深入解析Freescale MC9S08QE128系列微控制器
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,微控制器扮演著至關(guān)重要的角色。Freescale的MC9S08QE128系列微控制器以其豐富的功能和出色的性能,在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中得到廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)該系列微控制器進(jìn)行詳細(xì)解析,幫助電子工程師更好地了解和使用這款產(chǎn)品。
文件下載:PC9S08QE64CLH.pdf
一、QFN封裝遷移補(bǔ)充說(shuō)明
Freescale提供了新QFN封裝遷移的補(bǔ)充說(shuō)明。由于部分封裝從金線遷移到銅線,98A外殼輪廓編號(hào)發(fā)生了變化。文檔中給出了舊(金線)封裝與新(銅線)封裝的對(duì)應(yīng)表格,方便工程師查閱。例如,MC68HC908JW32的48 QFN封裝,舊的文檔編號(hào)為98ARH99048A,新的為98ASA00466D。若要查看新的圖紙,可前往Freescale官網(wǎng),搜索設(shè)備的新98A封裝編號(hào)。對(duì)于QFN封裝的使用,可參考EB806文檔獲取相關(guān)電氣連接建議。
二、MC9S08QE128系列概述
2.1 核心特性
- CPU性能:采用8位HCS08中央處理器單元(CPU),在不同電壓和溫度范圍內(nèi)具有不同的運(yùn)行頻率。例如,在2.4V以上可達(dá)到50.33 - MHz,2.1V以上為40 - MHz,1.8V以上為20 - MHz。支持HC08指令集并新增BGND指令,可支持多達(dá)32個(gè)中斷/復(fù)位源。
- 片上內(nèi)存:具備閃存(Flash),可在全工作電壓和溫度范圍內(nèi)進(jìn)行讀取、編程和擦除操作;還有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM),并配備安全電路,防止未經(jīng)授權(quán)訪問(wèn)RAM和閃存內(nèi)容。
- 節(jié)能模式:擁有兩種低功耗停止模式和降低功耗的等待模式。外設(shè)時(shí)鐘使能寄存器可禁用未使用模塊的時(shí)鐘,降低電流消耗;在stop3模式下,可保持特定外設(shè)的時(shí)鐘開(kāi)啟。還配備超低功耗外部振蕩器,為活動(dòng)外設(shè)提供精確時(shí)鐘,以及超低功耗實(shí)時(shí)計(jì)數(shù)器,可在運(yùn)行、等待和停止模式下使用內(nèi)部和外部時(shí)鐘源,典型喚醒時(shí)間為6 μs。
- 時(shí)鐘源選項(xiàng):提供振蕩器(XOSC)和內(nèi)部時(shí)鐘源(ICS)兩種選擇。XOSC為環(huán)路控制皮爾斯振蕩器,支持31.25 kHz至38.4 kHz或1 MHz至16 MHz的晶體或陶瓷諧振器;ICS由內(nèi)部或外部參考控制的FLL控制,內(nèi)部參考的精確微調(diào)可實(shí)現(xiàn)0.2%的分辨率和2%的偏差,支持2至50.33 MHz的CPU頻率。
- 系統(tǒng)保護(hù):具備看門(mén)狗計(jì)算機(jī)運(yùn)行正常(COP)復(fù)位功能,可選擇從專(zhuān)用的1 - kHz內(nèi)部時(shí)鐘源或總線時(shí)鐘運(yùn)行;支持低電壓檢測(cè),可選擇復(fù)位或中斷,并具有可選的觸發(fā)點(diǎn);具備非法操作碼檢測(cè)和復(fù)位功能,以及閃存塊保護(hù)功能。
- 開(kāi)發(fā)支持:提供單線背景調(diào)試接口,具備斷點(diǎn)功能,可在在線調(diào)試時(shí)設(shè)置單個(gè)斷點(diǎn)(另外還有兩個(gè)斷點(diǎn)),片上在線仿真器(ICE)調(diào)試模塊包含兩個(gè)比較器和九種觸發(fā)模式。
2.2 外設(shè)模塊
