一文了解 NVMFS5H610NL N 溝道功率 MOSFET

在電子設(shè)備的設(shè)計中，功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件之一，它直接影響著設(shè)備的性能和效率。今天我們就來詳細(xì)了解一款由安森美（onsemi）推出的 N 溝道功率 MOSFET——NVMFS5H610NL。

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產(chǎn)品概述

NVMFS5H610NL 是一款耐壓 60V、電流 48A 的 N 溝道功率 MOSFET。它具有多種封裝形式，包括 DFN5 和 DFNW5，且具備可焊側(cè)翼選項（NVMFS5H610NLWF），方便進(jìn)行光學(xué)檢查。該產(chǎn)品經(jīng)過 AEC - Q101 認(rèn)證，符合 PPAP 要求，并且是無鉛產(chǎn)品，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品特性

緊湊設(shè)計

它采用了 5x6mm 的小尺寸封裝，這種緊湊的設(shè)計非常適合對空間要求較高的應(yīng)用場景，能夠幫助工程師在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)更多的功能。

低導(dǎo)通損耗

具有較低的 (R{DS(on)}) 值，在 10V 柵源電壓、8A 漏極電流時，(R{DS(on)}) 最大為 10mΩ；在 4.5V 柵源電壓、7A 漏極電流時，(R{DS(on)}) 最大為 13mΩ。低 (R{DS(on)}) 可以有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)的效率。

低驅(qū)動損耗

低 (Q_{G}) 和電容特性，能夠減少驅(qū)動損耗，降低對驅(qū)動電路的要求，從而簡化電路設(shè)計。

電氣特性

最大額定值

電氣參數(shù)

關(guān)斷特性

• (V{(BR)DSS})（漏源擊穿電壓）：在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=250mu A) 時，為 60V，溫度系數(shù)為 39.2mV/°C。
• (I{DSS})（零柵壓漏極電流）：在 (V{GS}=0V)，(V{DS}=60V)，(T{J}=25^{circ}C) 時為 10μA，(T_{J}=125^{circ}C) 時為 250μA。
• (I{GSS})（柵源泄漏電流）：在 (V{DS}=0V)，(V_{GS}=20V) 時為 100nA。

導(dǎo)通特性

• (V{GS(TH)})（柵極閾值電壓）：在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=40A) 時，典型值為 1.2 - 2.0V，溫度系數(shù)為 -5.0mV/°C。
• (R{DS(on)})（漏源導(dǎo)通電阻）：在 (V{GS}=10V)，(I{D}=8A) 時，最大為 10mΩ；在 (V{GS}=4.5V)，(I_{D}=7A) 時，最大為 13mΩ。

電荷、電容和柵極電阻

• (C_{ISS})（輸入電容）：典型值為 880pF。
• (C_{OSS})（輸出電容）：典型值為 150pF。
• (C_{RSS})（反向傳輸電容）：典型值為 6.0pF。
• (Q{OSS})（輸出電荷）：在 (V{GS}=0V)，(V_{DD}=30V) 時為 12nC。
• (Q{G(TOT)})（總柵極電荷）：在 (V{GS}=10V)，(V{DS}=30V)，(I{D}=8A) 時為 13.7nC；在 (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=30V)，(I_{D}=8A) 時為 6.4nC。
• (Q_{G(TH)})（閾值柵極電荷）：典型值為 1.6nC。
• (Q_{GS})（柵源電荷）：典型值為 2.6nC。
• (Q_{GD})（柵漏電荷）：典型值為 1.3nC。
• (V_{GP})（平臺電壓）：典型值為 2.6V。

開關(guān)特性

在 (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=48V)，(I{D}=8A)，(R{G}=2.5Omega) 的條件下：

• (t_{d(ON)})（開啟延遲時間）：典型值為 9.5ns。
• (t_{r})（上升時間）：典型值為 23ns。
• (t_{d(OFF)})（關(guān)斷延遲時間）：典型值為 22ns。
• (t_{f})（下降時間）：典型值為 6ns。

漏源二極管特性

• (V{SD})（正向二極管電壓）：在 (T{J}=25^{circ}C)，(V{GS}=0V)，(I{S}=8A) 時，為 0.8 - 1.2V；在 (T_{J}=125^{circ}C) 時為 0.65V。
• (t_{RR})（反向恢復(fù)時間）：典型值為 24ns。
• (t_{a})（充電時間）：典型值為 15ns。
• (t_)（放電時間）：典型值為 9ns。
• (Q_{RR})（反向恢復(fù)電荷）：典型值為 17nC。

典型特性

導(dǎo)通區(qū)域特性

從導(dǎo)通區(qū)域特性曲線可以看出，不同柵源電壓下，漏極電流隨漏源電壓的變化情況。這有助于工程師了解 MOSFET 在不同工作條件下的導(dǎo)通性能。

傳輸特性

傳輸特性曲線展示了漏極電流與柵源電壓的關(guān)系。通過該曲線，工程師可以確定合適的柵源電壓來控制漏極電流，從而實現(xiàn)對電路的精確控制。

導(dǎo)通電阻特性

導(dǎo)通電阻與柵源電壓、漏極電流以及溫度都有關(guān)系。在不同柵源電壓和漏極電流下，導(dǎo)通電阻會發(fā)生變化；同時，隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻也會增大。這就要求工程師在設(shè)計電路時，要充分考慮這些因素對 MOSFET 性能的影響。

電容特性

電容特性曲線顯示了輸入電容、輸出電容和反向傳輸電容隨漏源電壓的變化情況。低電容特性有助于減少開關(guān)損耗，提高開關(guān)速度。

開關(guān)時間特性

開關(guān)時間隨柵極電阻的變化曲線，對于優(yōu)化開關(guān)電路的設(shè)計非常重要。工程師可以根據(jù)實際需求選擇合適的柵極電阻，以達(dá)到最佳的開關(guān)性能。

封裝信息

DFN5 封裝

DFNW5 封裝

訂購信息

總結(jié)

NVMFS5H610NL 是一款性能出色的 N 溝道功率 MOSFET，具有緊湊設(shè)計、低導(dǎo)通損耗和低驅(qū)動損耗等優(yōu)點。在實際應(yīng)用中，工程師可以根據(jù)具體的電路需求，合理選擇封裝形式和工作參數(shù)，以實現(xiàn)最佳的性能和效率。同時，需要注意產(chǎn)品的最大額定值和電氣特性，避免超過其極限參數(shù)，影響產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。大家在使用這款 MOSFET 時，有沒有遇到過一些特別的問題或者有什么獨特的應(yīng)用經(jīng)驗?zāi)?？歡迎在評論區(qū)分享。