深入解析 onsemi NVMYS008N08LH 單通道 N 溝道功率 MOSFET
深入解析 onsemi NVMYS008N08LH 單通道 N 溝道功率 MOSFET
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天，我們來(lái)詳細(xì)探討 onsemi 推出的 NVMYS008N08LH 單通道 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢(shì)。
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產(chǎn)品概述
NVMYS008N08LH 是 onsemi 旗下一款高性能的功率 MOSFET，具備 80V 的耐壓能力，極低的導(dǎo)通電阻 (R_{DS(on)}) 僅為 8.8 mΩ，最大連續(xù)漏極電流可達(dá) 59A。它采用了緊湊的 5x6 mm LFPAK4 封裝，非常適合對(duì)空間要求較高的設(shè)計(jì)。
特性亮點(diǎn)
1. 緊湊設(shè)計(jì)
該 MOSFET 采用 5x6 mm 的小尺寸封裝，能有效節(jié)省 PCB 空間，對(duì)于一些追求小型化的電子設(shè)備設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，無(wú)疑是一個(gè)理想的選擇。比如在便攜式電子設(shè)備、小型電源模塊等應(yīng)用中，緊湊的設(shè)計(jì)可以讓產(chǎn)品更加輕薄。
2. 低損耗特性
- 低 (R_{DS(on)})：低導(dǎo)通電阻能夠顯著降低導(dǎo)通損耗，提高功率轉(zhuǎn)換效率。在高電流應(yīng)用中，這一特性可以減少發(fā)熱，延長(zhǎng)器件的使用壽命。
- 低 (Q_{G}) 和電容：低柵極電荷 (Q_{G}) 和電容能夠降低驅(qū)動(dòng)損耗，提高開(kāi)關(guān)速度，使電路的響應(yīng)更加迅速。
3. 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
LFPAK4 封裝是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，具有良好的兼容性和可互換性，方便工程師進(jìn)行設(shè)計(jì)和替換。
4. 汽車(chē)級(jí)認(rèn)證
該器件通過(guò)了 AEC - Q101 認(rèn)證，并且具備 PPAP 能力，適用于汽車(chē)電子等對(duì)可靠性要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。
5. 環(huán)保特性
NVMYS008N08LH 是無(wú)鉛產(chǎn)品，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。
電氣特性
1. 最大額定值
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | (V_{DSS}) | 80 | V |
| 柵源電壓 | (V_{GS}) | ±20 | V |
| 穩(wěn)態(tài)連續(xù)漏極電流（(T_{C}=25^{circ}C)） | (I_{D}) | 59 | A |
| 穩(wěn)態(tài)連續(xù)漏極電流（(T_{C}=100^{circ}C)） | (I_{D}) | 42 | A |
| 功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)） | (P_{D}) | 73 | W |
| 功率耗散（(T_{C}=100^{circ}C)） | (P_{D}) | 37 | W |
| 脈沖漏極電流（(T{A}=25^{circ}C)，(t{p}=10mu s)） | (I_{DM}) | 319 | A |
| 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍 | (T{J})，(T{stg}) | - 55 至 +175 | °C |
| 源極電流（體二極管） | (I_{S}) | 61 | A |
| 單脈沖漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 3.4A)） | (E_{AS}) | 267 | mJ |
| 焊接用引腳溫度（距外殼 1/8″，10s） | (T_{L}) | 260 | °C |
2. 電氣特性參數(shù)
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 關(guān)斷特性 | ||||||
| 漏源擊穿電壓 | (V_{(BR)DSS}) | (V{GS}=0V)，(I{D}=250mu A) | 80 | - | - | V |
| 漏源擊穿電壓溫度系數(shù) | (frac{Delta V{(BR)DSS}}{Delta T{J}}) | - | - | 45.7 | - | mV/°C |
| 零柵壓漏極電流 | (I_{DSS}) | (V{GS}=0V)，(V{DS}=80V)，(T_{J}=25^{circ}C) | - | - | 10 | (mu A) |
| (V{GS}=0V)，(V{DS}=80V)，(T_{J}=125^{circ}C) | - | - | 100 | nA | ||
| 柵源泄漏電流 | (I_{GSS}) | (V{DS}=0V)，(V{GS}=±20V) | - | - | ±100 | nA |
| 導(dǎo)通特性 | ||||||
| 柵極閾值電壓 | (V_{GS(TH)}) | (V{GS}=V{DS})，(I_{D}=70mu A) | 1.2 | 2.0 | - | V |
| 閾值溫度系數(shù) | (frac{Delta V{GS(TH)}}{Delta T{J}}) | - | - | -5.2 | mV/°C | |
| 漏源導(dǎo)通電阻 | (R_{DS(on)}) | (V{GS}=10V)，(I{D}=10A) | 7.2 | 8.8 | - | mΩ |
| (V{GS}=4.5V)，(I{D}=10A) | 8.8 | 11 | - | mΩ | ||
| 正向跨導(dǎo) | (g_{FS}) | (V{DS}=8V)，(I{D}=10A) | - | 84 | - | S |
| 電荷、電容和柵極電阻 | ||||||
| 輸入電容 | (C_{ISS}) | (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=40V) | - | 1420 | - | pF |
| 輸出電容 | (C_{OSS}) | (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=40V) | - | 192 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | (C_{RSS}) | (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=40V) | - | 11 | - | pF |