- ADC:24通道,12位分辨率,轉(zhuǎn)換時(shí)間為2.5 μs,具有自動(dòng)比較功能,內(nèi)置1.7 mV/°C溫度傳感器和內(nèi)部帶隙參考通道,可在stop3模式下工作,在3.6V至1.8V電壓范圍內(nèi)功能完整。
- ACMPx:兩個(gè)模擬比較器,可選擇在比較器輸出的上升、下降或任意邊沿產(chǎn)生中斷,可與固定的內(nèi)部帶隙參考電壓進(jìn)行比較,輸出可選擇路由到TPM模塊,可在stop3模式下工作。
- SCIx:兩個(gè)SCI,支持全雙工非歸零(NRZ)通信,具備LIN主擴(kuò)展中斷生成和LIN從擴(kuò)展中斷檢測(cè)功能,可在活動(dòng)邊沿喚醒。
- SPIx:兩個(gè)串行外設(shè)接口,支持全雙工或單線雙向通信,具備雙緩沖發(fā)送和接收功能,可選擇MSB - first或LSB - first移位。
- IICx:兩個(gè)IIC,最高支持100 kbps的通信速率,支持多主操作,可編程從地址,支持中斷驅(qū)動(dòng)的逐字節(jié)數(shù)據(jù)傳輸,支持廣播模式和10位尋址。
- TPMx:一個(gè)6通道和兩個(gè)3通道定時(shí)器/脈寬調(diào)制器(PWM),每個(gè)通道可選擇輸入捕獲、輸出比較或緩沖邊沿或中心對(duì)齊PWM。
- RTC:8位模數(shù)計(jì)數(shù)器,具有基于二進(jìn)制或十進(jìn)制的預(yù)分頻器,可使用外部時(shí)鐘源提供精確的時(shí)間基準(zhǔn),用于日期、日歷或任務(wù)調(diào)度功能,還可使用片上低功耗振蕩器(1 kHz)實(shí)現(xiàn)無(wú)外部組件的循環(huán)喚醒。
- 輸入/輸出:擁有70個(gè)通用輸入輸出(GPIO)引腳,1個(gè)僅輸入引腳和1個(gè)僅輸出引腳,16個(gè)KBI中斷,可選擇極性。所有輸入引腳具有遲滯和可配置上拉設(shè)備,所有輸出引腳可配置壓擺率和驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,部分引腳(PTC和PTE)具備SET/CLR寄存器。
三、不同型號(hào)對(duì)比
文檔中給出了MC9S08QE128系列不同設(shè)備衍生型號(hào)的對(duì)比表格,包括MC9S08QE128、MC9S08QE96和MC9S08QE64。對(duì)比內(nèi)容涵蓋閃存大小、RAM大小、引腳數(shù)量、各外設(shè)模塊的支持情況等。例如,MC9S08QE128的閃存大小為131072字節(jié),RAM大小為8064字節(jié);而MC9S08QE64的閃存大小為65536字節(jié),RAM大小為4096字節(jié)。不同型號(hào)在引腳數(shù)量和外設(shè)模塊支持上也存在差異,工程師可根據(jù)具體需求選擇合適的型號(hào)。
四、引腳分配
詳細(xì)描述了不同封裝(80 - LQFP、64 - LQFP、48 - QFN、44 - LQFP、32 - LQFP)的引腳分配情況,并給出了相應(yīng)的表格和圖示。表格中列出了每個(gè)引腳的編號(hào)、端口、替代功能等信息,方便工程師進(jìn)行硬件設(shè)計(jì)和布線。例如,在80 - LQFP封裝中,引腳1對(duì)應(yīng)PTD1,具有KBI2P1和MOSI2等替代功能。
五、電氣特性
5.1 絕對(duì)最大額定值
規(guī)定了設(shè)備的絕對(duì)最大額定值,如電源電壓VDD范圍為–0.3至 + 3.8 V,最大流入VDD的電流IDD為120 mA,數(shù)字輸入電壓VIn范圍為–0.3至VDD + 0.3 V,單個(gè)引腳的瞬時(shí)最大電流ID為± 25 mA,存儲(chǔ)溫度范圍Tstg為–55至150 °C。需要注意的是,這些是應(yīng)力額定值,在最大值下不能保證功能正常運(yùn)行,超過(guò)規(guī)定極限可能影響設(shè)備可靠性或造成永久損壞。
5.2 熱特性
