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捷捷微電投建MOS管、IGBT等項目,增募資不超9.11億元

NSFb_gh_eb0fee5 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-09-26 09:31 ? 次閱讀
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集微網(wǎng)消息 在半導體分立器件行業(yè),盡管中國已經(jīng)發(fā)展成為全球最大的半導體分立器件市場,但就半導體分立器件的供給而言,目前全球半導體分立器件主要以美日歐企業(yè)為主,高端市場幾乎被這三大主力壟斷。

2010年以來,國務院及各部委多次頒布了鼓勵半導體行業(yè)發(fā)展的政策,國家政策的支持將加速我國高端功率器件的發(fā)展進程,加速 IGBTMOSFET 等高端功率器件芯片生產(chǎn)工藝的研制和開發(fā)進程。

未來,我國必然會出現(xiàn)若干家躋身國際一線梯隊的功率半導體企業(yè),在中國功率半導體廠商中,揚杰科技、華微電子已經(jīng)宣布公司MOS管、IGBT成功研制并量產(chǎn),而臺基股份也在近日發(fā)布公告,擬合作設立 IGBT 項目公司。

9月21日,捷捷微電發(fā)布披露定增預案,擬非公開發(fā)行不超3500萬股,募資不超9.11億元,用于電力電子器件生產(chǎn)線建設項目;捷捷半導體有限公司新型片式元器件、光電混合集成電路封測生產(chǎn)線建設項目;補充流動資金。

捷捷微電是國內(nèi)晶閘管行業(yè)的龍頭企業(yè),除了逐漸穩(wěn)固現(xiàn)有產(chǎn)品的優(yōu)勢地位之外,捷捷微電積極布局相應的 MOSFET、IGBT 及第三代半導體器件。

電力電子器件生產(chǎn)線建設項目的主要產(chǎn)品為電力電子器件功率 MOSFET、IGBT、快恢復二極管(FRD)、可控硅(SCR)等。

新型片式元器件、光電混合集成電路封測生產(chǎn)線建設項目的主要產(chǎn)品包括貼片式壓敏電阻、貼片式二極管和交、直流光電耦合混合電路等,封裝形式有 SMX 系列產(chǎn)品、引線插件型 Leaded,表面貼裝型 SMD,光電混合集成式厚膜保護模塊 Module 及保護電路 Protect IC 等。

捷捷微電表示,電力電子器件生產(chǎn)線建設項目和捷捷半導體有限公司新型片式元器件、光電混合集成電路封測生產(chǎn)線建設項目的實施將進一步豐富企業(yè)的產(chǎn)品結構,深化現(xiàn)有領域的應用深度,拓寬應用廣度。項目實施后,電力電子器件產(chǎn)品線和新型片式元器件、光電混合集成電路產(chǎn)品線將覆蓋更廣的領域,形成多領域、廣覆蓋的多樣化優(yōu)勢,進一步增加企業(yè)利潤來源。

此外,捷捷微電目前處于快速成長期,公司多年來形成的累計利潤已陸續(xù)投入到公司發(fā)展中,但是隨著公司品牌影響力的深化,公司市場份額增長較快,未來兩三年之后客戶不斷增加的需求與公司產(chǎn)能之間的矛盾將成為公司發(fā)展中的主要矛盾。項目的實施,有利于解決產(chǎn)能限制,擴大產(chǎn)品覆蓋率,滿足業(yè)務擴張需求。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:捷捷微電擬定增募資不超9.11億元,投建MOS管、IGBT等項目

文章出處:【微信號:gh_eb0fee55925b,微信公眾號:半導體投資聯(lián)盟】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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