自2014年首屆舉辦以來，IPAC英飛凌零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會已走過十二載征程。我們始終以“驅(qū)動工業(yè)低碳轉(zhuǎn)型”為使命，深耕零碳技術(shù)領(lǐng)域，累計吸引上萬名行業(yè)精英、專家學(xué)者及企業(yè)代表參與，成為業(yè)內(nèi)最具影響力的標桿盛會。

2026年，IPAC大會全面升級，

開啟雙技術(shù)峰會新篇章！

為進一步聚焦零碳技術(shù)前沿，英飛凌將于2026年首次推出兩大主題技術(shù)大會，誠邀您共襄盛舉：

英飛凌碳化硅零碳應(yīng)用技術(shù)大會

時間：2026年5月22日

地點：深圳

亮點聚焦：

1.

三大全新話題，直擊技術(shù)熱點

SiC JFET技術(shù)深度解析

解析SiC JFET在高溫、高頻場景中的獨特優(yōu)勢，分享SiC JFET在SSCB應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新優(yōu)勢。

CoolSiC MOSFET在AIDC/固態(tài)變壓器（SST）中的應(yīng)用與解決方案

探討CoolSiC MOSFET如何助力數(shù)據(jù)中心（AIDC）能效提升，以及在固態(tài)變壓器中的關(guān)鍵作用，推動智能電網(wǎng)與綠色算力融合發(fā)展。

QDPAK封裝SiC MOSFET特性詳解與裝配工藝指南

揭秘QDPAK封裝的散熱設(shè)計、可靠性優(yōu)化及標準化裝配流程，助力企業(yè)快速落地高功率密度應(yīng)用。

2.

重磅發(fā)布：

英飛凌SiC可靠性白皮書2.0版本

權(quán)威解讀：白皮書2.0新增CoolSiC MOSFET實測與行業(yè)對比數(shù)據(jù)，應(yīng)用案例，深度剖析SiC器件在極端工況下的可靠性表現(xiàn)，為企業(yè)選型、系統(tǒng)設(shè)計及運維提供科學(xué)依據(jù)。

日程：

英飛凌光儲應(yīng)用技術(shù)大會

時間：2026年6月2日

地點：上海

亮點聚焦：

1.

全功率等級光儲系統(tǒng)全解析

完整覆蓋戶用、工商業(yè)、大功率組串及集中式等各類光儲系統(tǒng)，深度拆解不同系統(tǒng)的獨特設(shè)計與方案，精準滿足在不同場景下的應(yīng)用所需。

分享行業(yè)最新設(shè)計趨勢，共同布局產(chǎn)品未來。

2.

儲能PCS系統(tǒng)方案深度挖掘

全方位研討儲能PCS設(shè)計與技術(shù)，從高性價比方案、高效率方案，到高壓直掛系統(tǒng)，總能找到最適合的方案。

首次分享內(nèi)部測試數(shù)據(jù)和功率器件評估方法，助力硬件設(shè)計效率事半功倍。

日程：

攜手英飛凌，共啟零碳新紀元！

2026年，讓我們以技術(shù)為舟，以創(chuàng)新為帆，共同駛向綠色工業(yè)的星辰大海！