MOSFET:高效與緊湊的完美結(jié)合

lhl545545 ? 2026-04-02 14:25 ? 次閱讀
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安森美NVTFS024N06C MOSFET:高效與緊湊的完美結(jié)合

電子工程師的日常設(shè)計中,MOSFET是一種常見且至關(guān)重要的功率器件。今天,我們來深入了解一下安森美(onsemi)推出的NVTFS024N06C單通道N溝道MOSFET,它在緊湊設(shè)計和高性能方面表現(xiàn)出色。

文件下載:NVTFS024N06C-D.PDF

產(chǎn)品特點

緊湊設(shè)計

NVTFS024N06C采用了3.3 x 3.3 mm的小封裝尺寸,這對于追求緊湊設(shè)計的應(yīng)用來說是一個巨大的優(yōu)勢。無論是在空間有限的便攜式設(shè)備,還是對體積有嚴格要求的工業(yè)應(yīng)用中,這種小尺寸的MOSFET都能輕松適配,為設(shè)計帶來更多的靈活性。

低損耗特性

  • 低導(dǎo)通電阻($R_{DS(on)}$):該MOSFET具有低$R_{DS(on)}$,能夠有效降低導(dǎo)通損耗。在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,低導(dǎo)通電阻意味著更少的能量損失,從而提高了系統(tǒng)的效率。例如,在電池供電的設(shè)備中,低導(dǎo)通電阻可以延長電池的使用壽命。
  • 低柵極電荷($Q_{G}$)和電容:低$Q_{G}$和電容能夠減少驅(qū)動損耗,降低驅(qū)動電路的功耗。這使得MOSFET在高速開關(guān)應(yīng)用中能夠更快地響應(yīng),減少開關(guān)時間,提高系統(tǒng)的整體性能。

可焊側(cè)翼選項

NVTFWS024N06C提供了可焊側(cè)翼選項,這對于光學(xué)檢測非常有利??珊競?cè)翼能夠提高焊接的可靠性,同時也便于在生產(chǎn)過程中進行自動化檢測,確保產(chǎn)品的質(zhì)量和一致性。

汽車級認證

該器件通過了AEC - Q101認證,并且具備生產(chǎn)件批準程序(PPAP)能力。這意味著它可以滿足汽車電子等對可靠性要求極高的應(yīng)用場景,為工程師在汽車電子設(shè)計中提供了可靠的選擇。

環(huán)保特性

NVTFS024N06C是無鉛、無鹵素/BFR的,并且符合RoHS標準。這不僅符合環(huán)保要求,也滿足了全球各地對電子產(chǎn)品環(huán)保標準的嚴格要求。

典型應(yīng)用

NVTFS024N06C適用于多種應(yīng)用場景,包括:

  • 電動工具和電池驅(qū)動的吸塵器:在這些設(shè)備中,MOSFET需要具備高效的功率轉(zhuǎn)換能力,以延長電池的使用時間。低導(dǎo)通電阻和低驅(qū)動損耗使得NVTFS024N06C能夠滿足這些要求。
  • 無人機和物料搬運設(shè)備:無人機和物料搬運設(shè)備對功率密度和可靠性有較高的要求。NVTFS024N06C的小尺寸和高性能特性使其成為這些應(yīng)用的理想選擇。
  • 電池管理系統(tǒng)(BMS)和家庭自動化:在BMS中,MOSFET用于電池的充放電控制,需要具備精確的控制能力和高可靠性。家庭自動化系統(tǒng)則需要緊湊的設(shè)計和低功耗的器件,NVTFS024N06C都能滿足這些需求。

電氣特性

最大額定值

參數(shù) 符號 單位
漏源電壓 $V_{DSS}$ 60 V
柵源電壓 $V_{GS}$ ±20 V
連續(xù)漏極電流($T_{C}=25^{circ}C$) $I_{D}$ 24 A
連續(xù)漏極電流($T_{C}=100^{circ}C$) $I_{D}$ 17 A
功率耗散($T_{C}=25^{circ}C$) $P_{D}$ 28 W
功率耗散($T_{C}=100^{circ}C$) $P_{D}$ 14 W
脈沖漏極電流($T{A}=25^{circ}C$,$t{p}=10mu s$) $I_{DM}$ 112 A
工作結(jié)溫和存儲溫度范圍 $T{J}$,$T{stg}$ -55 to +175 $^{circ}C$
源極電流(體二極管 $I_{S}$ 23 A
單脈沖漏源雪崩能量($I_{L(pk)} = 5.3 A$) $E_{AS}$ 14 mJ
引腳溫度(焊接回流) $T_{L}$ 260 $^{circ}C$

電氣特性($T_{J}=25^{circ}C$)

