常用晶體管場(chǎng)效應(yīng)管資料,transistor datasheet
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常用晶體管場(chǎng)效應(yīng)管資料，大家參考，都是IR公司的場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng) 型號(hào) 反壓 Vbe0 電流 Icm 功率 Pcm 放大系數(shù) 特征頻率 管子類(lèi)型
IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRF840 500V 8A 125W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
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IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
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IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS 場(chǎng)效應(yīng)
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發(fā)布于 :2025年12月05日 17:20:57
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發(fā)表于 09-23 15:03
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半導(dǎo)體器件控制機(jī)理：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通機(jī)制探析
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無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程
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無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié)，隧道穿透
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ZSKY-CCS3125BP N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū)
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LT8822SS共漏N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū)
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LT8618FD共漏N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格書(shū)
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LT8814EFF具有ESD保護(hù)的雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū)
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