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三星半導(dǎo)體已經(jīng)開始使用其7LPP制造工藝生產(chǎn)芯片

中國半導(dǎo)體論壇 ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-10-22 16:31 ? 次閱讀
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據(jù)外媒消息,三星半導(dǎo)體昨日表示,它已經(jīng)開始使用其7LPP制造工藝生產(chǎn)芯片,該工藝基于極紫外光刻技術(shù)(EUV)。新的制造工藝將使三星能夠顯著提高芯片的晶體管密度,同時優(yōu)化其功耗。此外,EUV的使用使三星能夠減少每個芯片所需的掩模數(shù)量并縮短其生產(chǎn)周期。

三星表示,7LPP制造技術(shù)可以減少40%的面積(同樣的復(fù)雜性),同時降低50%的功耗(在相同的頻率和復(fù)雜度下)或性能提高20%(在相同的功率和復(fù)雜性下) )??雌饋?,使用極紫外光刻技術(shù)使三星半導(dǎo)體能夠在其下一代SoC中放置40%以上的晶體管并降低其功耗,這是移動SoC的一個非常引人注目的主張,將由其母公司使用。

三星在其位于韓國華城的Fab S3生產(chǎn)7LPP EUV芯片。該公司每天可以在其ASML Twinscan NXE:3400B EUVL步進掃描系統(tǒng)和每個280 W光源上處理1500個晶圓。三星沒有透露它是否使用薄膜來保護光掩模免于降級,但僅表明使用EUV可以將芯片所需的掩模數(shù)量減少20%。此外,該公司表示,它已經(jīng)開發(fā)出專有的EUV掩模檢測工具,可以在制造周期的早期進行早期缺陷檢測并消除缺陷(這可能會對產(chǎn)量產(chǎn)生積極影響)。

三星Foundry沒有透露其首先采用其7LPP制造技術(shù)的客戶名稱,但僅暗示使用它的第一批芯片將針對移動和HPC應(yīng)用。通常,三星電子是半導(dǎo)體部門的第一個采用其尖端制造工藝的客戶。因此,預(yù)計到2019年,三星智能手機將推出一款7nm SoC。此外,高通將采用三星的7LPP技術(shù)作為其5G移動芯片組。

“隨著EUV工藝節(jié)點的引入,三星在半導(dǎo)體行業(yè)引領(lǐng)了一場靜悄悄的革命,” 三星電子代工銷售和營銷團隊執(zhí)行副總裁Charlie Bae說?!熬A生產(chǎn)方式的這種根本性轉(zhuǎn)變使我們的客戶有機會以卓越的產(chǎn)量,減少的層數(shù)和更高的產(chǎn)量顯著提高產(chǎn)品的上市時間。我們相信7LPP不僅是移動和HPC的最佳選擇,也適用于廣泛的尖端應(yīng)用。“

此時,7LPP得到了眾多三星高級代工生態(tài)系統(tǒng)(SAFE)合作伙伴的支持,包括Ansys,Arm,CadenceMentor,SEMCO,Synopsys和VeriSilicon。除此之外,三星和上述公司還提供HBM2 / 2E,GDDR6,DDR5,USB 3.1,PCIe 5.0和112G SerDes等接口IP解決方案。因此,2021年及之后的SoC芯片開發(fā)商將依靠PCIe Gen 5和DDR5開始設(shè)計他們的芯片。

至于封裝,使用7LPP EUV技術(shù)制造的芯片可以與2.5D硅插入器(如果使用HBM2 / 2E存儲器)以及三星的嵌入式無源基板耦合。

如上所述,三星在其Fab S3上使用了EUV機臺量產(chǎn),但其工廠仍然擁有大量的DUV(深紫外線)設(shè)備。如果想進一步擴大7LPP工藝技術(shù)產(chǎn)量,可能需要擴充更多的EUV機臺。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:重磅!三星正式宣布7nm量產(chǎn)!

文章出處:【微信號:CSF211ic,微信公眾號:中國半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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