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本文主要是關于NOR Flash的相關介紹，并著重對NOR Flash的原理性能及其行業(yè)趨勢進行了詳盡的闡述。

NOR Flash

它是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術之一。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory電可編程序只讀存儲器）和EEPROM（電可擦只讀存儲器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NOR Flash 的特點是芯片內執(zhí)行（XIP ，eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在Flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR 的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在于Flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。通常讀取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的寫入速度比NOR快很多，在設計中應該考慮這些情況?！?a target="_blank">ARM嵌入式 Linux系統(tǒng)開發(fā)從入門到精通》李亞峰歐文盛等編著清華大學出版社 P52 注釋 API Key。

性能比較

flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數(shù)情況下，在進行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。

由于擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。

執(zhí)行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NAND之間的性能差距，統(tǒng)計表明，對于給定的一套寫入操作（尤其是更新小文件時），更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。

l 、NOR的讀速度比NAND稍快一些。

2、 NAND的寫入速度比NOR快很多。

3 、NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。

4 、大多數(shù)寫入操作需要先進行擦除操作。

5 、NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。

此外，NAND的實際應用方式要比NOR復雜的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接運行代碼；而NAND需要I/O接口，因此使用時需要驅動程序。不過當今流行的操作系統(tǒng)對NAND結構的Flash都有支持。此外，Linux內核也提供了對NAND結構的Flash的支持。

詳解

NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。

像“flash存儲器”經常可以與相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內人士也搞不清楚NAND閃存技術相對于NOR技術的優(yōu)越之處，因為大多數(shù)情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。

NOR的特點是芯片內執(zhí)行（XIP， eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在于flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。

NOR Flash行業(yè)趨勢分析

1汽車與工控拉動2016 趨勢反轉

從各方面驗證，2016年是NOR的拐點。首先，NOR市場為什么過去持續(xù)下跌？一方面是NAND由于更高的性價比在智能機領域替代NOR，另一方面是功能機出貨持續(xù)下滑。但目前情況是NAND替換已經完成，在智能機應用穩(wěn)定在ISP、TDDI、AMOLED等領域以及低端功能機，而功能機領域還有較大市場且增速的下滑也已經趨于平緩。根據(jù)Gartner，2016年功能機出貨3.96億部，同比增速-5.71%，遠小于過去幾年兩位數(shù)以上的衰退，其背后原因是由于收入結構與人口結構等因素影響，仍有較多地區(qū)以功能機為主，根據(jù)PEW研究，東南亞、印度、非洲與日本（由于人口老齡化影響）智能手機普及率僅有20%、17%、10%與39%（全球平均水平是43%）。因此對于功能機，我們預計仍有3億部左右的筑底市場存在，對應25%的下降空間，預計未來幾年功能機下滑速度持續(xù)在10%以內。

傳統(tǒng)功能機市場下滑明顯趨緩的同時，工控與汽車等新應用在強勢崛起。華邦電汽車和工用占比從2012年2%迅速提升至2016年18%。而旺宏汽車和工控占比也從09年的不到3%一路提升至16年的20%，復合增長率達39.08%。而根據(jù)CYPRESS，專用于ADAS系統(tǒng)NOR市場也預計將從2016年的0.28億美元增長至2021年的1.21億美元，對應復合增長率28%。

2調高TDDI AMOLED需求拉動預期

AMOLED與TDDI對NOR Flash需求拉動可能比我們預計的更樂觀。（a）Amoled：由于亮度均勻性和殘像是AMOLED兩大難題（Mura），因此需要通過外部驅動電路感知像素的電學或光學特性然后進行補償（De-mura），而由于De-mura編碼整合進入驅動IC成本過高，因此需要外掛一顆8Mb（Full HD）或32Mb（QHD）的NOR Flash，目前為三星供應NOR的主要為臺資廠商旺宏和華邦電，而旺宏是蘋果獨家供應商，一顆單價約為0.2-0.5美元，我們測算17/18年新市場空間1.90/2.4億美元。（b）TDDI：TDII是將觸控與顯示驅動芯片集成。根據(jù)Synaptics，2017/2018年全球TDDI銷量3.8/5.3億顆，對應市場0.38/0.53億美元。（c）eflash滲透率：在我們原先假設中，考慮到eFlash（嵌入式NOR）是趨勢，因此18/19/20年按照20%/50%/70%假設eflash占比，但由于面積和成本，以及高低壓制程不兼容（eflash運行在12V，而驅動IC運行在28V）等因素，我們進一步調低eflash 18/19/20比率至0%/5%/15%，同時假設17/18/19/20年NOR的平均價格漲幅為30%/10%/-10%/-10%，對應17/18/19/20年新增市場規(guī)模2.98/4.50/5.09/5.42億美元（由于17年OLED用NOR一大增量來自于蘋果新款手機，預計蘋果機相對安卓機零部件價值量高，因此17年OLED用NOR相對16年實際提價假設43%）。