參數(shù) 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 $V_{(BR)DSS}$ $V_{GS} = 0V$,$I = 250mu A$ 60 - - V
漏源擊穿電壓溫度系數(shù) $V{(BR)DSS}/T{J}$ $I_{D} = 250mu A$,參考25°C 27 - - mV/°C
零柵壓漏極電流($T = 125^{circ}C$) $I_{DSS}$ $V{GS} = 0V$,$V{DS} = 60V$ - - 250 $mu A$
零柵壓漏極電流($T = 25^{circ}C$) $I_{DSS}$ $V{GS} = 0V$,$V{DS} = 60V$ - - 10 $mu A$
柵源泄漏電流 $I_{GSS}$ $V{DS} = 0V$,$V{GS} = 20V$ - - 100 nA
柵極閾值電壓 $V_{GS(TH)}$ $V{GS} = V{DS}$,$I_{D} = 20mu A$ 2.0 - 4.0 V
負閾值溫度系數(shù) $V{GS(TH)}/T{J}$ $I_{D} = 20mu A$,參考25°C -7.8 - - mV/°C
漏源導(dǎo)通電阻 $R_{DS(on)}$ $V{GS} = 10V$,$I{D} = 3A$ 18.8 - 22.6
正向跨導(dǎo) $g_{fs}$ $V{DS} = 5V$,$I{D} = 3A$ 10 - - S
柵極電阻 $R_{G}$ $T_{A} = 25^{circ}C$ 0.8 - - Ω
輸入電容 $C_{iss}$ - - 333 - pF
輸出電容 $C_{oss}$ $V{GS} = 0V$,$f = 1 MHz$,$V{DS} = 30V$ - 225 - pF
反向傳輸電容 $C_{rss}$ - - 5.05 - pF
總柵極電荷 $Q_{G(TOT)}$ - - 5.7 - nC
閾值柵極電荷 $Q_{G(TH)}$ $V{GS} = 10V$,$V{DS} = 48V$,$I_{D} = 3A$ 1.3 - 2.0 nC
柵源電荷 $Q_{GS}$ $V{GS} = 10V$,$V{DS} = 48V$,$I_{D} = 3A$ - - - nC
柵漏電荷 $Q_{GD}$ $V{GS} = 10V$,$V{DS} = 48V$,$I_{D} = 3A$ 0.68 - - nC
導(dǎo)通延遲時間 $t_{d(on)}$ $V{GS} = 10V$,$V{DS} = 48V$,$I{D} = 3A$,$R{G} = 6Omega$ 6.6 - - ns
上升時間 $t_{r}$ $V{GS} = 10V$,$V{DS} = 48V$,$I{D} = 3A$,$R{G} = 6Omega$ 1.3 - - ns
關(guān)斷延遲時間 $t_{d(off)}$ $V{GS} = 10V$,$V{DS} = 48V$,$I{D} = 3A$,$R{G} = 6Omega$ 10 - - ns
下降時間 $t_{f}$ $V{GS} = 10V$,$V{DS} = 48V$,$I{D} = 3A$,$R{G} = 6Omega$ 3.0 - - ns
正向二極管電壓($T = 125^{circ}C$) $V_{SD}$ $V{GS} = 0V$,$I{S} = 3A$ 0.66 - 1.2 V
正向二極管電壓($T = 25^{circ}C$) $V_{SD}$ $V{GS} = 0V$,$I{S} = 3A$ 0.8 - - V
反向恢復(fù)時間 $t_{RR}$ - - 23 - ns
放電時間 $t_{a}$ $V{GS} = 0V$,$dI{S}/dt = 100A/mu s$,$V{DS} = 30V$,$I{S} = 2A$ 11 - - ns
充電時間 $t_$ $V{GS} = 0V$,$dI{S}/dt = 100A/mu s$,$V{DS} = 30V$,$I{S} = 2A$ 12 - - ns
反向恢復(fù)電荷 $Q_{RR}$ - - 11 - nC

封裝和訂購信息

NVTFS024N06C有兩種封裝選項:

  • NVTFS024N06CTAG:24NC(無鉛)8FL封裝,每盤1500個,采用卷帶包裝。
  • NVTFWS024N06CTAG:24NW(無鉛,可焊側(cè)翼)8FL封裝,每盤1500個,采用卷帶包裝。

總結(jié)

安森美NVTFS024N06C MOSFET以其緊湊的設(shè)計、低損耗特性、環(huán)保特性和廣泛的應(yīng)用場景,為電子工程師提供了一個優(yōu)秀的選擇。在實際設(shè)計中,工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求,充分利用該MOSFET的特點,實現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計。你在使用MOSFET時,是否也遇到過類似的性能和尺寸的權(quán)衡問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。

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