二維材料是指在形成晶結構時，在垂直的方向只有一層分子，像一張紙。用以下將討論的MoS2(molybdenum disulfide，二硫化鉬)為例，從這二維結構的側面看，Mo原子居中，上下各有一S原子。所以雖然叫二維，但還是有一點三維的分量。從二維結構的上方來看，這些重復的MoS2分子形成六邊形的蜂巢狀結構。

圖說：圖為目前應用領域研究最密集的TMD之一─MoS2的晶體結構示意。

二維結構始于石墨烯(graphene)的發(fā)現(xiàn)，石墨烯全是碳原子，也是六角形蜂巢結構。石墨(graphite)則是三維材料，以前常用的鉛筆芯就是石墨。鉛筆為什么能用于書寫呢？因為石墨是由多層的石墨烯堆疊而成，但是各層石墨烯之間僅以微弱的凡德瓦力連接。當我們于鉛筆尖施加壓力時，最外層石墨烯與紙之間的磨擦力大過凡德瓦力，一層或數層的石墨烯就從石墨剝離(exfoliation)，留在紙上，這就是我們在紙面看到的鉛筆筆跡。

像石墨烯這樣由單一種原子形成的二維材料還有幾種，譬如由磷、矽等原子組成的二維結構?，F(xiàn)在于應用領域研究的最密集的卻是TMD(Transition Metal Dichalcogenide，過渡金屬二硫屬化合物)，像前述的MoS2就是TMD的一種。

TMD由于其極大化的靜電效率(maximum electrostatic efficiency)、機械強度、可調電子結構、透光、傳感器選擇性等優(yōu)異性質，開始被考慮用于電子、光子、感測、能源元件等領域。

在半導體中首先被考慮用于5nm以下制程的是MoS2，用于晶體管的通道(channel)。主要的好處是它的漏電流遠較硅小幾個數量級，因此功耗也很小。造成這現(xiàn)象的主要原因是MoS2的電子等效質量(effective mass)較硅大3倍左右，因此晶體管在「關」的狀態(tài)下漏電流小，代價是在「開」的狀況下通過的電流也小。但是MoS2的飽和電流并不會限制它繼續(xù)微縮，實驗上已展示將之用在1D2D FET(1D gated, 2D semiconductor FET)擁有極佳的性質，這使得MoS2在深納米的晶體管應用上比硅為佳，這是目前最熱門的研發(fā)方向。

TMD的其它特性讓它在光電領域也有不少的應用。TMD的結構比鋼還結實，但可撓性佳，又透光，成為薄膜晶體管(Thin Film Transistor；TFT)的天生材料，又兼具前述的電性優(yōu)勢，也可以做低功耗RF TFT，用于先進的IoT元件。另外，因為其層狀結構、高表面積、優(yōu)良電化學的性質，在能源的應用中極適合當電極，譬如在超極電容或鋰離子電池。TMD的高表面積容易吸附離子，而層狀結構在反復的充電/放電周期中容易維持穩(wěn)定結構。

以前半導體有個詞叫深次微米，然后是納米科技。一層MoS2的厚度是0.3nm，我們要進入次納米世代了！