3市場未來預計維持二位數(shù)增長

在傳統(tǒng)應用下滑趨勢減緩，汽車、工控、AMOLED與TDDI等新應用強勢拉動的背景下，預計17~2020年NOR Flash市場復合增長率15.74%，至2020年市場規(guī)模有望達到47.68億美元。

中性預期下未來幾年產能小幅穩(wěn)健提升

從供給角度整體收縮，美光逐步退出市場，CYPRESS退出中低容量，臺系與大陸廠商進行擴產。中性預期下我們預計17/18/19年全球NOR的產能在20.16/22.95/25.98萬片/月，YOY分別為-5.81%/13.84%/13.22%。

美光已經停產其生產NOR的8寸產線，對應月產能2萬片/月，而我們預計其另一條月產能1.2萬片/月，生產汽車和工控產品的12寸線也有可能在未來幾年退出。

另一方面，CYPRESS近期也宣布持續(xù)退出中低容量的NOR，轉而專注汽車與工控領域。2017年的CYPRESS分析師見面會， CEO Hassane El-Khoury聲明公司NOR的目標是維持毛利率在50%，而傳統(tǒng)應用毛利率普遍在25%左右（兆易創(chuàng)新存儲部分2016年毛利率25%；旺宏2016年毛利率24 %），因此公司將會專注于汽車與工控等高端市場。CYPRESS此前已經退出部分傳統(tǒng)市場，對應8000萬美元的市場規(guī)模，預計未來2-4年將會將其產能減少至50%以下。

根據(jù)Trend Force，2016年CYPRESS市占率25%，美光市占率18%，綜合CYPRESS和美光信息，不考慮美光12寸線的退出，預計未來3-4年將會有12%~20%的供給空缺出現(xiàn)，且預計主要的產能收縮出現(xiàn)在頭兩年（盡管美光是出賣設備，但是預計如果是新的進入者接手設備，預計需要4年以上時間大規(guī)模達產，如果是市場傳統(tǒng)玩家，也需要1年半以上時間）。而另一方面，***和大陸預計未來將會持續(xù)擴產，搶占市場。根據(jù)華邦電、旺宏、力晶等，臺系大廠未來幾年都有明確的擴產計劃，其中力晶甚至會逐步將LCD驅動IC轉移至合肥廠生產，空余產能生產NOR，最高產能高達2.4萬片/月（12寸）。而對于大陸NOR擴產，我們持有謹慎關注態(tài)度，與競爭對手不同，國內NOR生產主要由代工廠生產，而NOR一般是毛利率最低的產品，代工廠一般不會主動加大NOR的產能，另一方面國內NOR大廠武漢新芯上游硅片受到日系廠商限制，預計今明兩年對大陸NOR總供給產生影響。因此，綜合以上信息，假定不存在新的進入者，中性預期下我們預計17/18/19年全球NOR的產能在20.16/22.95/25.98萬片/月，YOY分別為-5.81%/13.84%/13.22%。

供不應求可能成為常態(tài)，缺口有望維持至19年

117年缺口13.40%，且有拉大趨勢

將2016年作為供求平衡年，設為基數(shù)100，綜合供需兩方面因素，未來幾年NOR Flash供不應求可能是一種常態(tài)，17年缺口預計13.40%，且有加大趨勢。

2大陸存儲雄心勃勃，不容忽視的不確定性

與海外不同的是，大陸的NOR Flash產業(yè)目前以Fabless為主，目前生產掌握在武漢新芯和中芯國際等晶圓廠手中，并且政府已經變成強勢主導地位，一個可能的問題的是，國家平臺（紫光系）或者地方平臺（福建、合肥）未來是否會進入這個市場？倘若進入，對市場沖擊幾何？

我們的觀點是預計國家或者地方平臺不會進入該市場，即使進入，2020年前也可能不會改變供不應求的基本局面。首先，政府平臺主要目標是在DRAM/NAND等主流市場實現(xiàn)國產替代，而不是進入大陸已經占有優(yōu)勢的NOR；其次，相對于動輒300億美元的DRAM/NAND，NOR的市場太小了不足以容納百億美元以上投資的地方隊和國家隊，所以我們預計國家或地方平臺不會進入該市場。倘若進入，預計19年大陸實現(xiàn)10萬片/月的產能才能實現(xiàn)供求平衡，而16年產能45萬片，17年由于硅片緊張預計產能收縮。因此我們認為即使考慮新的進入者或大陸擴產，在此情況下預計產能缺口仍將有望延續(xù)至2019年（對應于圖9的虛線預測，19年達到平衡條件是大陸總產能達到9萬片/月，預計對應17年~19年產能復合增長率69%）。

標的分析：推薦大陸與臺系優(yōu)質公司

從市場角度來看，旺宏、兆易創(chuàng)新等都將受益于行業(yè)變化。

1兆易創(chuàng)新（603986.SH）：A股唯一存儲器標的，股價已跌至定增價

公司是三大確定性市場唯一標的。公司是大陸NOR Flash龍頭，也是A股唯一存儲標的，全球市占率7%；在MCU領域，公司定位32位MCU且業(yè)績飛速提升；同時公司外延并購汽車芯片龍頭ISSI。收購完成后，兆易創(chuàng)新成為了A股唯一純正存儲器設計公司、A股唯一汽車芯片領域公司，以及A股唯一經營高端MCU業(yè)務的公司。

