Onsemi NVMYS025N06CL N溝道MOSFET：緊湊設(shè)計(jì)的高效之選

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入了解一下Onsemi的NVMYS025N06CL N溝道MOSFET，看看它能為我們的設(shè)計(jì)帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。

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產(chǎn)品概述

NVMYS025N06CL是一款60V、27.5mΩ、21A的N溝道MOSFET，采用了LFPAK4封裝，具有小尺寸（5x6mm）的特點(diǎn)，非常適合緊湊設(shè)計(jì)。它具備低導(dǎo)通電阻（$R{DS(on)}$）和低柵極電荷（$Q{G}$）及電容，能夠有效降低導(dǎo)通損耗和驅(qū)動(dòng)損耗。此外，該器件通過(guò)了AEC - Q101認(rèn)證，具備PPAP能力，并且符合無(wú)鉛和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓$V{(BR)DSS}$：在$V{GS}=0V$，$I_{D}=250mu A$時(shí)，最小值為60V。
• 零柵壓漏極電流$I{DSS}$：$V{GS}=0V$，$T{J}=25^{circ}C$，$V{DS}=60V$時(shí)，最大值為10μA；$T_{J}=125^{circ}C$時(shí)，最大值為250μA。
• 柵源泄漏電流$I{GSS}$：$V{DS}=0V$，$V_{GS}=20V$時(shí)，最大值為100nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓$V{GS(TH)}$：$V{GS}=V{DS}$，$I{D}=13A$時(shí)，典型值為1.2 - 2.0V。
• 漏源導(dǎo)通電阻$R{DS(on)}$：$V{GS}=10V$，$I{D}=7.5A$時(shí)，典型值為22.9 - 27.5mΩ；$V{GS}=4.5V$，$I_{D}=7.5A$時(shí)，典型值為35.8 - 43mΩ。
• 正向跨導(dǎo)$g{FS}$：$V{DS}=15V$，$I_{D}=10A$時(shí)，典型值為20S。

電荷、電容和柵極電阻

• 輸入電容$C{ISS}$：$V{GS}=0V$，$f = 1MHz$，$V_{DS}=25V$時(shí)，典型值為330pF。
• 輸出電容$C_{OSS}$：典型值為172pF。
• 反向傳輸電容$C_{RSS}$：典型值為5pF。
• 總柵極電荷$Q{G(TOT)}$：$V{GS}=10V$，$V{DS}=48V$，$I{D}=7.5A$時(shí)，典型值為5.8nC；$V_{GS}=4.5V$時(shí)，典型值為2.7nC。

開(kāi)關(guān)特性

• 開(kāi)啟延遲時(shí)間$t{d(ON)}$：$V{GS}=10V$，$V{DS}=48V$，$I{D}=7.5A$，$R_{G}=1.0Omega$時(shí)，典型值為5ns。
• 上升時(shí)間$t_{r}$：典型值為12.5ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間$t_{d(OFF)}$：典型值為14ns。
• 下降時(shí)間$t_{f}$：典型值為2.5ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓$V{SD}$：$V{GS}=0V$，$I{S}=7.5A$，$T{J}=25^{circ}C$時(shí)，典型值為0.87 - 1.2V；$T_{J}=125^{circ}C$時(shí)，典型值為0.76V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間$t_{RR}$：典型值為18ns。
• 電荷時(shí)間$t_{a}$：典型值為8.3ns。
• 放電時(shí)間$t_$：典型值為9.7ns。
• 反向恢復(fù)電荷$Q_{RR}$：典型值為7.5nC。

