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發(fā)表于 12-02 08:02
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晶圓工藝:采用2.5代深槽( Deep-Trench )超結(jié)工藝 ,更少的光罩層數(shù),生產(chǎn)周期更短,更具成本優(yōu)勢
低內(nèi)阻:特殊的超結(jié)結(jié)構(gòu)讓高壓超結(jié)MOS內(nèi)阻在同樣面積情況下降低到VDMOS的1
發(fā)表于 11-28 07:35
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