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未來十年存儲級內(nèi)存將取代NAND閃存?

存儲D1net ? 來源:xx ? 2019-02-19 14:06 ? 次閱讀
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近日,HPE 3PAR存儲單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone進(jìn)行了一次大膽預(yù)測,在他看來,存儲級內(nèi)存(SCM)或?qū)⒃?0年內(nèi)取代NAND閃存,成為企業(yè)首選的高速存儲介質(zhì)。

在Ivan Iannaccone看來,隨著企業(yè)對數(shù)據(jù)處理和請求的需求加快,NAND閃存的性能和延遲問題將使得SSD不足以滿足未來的企業(yè)需求。而讀寫性能遠(yuǎn)高于SSD、延遲更為SSD十分之一的SCM將逐步取代NAND SSD。

同時,Ivan Iannaccone表示,盡管SCM確實(shí)比NAND好很多,但其比NAND高出4倍的成本依舊是最大的阻礙。

編輯觀點(diǎn):

在筆者看來,SCM確實(shí)是趨勢,因其性能接近DRAM,而成本介于DRAM和NAND之間。

目前,做SCM的廠商主要為英特爾三星。英特爾的傲騰產(chǎn)品定位于企業(yè)和消費(fèi),三星的Z-SSD更專注于消費(fèi)者,并計(jì)劃在今年晚些時候向OEM提供樣品。此外,據(jù)爆料,東芝和西數(shù)也在開發(fā)自己的SCM產(chǎn)品。

另一方面,盡管各存儲廠商均發(fā)力SCM市場,但其高昂的成本確實(shí)阻礙著SCM取代NAND。最好的例子:這么多年過去了,NAND SSD依舊沒能完全取代HDD。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:HPE:10年后 存儲級內(nèi)存將取代NAND閃存

文章出處:【微信號:D1Net11,微信公眾號:存儲D1net】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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