提供了設(shè)備的熱特性信息,包括工作溫度范圍(封裝后為–40至85 °C)、最大結(jié)溫TJM為95 °C,以及不同封裝在單層板和四層板上的熱阻θJA。通過(guò)公式 (T{J}=T{A}+left(P{D} × theta{J A}right)) 可計(jì)算芯片的平均結(jié)溫 (T{J}) ,其中 (T{A}) 為環(huán)境溫度, (P{D}) 為總功耗, (theta{JA}) 為封裝熱阻。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用, (P{I / O}< {int }) 可忽略不計(jì),通過(guò)測(cè)量 (P{D}) 和 (T{A}) 可確定常數(shù)K,進(jìn)而計(jì)算不同 (T{A}) 下的 (P{D}) 和 (T_{J}) 。 盡管該設(shè)備比早期CMOS電路對(duì)靜電放電(ESD)的損壞更具抵抗力,但仍需采取正常的處理預(yù)防措施。設(shè)備經(jīng)過(guò)了人體模型(HBM)、機(jī)器模型(MM)和電荷設(shè)備模型(CDM)的ESD測(cè)試,符合AEC - Q100汽車(chē)級(jí)集成電路應(yīng)力測(cè)試資格要求。同時(shí),還給出了ESD和閂鎖測(cè)試條件及保護(hù)特性,如HBM模式下的ESD電壓為± 2000 V,MM模式為± 200 V,CDM模式為± 500 V,在TA = 85 °C時(shí)的閂鎖電流I LAT為± 100 mA。 包括電源要求和I/O引腳特性,如工作電壓范圍為1.8至3.6 V,輸出高電壓和低電壓在不同驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和負(fù)載電流下的取值,輸入高電壓和低電壓與VDD的關(guān)系,輸入遲滯、輸入泄漏電流、Hi - Z(關(guān)態(tài))泄漏電流、上拉電阻等參數(shù)。還給出了典型的上拉和下拉電阻值隨VDD變化的曲線,以及低側(cè)驅(qū)動(dòng)和高側(cè)驅(qū)動(dòng)的典型特性曲線。 詳細(xì)列出了不同工作模式下的電源電流特性,包括運(yùn)行模式(FEI模式下所有模塊開(kāi)啟或關(guān)閉、LPS = 0或1時(shí)所有模塊關(guān)閉且從閃存或RAM運(yùn)行)、等待模式、停止2模式和停止3模式的電源電流。同時(shí),給出了停止模式的附加電流參數(shù),如LPO、ERREFSTEN、IREFSTEN1等在不同溫度下的取值。 描述了XOSC的特性,包括振蕩器晶體或諧振器的頻率范圍(低范圍和高范圍)、負(fù)載電容、反饋電阻、串聯(lián)電阻和晶體啟動(dòng)時(shí)間等參數(shù)。不同的振蕩器設(shè)置(RANGE和HGO)會(huì)影響這些參數(shù)的取值,同時(shí)給出了典型的晶體或諧振器電路圖示。 給出了ICS的頻率規(guī)格,包括平均內(nèi)部參考頻率、用戶微調(diào)的內(nèi)部參考頻率、內(nèi)部參考啟動(dòng)時(shí)間、DCO輸出頻率范圍、分辨率、總偏差、FLL獲取時(shí)間和長(zhǎng)期抖動(dòng)等參數(shù)。這些參數(shù)在不同的溫度和電壓條件下有相應(yīng)的取值范圍,還給出了DCO輸出在不同溫度和VDD下的偏差曲線。 規(guī)定了總線頻率、內(nèi)部低功耗振蕩器周期、外部復(fù)位脈沖寬度、復(fù)位低驅(qū)動(dòng)、BKGD/MS設(shè)置時(shí)間和保持時(shí)間、IRQ脈沖寬度、鍵盤(pán)中斷脈沖寬度、端口上升和下降時(shí)間以及電壓調(diào)節(jié)器恢復(fù)時(shí)間等控制時(shí)序參數(shù)。這些參數(shù)對(duì)于確保設(shè)備的正常運(yùn)行和穩(wěn)定性至關(guān)重要。 確定了TPM模塊的輸入時(shí)序,包括外部時(shí)鐘頻率、周期、高時(shí)間、低時(shí)間和輸入捕獲脈沖寬度等參數(shù)。這些參數(shù)與總線時(shí)鐘頻率相關(guān),確保TPM模塊能夠準(zhǔn)確地進(jìn)行定時(shí)和計(jì)數(shù)操作。 詳細(xì)描述了SPI系統(tǒng)的時(shí)序要求,包括操作頻率、SPSCK周期、使能提前時(shí)間、使能滯后時(shí)間、時(shí)鐘高或低時(shí)間、數(shù)據(jù)設(shè)置時(shí)間、數(shù)據(jù)保持時(shí)間、從設(shè)備訪問(wèn)時(shí)間、從設(shè)備MISO禁用時(shí)間、數(shù)據(jù)有效時(shí)間、數(shù)據(jù)輸出保持時(shí)間、上升時(shí)間和下降時(shí)間等參數(shù)。