| 總柵極電荷 | (Q_{G(TOT)}) | (V{GS}=10V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A) | - | 25 | - | nC |
| (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A) | - | 12 | - | nC | ||
| 閾值柵極電荷 | (Q_{G(TH)}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A) | - | 2.4 | - | nC |
| 柵源電荷 | (Q_{GS}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A) | - | 4.6 | - | nC |
| 柵漏電荷 | (Q_{GD}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A) | - | 4.3 | - | nC |
| 平臺(tái)電壓 | (V_{GP}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A) | - | 3.1 | - | V |
| 開(kāi)關(guān)特性 | ||||||
| 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | (t_{d(ON)}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=30A)，(R{G}=2.5Omega) | - | 37 | - | ns |
| 上升時(shí)間 | (t_{r}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=30A)，(R{G}=2.5Omega) | - | 87 | - | ns |
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | (t_{d(OFF)}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=30A)，(R{G}=2.5Omega) | - | 22 | - | ns |
| 下降時(shí)間 | (t_{f}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=30A)，(R{G}=2.5Omega) | - | 8 | - | ns |
| 漏源二極管特性 | ||||||
| 正向二極管電壓 | (V_{SD}) | (V{GS}=0V)，(I{S}=10A)，(T_{J}=25^{circ}C) | 0.81 | - | 1.2 | V |
| (V{GS}=0V)，(I{S}=10A)，(T_{J}=125^{circ}C) | - | - | 0.65 | V | ||
| 反向恢復(fù)時(shí)間 | (t_{RR}) | (V{GS}=0V)，(frac{dI{S}}{dt}=100A/mu s)，(I_{S}=30A) | - | 39 | - | ns |
| 充電時(shí)間 | (t_{a}) | (V{GS}=0V)，(frac{dI{S}}{dt}=100A/mu s)，(I_{S}=30A) | - | 23 | - | ns |
| 放電時(shí)間 | (t_) | (V{GS}=0V)，(frac{dI{S}}{dt}=100A/mu s)，(I_{S}=30A) | - | 16 | - | ns |
| 反向恢復(fù)電荷 | (Q_{RR}) | (V{GS}=0V)，(frac{dI{S}}{dt}=100A/mu s)，(I_{S}=30A) | - | 36 | - | nC |
典型特性曲線
文檔中還給出了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關(guān)系、電容變化、柵源與總電荷關(guān)系、電阻性開(kāi)關(guān)時(shí)間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關(guān)系、最大額定正向偏置安全工作區(qū)、雪崩時(shí)峰值電流與時(shí)間關(guān)系以及熱響應(yīng)等曲線。這些曲線可以幫助工程師更好地了解器件在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。
應(yīng)用注意事項(xiàng)
1. 熱阻問(wèn)題
整個(gè)應(yīng)用環(huán)境會(huì)影響熱阻數(shù)值，熱阻不是常數(shù)，僅在特定條件下有效。例如，表面貼裝在使用 (650mm^{2})、2 oz. 銅焊盤(pán)的 FR4 板上時(shí)，熱阻會(huì)有所不同。在設(shè)計(jì)時(shí)，需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用環(huán)境來(lái)評(píng)估熱阻，確保器件在安全的溫度范圍內(nèi)工作。
2. 脈沖電流
最大脈沖電流與脈沖持續(xù)時(shí)間和占空比有關(guān)，在使用脈沖電流時(shí)，需要根據(jù)具體的脈沖參數(shù)來(lái)確定最大電流值。
3. 適用范圍
該產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3 類(lèi)醫(yī)療設(shè)備或在國(guó)外司法管轄區(qū)具有相同或類(lèi)似分類(lèi)的醫(yī)療設(shè)備，以及用于人體植入的設(shè)備。如果購(gòu)買(mǎi)或使用該產(chǎn)品用于此類(lèi)非預(yù)期或未經(jīng)授權(quán)的應(yīng)用，買(mǎi)方需要承擔(dān)相應(yīng)的責(zé)任。
總結(jié)
NVMYS008N08LH 單通道 N 溝道功率 MOSFET 憑借其緊湊的設(shè)計(jì)、低損耗特性、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝以及汽車(chē)級(jí)認(rèn)證等優(yōu)勢(shì)，在眾多電子應(yīng)用中具有很大的吸引力。工程師在設(shè)計(jì)過(guò)程中，需要充分考慮其電氣特性和應(yīng)用注意事項(xiàng)，以確保電路的性能和可靠性。大家在實(shí)際應(yīng)用中有遇到過(guò)類(lèi)似 MOSFET 的問(wèn)題嗎？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。
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