探索 onsemi NTMTSC1D6N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是不可或缺的元件，它的性能直接影響著電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入了解 onsemi 推出的 NTMTSC1D6N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處。

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產(chǎn)品概述

NTMTSC1D6N10MC 是 onsemi 生產(chǎn)的一款高性能單通道 N 溝道功率 MOSFET，具有 100V 的漏源擊穿電壓（V(BR)DSS），最大漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為 1.7 mΩ（在 10V 柵源電壓下），最大連續(xù)漏極電流（ID MAX）可達(dá) 267A。

產(chǎn)品特性

緊湊設(shè)計(jì)

該 MOSFET 采用了 8x8 mm 的小尺寸封裝，非常適合對(duì)空間要求較高的緊湊型設(shè)計(jì)。這種小尺寸封裝不僅節(jié)省了電路板空間，還能提高系統(tǒng)的集成度。

低導(dǎo)通損耗

低 RDS(ON) 特性使得 MOSFET 在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻很小，從而有效降低了傳導(dǎo)損耗，提高了電路的效率。這對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的設(shè)備來(lái)說(shuō)尤為重要，可以減少能量損耗，降低發(fā)熱。

低驅(qū)動(dòng)損耗

低 QG（柵極總電荷）和電容特性能夠減少驅(qū)動(dòng)損耗，降低對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求。這意味著在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，可以選擇更簡(jiǎn)單、成本更低的方案，同時(shí)也能提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。

環(huán)保合規(guī)

該器件符合 Pb - Free 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，是一款環(huán)保型產(chǎn)品，滿足了現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)環(huán)保的要求。

最大額定值

電壓和電流額定值

• 漏源電壓（Vpss）：100V
• 柵源電壓（VGs）：+20V
• 連續(xù)漏極電流：在 Tc = 25°C 時(shí)為 267A，在 Tc = 100°C 時(shí)為 189A（ReJc 條件下）；在 TA = 25°C 時(shí)為 30A，在 TA = 100°C 時(shí)為 21A（RaJA 條件下）
• 脈沖漏極電流（IDM）：在 TA = 25°C，tp = 10s 時(shí)為 900A

功率和溫度額定值

• 功率耗散：在 Tc = 25°C 時(shí)為 291W，在 Tc = 100°C 時(shí)為 145W（ReJc 條件下）；在 TA = 25°C 時(shí)為 3.9W，在 TA = 100°C 時(shí)為 1.9W（ReJA 條件下）
• 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍：-55 至 +175°C

其他額定值

• 源極電流（體二極管）：243A
• 單脈沖漏源雪崩能量（L(pk) = 22.3A）：1550mJ
• 焊接用引腳溫度（距外殼 1/8" 處，持續(xù) 10s）：260°C

需要注意的是，超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓（V(BR)DSS）：100V
• 漏電流（loss）：在 VDS = 100V，TJ = 25°C 時(shí)為 μA 級(jí)；在 VDS = 0V，VGS = 20V 時(shí)為 nA 級(jí)

導(dǎo)通特性

• 正向跨導(dǎo)：在 VGS = 6V 時(shí)為 233
• 輸入電容：在 VGS = 0V，f = 100KHz，VDS = 50V 時(shí)為 7630pF
• 反饋電容（CRSS）：80
• 總柵極電荷（QG(TOT)）：在 VGS = 10V，VDS = 50V，ID = 116A 時(shí)，柵源電荷（QGS）為 35，柵漏電荷（QGD）為 5

開(kāi)關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間（td(ON)）、上升時(shí)間（tf）、關(guān)斷延遲時(shí)間、下降時(shí)間等都有明確的參數(shù)。例如，在 ID = 116A，RG = 6Ω 條件下，關(guān)斷延遲時(shí)間為 69，下降時(shí)間為 29。
• 正向二極管電壓：在 TJ = 125°C 時(shí)有相應(yīng)的值
• 反向恢復(fù)時(shí)間：在 VGS = 0V，dIS/dt = 100A/μs，Is = 58A 時(shí)為 82；在 VGS = 0V，dIS/dt = 1000A/μs 時(shí)，放電時(shí)間為 19

需要注意的是，產(chǎn)品的參數(shù)性能是在特定測(cè)試條件下給出的，如果在不同條件下運(yùn)行，性能可能會(huì)有所不同。

典型特性

文檔中給出了多個(gè)典型特性圖，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關(guān)系、電容變化、柵源電壓與總電荷關(guān)系、電阻性開(kāi)關(guān)時(shí)間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關(guān)系、安全工作區(qū)、最大漏極電流與雪崩時(shí)間關(guān)系、結(jié)到環(huán)境瞬態(tài)熱響應(yīng)等。這些特性圖可以幫助工程師更好地了解 MOSFET 在不同工作條件下的性能，從而進(jìn)行更合理的設(shè)計(jì)。

封裝和訂購(gòu)信息

封裝

該 MOSFET 采用 TDFNW8 封裝，尺寸為 8.30x8.40x0.92，引腳間距為 2.00P。文檔中還給出了封裝的詳細(xì)尺寸圖和推薦焊盤(pán)圖案，方便工程師進(jìn)行 PCB 設(shè)計(jì)。

訂購(gòu)信息

器件型號(hào)為 NTMTSC1D6N10MCTXG，標(biāo)記為 1D6N10M，采用 TDFNW8（無(wú)鉛）封裝，每卷 3000 個(gè)。

總結(jié)

onsemi 的 NTMTSC1D6N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET 具有小尺寸、低導(dǎo)通損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗等優(yōu)點(diǎn)，適用于各種對(duì)空間和效率要求較高的電子設(shè)備。在使用時(shí)，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景，結(jié)合產(chǎn)品的最大額定值和電氣特性，合理設(shè)計(jì)電路，以確保器件的正常運(yùn)行和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。你在實(shí)際設(shè)計(jì)中有沒(méi)有遇到過(guò)類(lèi)似 MOSFET 的應(yīng)用問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。