影響B(tài)UCK電源效率的因素有哪些
簡(jiǎn)化的MOSFET等效電路
MOSFET開通（turn on）過程
MOSFET損耗——Rds和Rg電阻損耗
L/C損耗
IC損耗
小結(jié)
綜合上述分析可知，影響效率的因素主要有Rds（on），開關(guān)頻率，有效值電流。
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原文標(biāo)題：【幾張圖理解】影響B(tài)UCK電源效率的關(guān)鍵因素！
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