公司作為A股NOR Flash龍頭，預計深度受益漲價潮。公司過去幾年業(yè)績實現(xiàn)快速成長，13-16年歸母凈利潤復合增長率37.98%，尤其是17Q1受益漲價歸母凈利同比增94.20%。作為大陸NOR Flash龍頭，預計深度受益行業(yè)趨勢變化。尤其是國內AMOLED產能預計在2018年開始逐漸放量，預計對應18/19年0.50/1.05億美金的市場規(guī)模，而兆易創(chuàng)新作為國內最大的NOR供應商，供應容量偏小，有望拿到大部分市場。

目前市場對公司疑慮有二：（1）公司產能問題。而據(jù)我們了解產能問題已經解決，武漢新芯產能逐步轉移至中芯國際，全年產能預計同比只增不減。（2）公司外延項目過會問題。公司本次收購是優(yōu)質資產強強聯(lián)合，并不涉及借殼上市。而且所涉及問題在預期內，預計過會概率相對較大。即使收購ISSI出現(xiàn)問題，我們預計公司17年凈利潤4.52億元，對應PE（2017E）是37.61倍，而目前封測企業(yè)平均估值31.44倍，作為輕資產的fabless，且NOR和MCU兩大主業(yè)都保持較高增速的兆易創(chuàng)新，預計本身估值相對穩(wěn)健。且公司股價跌至定增價，外延預期已經擠出，如果定增通過將成為較好買點。

風險提示。過會風險，業(yè)績增長不及預期。

2旺宏（2337.TW）：12寸線爬坡價量齊升，SWTICH加持助ROM業(yè)績反轉

旺宏是非易失存儲器臺系龍頭，是全球最大的NOR和ROM（只讀存儲器）供應商。公司成立于1989年，產品線以NOR，ROM，NAND和代工為主，其中NOR和ROM分別占公司16年營收58%和20%。公司一共有6寸（一廠）、8寸（二廠）、12寸（五廠），其中二廠與五廠以自產產品為主，一廠以代工PMIC和驅動芯片等為主。由于10年85億臺幣購買竹科12寸晶圓廠折舊費龐大、NOR市場萎縮疊加價格下降， ROM業(yè)務受到任天堂3DS （2011發(fā)布）和 WiiU （2012發(fā)布）低于預期等因素影響，公司過去幾年處于虧損狀態(tài)。

受益于公司12寸線產能爬坡，公司業(yè)績提升明顯，毛利率迅速恢復。過去幾年公司12寸廠處于產能爬坡期，從2011年17.26億新臺幣提升至128.32億新臺幣。由于產能爬坡，公司毛利率大幅改善，16Q3業(yè)績已經轉虧為盈。

公司是NOR Flash龍頭，市占率25%，必將深度受益行業(yè)趨勢變化。公司16年成為全球NORFlash龍頭，市占率高達25%。公司NOR業(yè)務下游應用以消費為主，汽車與工控業(yè)務增長迅速，從09年的不到3%一路提升至16年的20%，復合增長率達39.08%。

SWTICH加持助ROM業(yè)績反轉。SWTICH掌機超預期大賣，而公司是ROM和NOR獨家供應商，預計18年SWTICH銷量1800萬套，截止2020年可以達到6500萬套，4.9億枚卡帶（一枚卡帶需要一枚ROM）。公司17Q1 ROM出貨量大增，同比增800%。

風險提示。業(yè)績增長不及預期。

3華邦電（2344.TW）：受益存儲器漲價，業(yè)績釋放看新廠投產進度

華邦電成立于1987年9月，是***專業(yè)從事利基型內存IC設計、制造與銷售公司，華邦電核心產品包含NOR Flash、利基型DRAM及移動隨機存取內存（Mobile DRAM）。在NOR Flash領域，公司16年全球市占率達17%，是臺系第二大龍頭。

進入西門子供應鏈，汽車/工控業(yè)務占比持續(xù)提升。由于汽車/工控市場產品性能重于成本，長生命周期，高毛利率，高成長性等因素，該市場成為公司業(yè)務布局重點，16年該業(yè)務同比成長超20%，占比從2015年11%提升至18%。公司客戶包括Bosh、大陸等全球龍頭，今年公司順利切入西門子供應鏈，營收與毛利率有望進一步提升。

公司新廠Fab C 17Q3投產，業(yè)績釋放看新廠投產進度。華邦電17Q3新廠開出，新廠主要用于DRAM制程轉換（46nm轉38nm），初期以利基型DRAM為主，最大產能1.5萬片/月?？紤]到此次是華邦電五年來首次制程微縮，以及新廠產能投放進度，預計公司近兩年業(yè)績將很大取決于新廠投產進度，中長期有力提升公司競爭實力。