安森美NVTFS024N06C MOSFET:高效與緊湊的完美結(jié)合
在電子工程師的日常設(shè)計中,MOSFET是一種常見且至關(guān)重要的功率器件。今天,我們來深入了解一下安森美(onsemi)推出的NVTFS024N06C單通道N溝道MOSFET,它在緊湊設(shè)計和高性能方面表現(xiàn)出色。
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產(chǎn)品特點
緊湊設(shè)計
NVTFS024N06C采用了3.3 x 3.3 mm的小封裝尺寸,這對于追求緊湊設(shè)計的應(yīng)用來說是一個巨大的優(yōu)勢。無論是在空間有限的便攜式設(shè)備,還是對體積有嚴格要求的工業(yè)應(yīng)用中,這種小尺寸的MOSFET都能輕松適配,為設(shè)計帶來更多的靈活性。
低損耗特性
- 低導(dǎo)通電阻($R_{DS(on)}$):該MOSFET具有低$R_{DS(on)}$,能夠有效降低導(dǎo)通損耗。在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,低導(dǎo)通電阻意味著更少的能量損失,從而提高了系統(tǒng)的效率。例如,在電池供電的設(shè)備中,低導(dǎo)通電阻可以延長電池的使用壽命。
- 低柵極電荷($Q_{G}$)和電容:低$Q_{G}$和電容能夠減少驅(qū)動損耗,降低驅(qū)動電路的功耗。這使得MOSFET在高速開關(guān)應(yīng)用中能夠更快地響應(yīng),減少開關(guān)時間,提高系統(tǒng)的整體性能。
可焊側(cè)翼選項
NVTFWS024N06C提供了可焊側(cè)翼選項,這對于光學(xué)檢測非常有利??珊競?cè)翼能夠提高焊接的可靠性,同時也便于在生產(chǎn)過程中進行自動化檢測,確保產(chǎn)品的質(zhì)量和一致性。
汽車級認證
該器件通過了AEC - Q101認證,并且具備生產(chǎn)件批準程序(PPAP)能力。這意味著它可以滿足汽車電子等對可靠性要求極高的應(yīng)用場景,為工程師在汽車電子設(shè)計中提供了可靠的選擇。
環(huán)保特性
NVTFS024N06C是無鉛、無鹵素/BFR的,并且符合RoHS標準。這不僅符合環(huán)保要求,也滿足了全球各地對電子產(chǎn)品環(huán)保標準的嚴格要求。
典型應(yīng)用
NVTFS024N06C適用于多種應(yīng)用場景,包括:
- 電動工具和電池驅(qū)動的吸塵器:在這些設(shè)備中,MOSFET需要具備高效的功率轉(zhuǎn)換能力,以延長電池的使用時間。低導(dǎo)通電阻和低驅(qū)動損耗使得NVTFS024N06C能夠滿足這些要求。
- 無人機和物料搬運設(shè)備:無人機和物料搬運設(shè)備對功率密度和可靠性有較高的要求。NVTFS024N06C的小尺寸和高性能特性使其成為這些應(yīng)用的理想選擇。
- 電池管理系統(tǒng)(BMS)和家庭自動化:在BMS中,MOSFET用于電池的充放電控制,需要具備精確的控制能力和高可靠性。家庭自動化系統(tǒng)則需要緊湊的設(shè)計和低功耗的器件,NVTFS024N06C都能滿足這些需求。
電氣特性
最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | $V_{DSS}$ | 60 | V |
| 柵源電壓 | $V_{GS}$ | ±20 | V |
| 連續(xù)漏極電流($T_{C}=25^{circ}C$) | $I_{D}$ | 24 | A |
| 連續(xù)漏極電流($T_{C}=100^{circ}C$) | $I_{D}$ | 17 | A |
| 功率耗散($T_{C}=25^{circ}C$) | $P_{D}$ | 28 | W |
| 功率耗散($T_{C}=100^{circ}C$) | $P_{D}$ | 14 | W |
| 脈沖漏極電流($T{A}=25^{circ}C$,$t{p}=10mu s$) | $I_{DM}$ | 112 | A |
| 工作結(jié)溫和存儲溫度范圍 | $T{J}$,$T{stg}$ | -55 to +175 | $^{circ}C$ |
| 源極電流(體二極管) | $I_{S}$ | 23 | A |
| 單脈沖漏源雪崩能量($I_{L(pk)} = 5.3 A$) | $E_{AS}$ | 14 | mJ |
| 引腳溫度(焊接回流) | $T_{L}$ | 260 | $^{circ}C$ |
電氣特性($T_{J}=25^{circ}C$)
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | $V_{(BR)DSS}$ | $V_{GS} = 0V$,$I = 250mu A$ | 60 | - | - | V |
| 漏源擊穿電壓溫度系數(shù) | $V{(BR)DSS}/T{J}$ | $I_{D} = 250mu A$,參考25°C | 27 | - | - | mV/°C |
| 零柵壓漏極電流($T = 125^{circ}C$) | $I_{DSS}$ | $V{GS} = 0V$,$V{DS} = 60V$ | - | - | 250 | $mu A$ |