典型特性

導(dǎo)通區(qū)域特性

從圖1可以看出，不同$V{GS}$下，漏極電流$I{D}$隨漏源電壓$V_{DS}$的變化情況。這有助于我們了解器件在不同偏置條件下的導(dǎo)通性能。

傳輸特性

圖2展示了在不同結(jié)溫下，漏極電流$I{D}$與柵源電壓$V{GS}$的關(guān)系。可以看到，結(jié)溫對(duì)器件的傳輸特性有一定影響。

導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系

圖3顯示了導(dǎo)通電阻$R{DS(on)}$隨柵源電壓$V{GS}$的變化。我們可以根據(jù)這個(gè)特性選擇合適的柵源電壓，以獲得較低的導(dǎo)通電阻。

導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系

圖4展示了導(dǎo)通電阻$R{DS(on)}$與漏極電流$I{D}$和柵極電壓$V_{GS}$的關(guān)系。在設(shè)計(jì)中，我們可以根據(jù)實(shí)際的電流需求和柵極驅(qū)動(dòng)能力來(lái)優(yōu)化導(dǎo)通電阻。

導(dǎo)通電阻隨溫度變化

圖5顯示了導(dǎo)通電阻$R{DS(on)}$隨結(jié)溫$T{J}$的變化。了解這個(gè)特性對(duì)于評(píng)估器件在不同溫度環(huán)境下的性能非常重要。

漏源泄漏電流與電壓關(guān)系

圖6展示了漏源泄漏電流$I{DSS}$與漏源電壓$V{DS}$的關(guān)系。在設(shè)計(jì)中，我們需要關(guān)注泄漏電流對(duì)系統(tǒng)功耗的影響。

電容變化

圖7顯示了輸入電容$C{ISS}$、輸出電容$C{OSS}$和反向傳輸電容$C{RSS}$隨漏源電壓$V{DS}$的變化。這些電容特性會(huì)影響器件的開(kāi)關(guān)速度和驅(qū)動(dòng)要求。

柵源與總電荷關(guān)系

圖8展示了柵源電荷$Q{GS}$和柵漏電荷$Q{GD}$與總柵極電荷$Q_{G}$的關(guān)系。這對(duì)于優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)電路非常有幫助。

電阻性開(kāi)關(guān)時(shí)間與柵極電阻關(guān)系

圖9顯示了開(kāi)關(guān)時(shí)間隨柵極電阻$R_{G}$的變化。在設(shè)計(jì)中，我們可以根據(jù)需要選擇合適的柵極電阻來(lái)調(diào)整開(kāi)關(guān)速度。

二極管正向電壓與電流關(guān)系

圖10展示了二極管正向電壓$V{SD}$與源極電流$I{S}$的關(guān)系。了解這個(gè)特性對(duì)于評(píng)估體二極管的性能非常重要。

最大額定正向偏置安全工作區(qū)

圖11展示了器件在不同脈沖時(shí)間下的最大額定正向偏置安全工作區(qū)。在設(shè)計(jì)中，我們需要確保器件的工作點(diǎn)在安全工作區(qū)內(nèi)，以避免器件損壞。

峰值電流與雪崩時(shí)間關(guān)系

圖12顯示了峰值電流$I_{PEAK}$與雪崩時(shí)間的關(guān)系。這對(duì)于評(píng)估器件在雪崩情況下的可靠性非常重要。

熱特性

圖13展示了熱阻$R(t)$隨脈沖時(shí)間的變化。了解熱特性對(duì)于設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng)非常重要。

封裝與訂購(gòu)信息

該器件采用LFPAK4封裝，尺寸為4.90x4.15x1.15mm，引腳間距為1.27mm。訂購(gòu)型號(hào)為NVMYS025N06CLTWG，包裝形式為3000個(gè)/卷帶包裝。

總結(jié)

Onsemi的NVMYS025N06CL N溝道MOSFET以其緊湊的尺寸、低導(dǎo)通電阻和低驅(qū)動(dòng)損耗等優(yōu)點(diǎn)，為電子工程師在設(shè)計(jì)中提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，我們需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求，結(jié)合器件的各項(xiàng)參數(shù)和典型特性，合理選擇和使用該器件，以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。大家在使用這款MOSFET時(shí)，有沒(méi)有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。