同時(shí),給出了SPI主模式和從模式在不同CPHA設(shè)置下的時(shí)序圖示。 給出了模擬比較器的電氣規(guī)格,包括電源電壓、電源電流、模擬輸入電壓、模擬輸入偏移電壓、模擬比較器遲滯、模擬輸入泄漏電流和模擬比較器初始化延遲等參數(shù)。這些參數(shù)對(duì)于設(shè)計(jì)模擬信號(hào)處理電路非常重要。 詳細(xì)描述了12位ADC的工作條件和特性,包括電源電壓、參考電壓、輸入電壓、輸入電容、輸入電阻、模擬源電阻、ADC轉(zhuǎn)換時(shí)鐘頻率等參數(shù)。還給出了不同工作模式下的ADC特性,如供應(yīng)電流、轉(zhuǎn)換時(shí)間、采樣時(shí)間、總未調(diào)整誤差、差分非線性、積分非線性、零刻度誤差、滿刻度誤差、量化誤差、輸入泄漏誤差、溫度傳感器斜率和電壓等。 提供了閃存的編程/擦除時(shí)間和編程 - 擦除耐久性等詳細(xì)信息。編程和擦除操作僅需正常的VDD電源,無(wú)需特殊電源。文檔中給出了不同操作(字節(jié)編程、頁(yè)擦除、塊擦除)的時(shí)間和電流參數(shù),以及閃存的編程/擦除耐久性和數(shù)據(jù)保留時(shí)間。 列出了MC9S08QE128、MC9S08QE96和MC9S08QE64設(shè)備的訂購(gòu)信息,包括飛思卡爾零件編號(hào)、內(nèi)存(閃存和RAM)大小、溫度范圍和封裝類(lèi)型等。例如,MC9S08QE128CLK的閃存為128K,RAM為8K,溫度范圍為–40至 + 85 °C,封裝為80 LQFP。同時(shí),介紹了設(shè)備編號(hào)系統(tǒng),方便工程師理解零件編號(hào)的含義。 詳細(xì)介紹了不同封裝(80 - LQFP、64 - LQFP、48 - QFN、44 - LQFP、32 - LQFP)的描述,包括引腳數(shù)量、封裝類(lèi)型、縮寫(xiě)、設(shè)計(jì)器、案例編號(hào)和文檔編號(hào)等。還提供了各封裝的機(jī)械圖紙,工程師可通過(guò)訪問(wèn)Freescale官網(wǎng)獲取最新的圖紙。 指出可在Freescale官網(wǎng)(http://www.freescale.com)獲取所有文檔的最新版本。參考手冊(cè)(MC9S08QE128RM)包含了產(chǎn)品的詳細(xì)信息,如操作模式、內(nèi)存、復(fù)位和中斷、寄存器定義、端口引腳、CPU和所有模塊信息。文檔還給出了修訂歷史表格,記錄了文檔的修訂日期和更改描述,方便工程師了解文檔的更新情況。 綜上所述,F(xiàn)reescale的MC9S08QE128系列微控制器具有豐富的功能和出色的性能,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。電子工程師在設(shè)計(jì)過(guò)程中,可根據(jù)具體需求選擇合適的型號(hào)和封裝,并參考文檔中的電氣特性和引腳分配等信息,確保設(shè)計(jì)的可靠性和穩(wěn)定性。你在使用這款微控制器的過(guò)程中遇到過(guò)哪些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。 5.3 ESD保護(hù)和閂鎖免疫
5.4 DC特性
5.5 電源電流特性
5.6 外部振蕩器(XOSC)特性
5.7 內(nèi)部時(shí)鐘源(ICS)特性
5.8 AC特性
5.8.1 控制時(shí)序
5.8.2 TPM模塊時(shí)序
5.8.3 SPI時(shí)序
5.9 模擬比較器(ACMP)電氣特性
5.10 ADC特性
5.11 閃存規(guī)格
六、訂購(gòu)信息
七、封裝信息
八、產(chǎn)品文檔和修訂歷史
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微控制器
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