| 零柵壓漏極電流($T = 25^{circ}C$) | $I_{DSS}$ | $V{GS} = 0V$,$V{DS} = 60V$ | - | - | 10 | $mu A$ |
| 柵源泄漏電流 | $I_{GSS}$ | $V{DS} = 0V$,$V{GS} = 20V$ | - | - | 100 | nA |
| 柵極閾值電壓 | $V_{GS(TH)}$ | $V{GS} = V{DS}$,$I_{D} = 20mu A$ | 2.0 | - | 4.0 | V |
| 負閾值溫度系數(shù) | $V{GS(TH)}/T{J}$ | $I_{D} = 20mu A$,參考25°C | -7.8 | - | - | mV/°C |
| 漏源導(dǎo)通電阻 | $R_{DS(on)}$ | $V{GS} = 10V$,$I{D} = 3A$ | 18.8 | - | 22.6 | mΩ |
| 正向跨導(dǎo) | $g_{fs}$ | $V{DS} = 5V$,$I{D} = 3A$ | 10 | - | - | S |
| 柵極電阻 | $R_{G}$ | $T_{A} = 25^{circ}C$ | 0.8 | - | - | Ω |
| 輸入電容 | $C_{iss}$ | - | - | 333 | - | pF |
| 輸出電容 | $C_{oss}$ | $V{GS} = 0V$,$f = 1 MHz$,$V{DS} = 30V$ | - | 225 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | $C_{rss}$ | - | - | 5.05 | - | pF |
| 總柵極電荷 | $Q_{G(TOT)}$ | - | - | 5.7 | - | nC |
| 閾值柵極電荷 | $Q_{G(TH)}$ | $V{GS} = 10V$,$V{DS} = 48V$,$I_{D} = 3A$ | 1.3 | - | 2.0 | nC |
| 柵源電荷 | $Q_{GS}$ | $V{GS} = 10V$,$V{DS} = 48V$,$I_{D} = 3A$ | - | - | - | nC |
| 柵漏電荷 | $Q_{GD}$ | $V{GS} = 10V$,$V{DS} = 48V$,$I_{D} = 3A$ | 0.68 | - | - | nC |
| 導(dǎo)通延遲時間 | $t_{d(on)}$ | $V{GS} = 10V$,$V{DS} = 48V$,$I{D} = 3A$,$R{G} = 6Omega$ | 6.6 | - | - | ns |
| 上升時間 | $t_{r}$ | $V{GS} = 10V$,$V{DS} = 48V$,$I{D} = 3A$,$R{G} = 6Omega$ | 1.3 | - | - | ns |
| 關(guān)斷延遲時間 | $t_{d(off)}$ | $V{GS} = 10V$,$V{DS} = 48V$,$I{D} = 3A$,$R{G} = 6Omega$ | 10 | - | - | ns |
| 下降時間 | $t_{f}$ | $V{GS} = 10V$,$V{DS} = 48V$,$I{D} = 3A$,$R{G} = 6Omega$ | 3.0 | - | - | ns |
| 正向二極管電壓($T = 125^{circ}C$) | $V_{SD}$ | $V{GS} = 0V$,$I{S} = 3A$ | 0.66 | - | 1.2 | V |
| 正向二極管電壓($T = 25^{circ}C$) | $V_{SD}$ | $V{GS} = 0V$,$I{S} = 3A$ | 0.8 | - | - | V |
| 反向恢復(fù)時間 | $t_{RR}$ | - | - | 23 | - | ns |
| 放電時間 | $t_{a}$ | $V{GS} = 0V$,$dI{S}/dt = 100A/mu s$,$V{DS} = 30V$,$I{S} = 2A$ | 11 | - | - | ns |
| 充電時間 | $t_$ | $V{GS} = 0V$,$dI{S}/dt = 100A/mu s$,$V{DS} = 30V$,$I{S} = 2A$ | 12 | - | - | ns |
| 反向恢復(fù)電荷 | $Q_{RR}$ | - | - | 11 | - | nC |
封裝和訂購信息
NVTFS024N06C有兩種封裝選項:
- NVTFS024N06CTAG:24NC(無鉛)8FL封裝,每盤1500個,采用卷帶包裝。
- NVTFWS024N06CTAG:24NW(無鉛,可焊側(cè)翼)8FL封裝,每盤1500個,采用卷帶包裝。
總結(jié)
安森美NVTFS024N06C MOSFET以其緊湊的設(shè)計、低損耗特性、環(huán)保特性和廣泛的應(yīng)用場景,為電子工程師提供了一個優(yōu)秀的選擇。在實際設(shè)計中,工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求,充分利用該MOSFET的特點,實現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計。你在使用MOSFET時,是否也遇到過類似的性能和尺寸的權(quán)衡問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。
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